北京頓思集成電路設計有限責任公司從事射頻功率器件的設計、研發(fā)、晶圓加工（含MPW）、封裝、測試和銷售，成功設計了多個系列高可靠性RF-MOSFET功率器件。主要產(chǎn)品包括射頻功率LDMOS器件、定制化功率MOS器件及其配套的50歐系統(tǒng)解決方案。頓思重點關注射頻應用領域產(chǎn)品，應用頻率覆蓋DC~4GHz，輸出功率等級覆蓋0.1W~500W，供電電壓3.7V~380V；擁有塑料封裝、金屬封裝等適應各類應用需求的標準封裝和定制化封裝外形；有單管、合封模組等各種應用方案。應用于射頻移動通信基站、射頻廣播、移動無線電、射頻能源以及工業(yè)、科研、醫(yī)療等眾多具有戰(zhàn)略重要性的行業(yè)領域。