鎵敏光電致力于研發(fā)和生產(chǎn)基于新型寬禁帶半導(dǎo)體材料的高性能紫外探測(cè)器。寬禁帶半導(dǎo)體是近年來(lái)國(guó)內(nèi)外重點(diǎn)研究和發(fā)展的新型第三代半導(dǎo)體材料，其代表材料包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體，具有禁帶寬度大、導(dǎo)熱性能好、電子飽和漂移速度高以及化學(xué)穩(wěn)定性優(yōu)等特點(diǎn)，用于耐高溫、高效能的高頻大功率器件以及工作于紫外波段的光探測(cè)器件，具有顯著的材料性能優(yōu)勢(shì)。目前，鎵敏光電已建成完整的器件工藝線和高標(biāo)準(zhǔn)的器件檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室，并在國(guó)內(nèi)首先批量供應(yīng)多型號(hào)高靈敏度GaN和SiC紫外探測(cè)器產(chǎn)品。鎵敏光電生產(chǎn)的紫外探測(cè)器具有光電流高、暗電流低、響應(yīng)速度快等系列性能優(yōu)勢(shì)，其技術(shù)指標(biāo)已全面超越國(guó)外進(jìn)口產(chǎn)品，具有極高的性價(jià)比，可廣泛應(yīng)用于環(huán)境監(jiān)測(cè)、紫外固化、工業(yè)過(guò)程監(jiān)測(cè)、食品衛(wèi)生、飲用水消毒、和火災(zāi)報(bào)警等諸多領(lǐng)域。