英飛凌的碳化硅(SiC) CoolSiC mosfet基于最先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體工藝，經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可實(shí)現(xiàn)應(yīng)用中最低的損耗和最高的運(yùn)行可靠性。分立CoolSiC MOSFET產(chǎn)品組合有650 V, 750 V, 1200 V, 1700 V和2000 V電壓等級(jí)，導(dǎo)通電阻額定值從7 毫歐到1000 毫歐。CoolSiC溝槽技術(shù)可實(shí)現(xiàn)靈活的參數(shù)設(shè)置，以在各自的產(chǎn)品組合中實(shí)現(xiàn)特定于應(yīng)用的功能，例如，門(mén)源電壓、雪崩規(guī)格、短路能力或內(nèi)部體二極管額定電壓 艱難的變換。

第二代CoolSiC 1200 V系列采用d2 PAK-7L (TO-263-7)封裝，適用于工業(yè)應(yīng)用。它建立在一代人的力量之上 在硬交換操作和軟交換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的關(guān)鍵性能指標(biāo)上有重大改進(jìn)的技術(shù)，適用于所有通用 AC/DC、DC/DC和DC/AC級(jí)組合。

REF-DR3KIMBGSIC2MA SiC參考設(shè)計(jì)由兩個(gè)pcb組成，包括驅(qū)動(dòng)電路和用于伺服電機(jī)和驅(qū)動(dòng)器的三相逆變器。優(yōu)點(diǎn)包括高功率密度，無(wú)冷卻風(fēng)扇的被動(dòng)冷卻，以及PCB直徑僅為110毫米的超小占地面積。

CoolSiC G2與G1的比較

• 提高芯片性能:與典型負(fù)載用例相比，功耗降低5%至20%

• 改進(jìn)的。xt封裝互連:耐熱性提高12%，R(th(j-c))

• 優(yōu)秀的R(DS(on))和粒度組合:G2中的8個(gè)毫歐與G1中的30個(gè)毫歐相比，12個(gè)產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了最佳產(chǎn)品選擇

• 過(guò)載操作高達(dá)T(vj) = 200和雪崩穩(wěn)健性在G2

• G2高溫下的最大R(DS(on))

• 魯棒短路額定值:2μs

• 放大最大柵源電壓:- 10v ~ + 23v

• 高可靠性:保持G1驗(yàn)證水平，DPM率非常低

特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)

• 最高效率，減少冷卻努力

• 壽命更長(zhǎng)，可靠性更高

• 高頻操作

• 降低系統(tǒng)成本

• 聯(lián)合包裹

• 儲(chǔ)能系統(tǒng)/太陽(yáng)能

• 電動(dòng)汽車(chē)快速充電

• smp