原標(biāo)題：英飛凌OptiMOS源極底置功率MOSFET系列新添PQFN封裝的40 V裝置

英飛凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）近日推出了新一代OptiMOS?源極底置（Source-Down，簡(jiǎn)稱SD）功率MOSFET，為解決終端應(yīng)用中的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)提供了創(chuàng)新解決方案。此次新推出的PQFN封裝的40V裝置，進(jìn)一步豐富了OptiMOS系列的產(chǎn)品陣容，為市場(chǎng)帶來了更多選擇。

產(chǎn)品特點(diǎn)

1. 源極底置（SD）封裝技術(shù)
   該裝置采用源極底置PQFN封裝，尺寸為3.3mm×3.3mm，與現(xiàn)有技術(shù)相比，可使導(dǎo)通電阻（RDS(on)）降低25%，同時(shí)接面與外殼間的熱阻（RthJC）也獲得大幅改善。這種封裝設(shè)計(jì)不僅提高了功率密度，還優(yōu)化了散熱性能，使得器件在高功率應(yīng)用中表現(xiàn)更加出色。

2. 高功率密度與低導(dǎo)通電阻
   新裝置提供兩種版本：標(biāo)準(zhǔn)版和中央柵極版。其中，中央柵極版針對(duì)多部裝置并聯(lián)作業(yè)進(jìn)行了優(yōu)化，進(jìn)一步提升了電流能力和系統(tǒng)效率。該裝置的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）在10V柵極電壓下可低至1.35mΩ，滿足了市場(chǎng)對(duì)低損耗、高效率功率器件的需求。

3. 高電流能力與熱性能
   SD OptiMOS可承受高達(dá)194A的高連續(xù)電流，且在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定的性能。其出色的熱性能得益于優(yōu)化的封裝設(shè)計(jì)和材料選擇，使得器件在散熱方面表現(xiàn)卓越，延長(zhǎng)了使用壽命并提高了可靠性。

應(yīng)用領(lǐng)域

新推出的40V SD MOSFET適用于多種高要求應(yīng)用，包括但不限于：

• 服務(wù)器電源供應(yīng)單元（SMPS）
  在服務(wù)器中，SMPS需要高效、穩(wěn)定的功率轉(zhuǎn)換，以確保數(shù)據(jù)中心的可靠運(yùn)行。OptiMOS 40V SD MOSFET憑借其低導(dǎo)通電阻和高功率密度，成為SMPS設(shè)計(jì)的理想選擇。

• 電信設(shè)備與OR-ing應(yīng)用
  在電信設(shè)備中，高可靠性的功率器件是保障通信暢通的關(guān)鍵。OptiMOS 40V SD MOSFET的出色性能使其能夠滿足電信設(shè)備對(duì)功率轉(zhuǎn)換和保護(hù)的高要求。

• 電池保護(hù)
  隨著電動(dòng)汽車和便攜式電子設(shè)備的普及，電池保護(hù)電路對(duì)功率器件的需求日益增長(zhǎng)。OptiMOS 40V SD MOSFET的高電流能力和低導(dǎo)通電阻，使其成為電池保護(hù)電路中的優(yōu)選器件。

• 電動(dòng)工具與充電器
  在電動(dòng)工具和充電器中，功率器件需要承受高負(fù)載和高溫環(huán)境。OptiMOS 40V SD MOSFET的優(yōu)異熱性能和可靠性，使其能夠滿足這些應(yīng)用對(duì)功率器件的嚴(yán)苛要求。

市場(chǎng)影響與前景

英飛凌此次推出的OptiMOS 40V SD MOSFET，不僅豐富了其功率MOSFET產(chǎn)品線，還進(jìn)一步鞏固了英飛凌在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。隨著電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心、5G通信等市場(chǎng)的快速發(fā)展，對(duì)高效、可靠功率器件的需求將持續(xù)增長(zhǎng)。OptiMOS 40V SD MOSFET憑借其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，有望在未來市場(chǎng)中占據(jù)重要份額。

此外，英飛凌在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新和市場(chǎng)布局，也為其未來的發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。通過不斷推出新產(chǎn)品和解決方案，英飛凌將繼續(xù)引領(lǐng)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展潮流，為全球客戶提供更加優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù)。