英飛凌CoolSiC 1200V G2 mosfet是一款高性能的電力電子應用解決方案。英飛凌G2 mosfet在25°C時的額定電壓為1200V，在+100°C時的I(DDC)為6.2A，在18V柵源電壓時的R(DS(on))為233.9毫歐。這些mosfet具有優(yōu)異的電氣特性和極低的開關損耗，能夠實現(xiàn)高效的工作。mosfet專為過載條件設計，支持高達+200°C的工作，并可承受長達2μs的短路。值得注意的是，該器件的基準門閾值電壓V(GS(th))為4.2V，確保了精確控制。

特性

• T(vj) = +25℃時V(DSS) = 1200V

• 當T(C) = +100℃時，I(DDC) = 6.2A

• R(DS(on)) = 233.9毫歐， V(GS) = 18V, T(vj) = +25℃

• 極低的開關損耗

• 可過載運行至T(vj) = +200℃

• 抗短路時間為2μs

• 基準門閾值電壓，V(GS(th)) = 4.2V

• 抗寄生導通能力強，可應用0V關斷柵電壓

• 堅固體二極管用于硬整流

• .XT互連技術，具有一流的熱性能

應用程序

• 電動汽車充電

• 在線UPS/工業(yè)UPS

• 太陽能優(yōu)化器

• 字符串逆變器

• 通用驅動器(GPD)

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