英飛凌的碳化硅(SiC) CoolSiC mosfet基于最先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體工藝，經(jīng)過優(yōu)化，可實(shí)現(xiàn)應(yīng)用中最低的損耗和最高的運(yùn)行可靠性。分立CoolSiC MOSFET產(chǎn)品組合有650 V, 750 V, 1200 V, 1700 V和2000 V電壓等級，導(dǎo)通電阻額定值從7 毫歐到1000 毫歐。CoolSiC溝槽技術(shù)可實(shí)現(xiàn)靈活的參數(shù)設(shè)置......

onsemi NVHL015N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET采用新技術(shù)，提供卓越的開關(guān)性能和高可靠性。這種SiC MOSFET具有n溝道、高效率、更快的工作頻率、更高的功率密度、更低的EMI和更小的系統(tǒng)尺寸。NVHL015N065SC1 MOSFET具有低ON電阻和緊湊的芯片尺寸，可確保低電容和柵極電荷。該EliteSiC M......

onsemi nvh045n065sc1碳化硅(SiC) mosfet采用EliteSiC技術(shù)，提供卓越的開關(guān)性能。與傳統(tǒng)的硅mosfet相比，onsemi NVHL045N065SC1具有更高的可靠性。mosfet的低ON電阻和緊湊的芯片尺寸導(dǎo)致低電容和柵極電荷，有助于高效率，快速工作頻率，增加功率密度，減少電磁干擾(EMI)，以及更緊......

onsemi nvh025n065sc1碳化硅(SiC) mosfet是EliteSiC 25毫歐， 650V mosfet，提供卓越的開關(guān)性能。與硅相比，onsemi nvh025n065sc1具有更高的可靠性和低導(dǎo)通電阻。mosfet緊湊的芯片尺寸確保了低電容和柵極電荷。系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)包括高效率、快速工作頻率、增加功率密度、減少EMI和減......

onsemi NXH40B120MNQ0全碳化硅（SiC）MOSFET模塊是一款高性能的電力電子器件，以下是對其的詳細(xì)介紹：主要組成：該模塊包含一個(gè)雙升壓級，由兩個(gè)40mΩ/1200V SiC MOSFET和兩個(gè)40A/1200V SiC二極管組成。另外，它還包含兩個(gè)額外的50A/1200V旁路整流器，用于浪涌電流限制。特性與優(yōu)勢：低傳導(dǎo)......

onsemi（安森美）M3S 1200V碳化硅MOSFET的介紹、特性及應(yīng)用一、介紹onsemi（安森美）推出的M3S 1200V碳化硅（SiC）MOSFET是該公司最新一代的碳化硅功率器件，專為提高電動(dòng)汽車（EV）和能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用的效率而設(shè)計(jì)。該系列產(chǎn)品不僅繼承了SiC MOSFET在提高效率、增加功率密度方面的優(yōu)勢，還針對特定應(yīng)用進(jìn)......

意法半導(dǎo)體正式推出的第三代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET，是電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)重要技術(shù)突破，尤其在電動(dòng)汽車和工業(yè)市場應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。以下是對該產(chǎn)品的詳細(xì)分析：一、產(chǎn)品背景與優(yōu)勢1. 產(chǎn)品背景意法半導(dǎo)體作為半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)先企業(yè)，一直致力于推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品升級。第三代STPOWER碳化硅MOSFET的推出，是其對高壓、高功......

Microchip與Mersen合作推出的SiC（碳化硅）電源協(xié)議棧參考設(shè)計(jì)，確實(shí)涉及Microchip為Mersen提供碳化硅MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）和數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)器的支持。以下是對此合作的詳細(xì)解析：一、合作背景與目的背景：電動(dòng)汽車、商業(yè)運(yùn)輸、可再生能源和存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員需要提高性能和成本效率的電源管理解決方案。碳化......

Microchip推出的首款完全可配置的碳化硅MOSFET數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)器，在電力電子領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注。這款柵極驅(qū)動(dòng)器憑借其顯著的性能優(yōu)勢，不僅大幅降低了開關(guān)損耗，還加快了產(chǎn)品的上市時(shí)間，并已正式投入生產(chǎn)。以下是對該產(chǎn)品的詳細(xì)介紹：產(chǎn)品特點(diǎn)完全可配置性：Microchip的這款碳化硅MOSFET數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)器具有高度的可配置性，允許系統(tǒng)設(shè)......

百度芯片業(yè)務(wù)成立獨(dú)立芯片公司的事件，可以從以下幾個(gè)方面進(jìn)行詳細(xì)介紹：一、公司背景與成立百度旗下昆侖芯片業(yè)務(wù)于2021年6月成立獨(dú)立新公司——昆侖芯（北京）科技有限公司。百度芯片首席架構(gòu)師歐陽劍出任昆侖芯片公司CEO。這一舉措標(biāo)志著百度在芯片業(yè)務(wù)上的進(jìn)一步獨(dú)立和專業(yè)化發(fā)展。二、融資情況昆侖芯科技在今年3月（即2021年3月）完成了獨(dú)立融資。......

安森美半導(dǎo)體在APEC 2021（應(yīng)用電力電子會(huì)議）上確實(shí)發(fā)布了新的用于電動(dòng)車充電的完整碳化硅（SiC）MOSFET模塊方案。以下是對該方案的詳細(xì)解讀：一、發(fā)布背景與目的隨著電動(dòng)車市場的不斷增長，對充電基礎(chǔ)設(shè)施的需求也日益迫切。為了滿足駕駛員對快速充電站網(wǎng)絡(luò)的需求，以及緩解“續(xù)航里程焦慮癥”，安森美半導(dǎo)體推出了這一新的碳化硅MOSFET模......

意法半導(dǎo)體發(fā)布的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，確實(shí)可以安全控制碳化硅（SiC）MOSFET。以下是對該產(chǎn)品的詳細(xì)介紹：一、產(chǎn)品概述意法半導(dǎo)體推出的STGAP系列隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。其中，STGAP2SiCS是STGAP系列隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的最新產(chǎn)品，可安全地控制碳化硅（SiC）MOSFET，工作電源......

東芝推出的新款碳化硅（SiC）MOSFET模塊，在提升工業(yè)設(shè)備效率和小型化方面取得了顯著進(jìn)展。以下是對該新款碳化硅MOSFET模塊的詳細(xì)介紹：一、產(chǎn)品背景與特點(diǎn)東芝作為半導(dǎo)體和存儲(chǔ)解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，一直致力于為工業(yè)應(yīng)用提供高性能的功率器件。此次推出的新款碳化硅MOSFET模塊，是東芝在碳化硅技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。該模塊具有低導(dǎo)通電阻......