英飛凌的碳化硅(SiC) CoolSiC mosfet基于最先進的溝槽半導體工藝，經(jīng)過優(yōu)化，可實現(xiàn)應用中最低的損耗和最高的運行可靠性。分立CoolSiC MOSFET產(chǎn)品組合有650 V, 750 V, 1200 V, 1700 V和2000 V電壓等級，導通電阻額定值從7 毫歐到1000 毫歐。CoolSiC溝槽技術可實現(xiàn)靈活的參數(shù)設置，以在各自的產(chǎn)品組合中實現(xiàn)特定于應用的功能，例如，門源電壓、雪崩規(guī)格、短路能力或內(nèi)部體二極管額定電壓 艱難的變換。

第二代CoolSiC 1200 V系列采用d2 PAK-7L (TO-263-7)封裝，適用于工業(yè)應用。它建立在一代人的力量之上 在硬交換操作和軟交換拓撲結構的關鍵性能指標上有重大改進的技術，適用于所有通用 AC/DC、DC/DC和DC/AC級組合。

REF-DR3KIMBGSIC2MA SiC參考設計由兩個pcb組成，包括驅動電路和用于伺服電機和驅動器的三相逆變器。優(yōu)點包括高功率密度，無冷卻風扇的被動冷卻，以及PCB直徑僅為110毫米的超小占地面積。

CoolSiC G2與G1的比較

• 提高芯片性能:與典型負載用例相比，功耗降低5%至20%

• 改進的。xt封裝互連:耐熱性提高12%，R(th(j-c))

• 優(yōu)秀的R(DS(on))和粒度組合:G2中的8個毫歐與G1中的30個毫歐相比，12個產(chǎn)品實現(xiàn)了最佳產(chǎn)品選擇

• 過載操作高達T(vj) = 200和雪崩穩(wěn)健性在G2

• G2高溫下的最大R(DS(on))

• 魯棒短路額定值:2μs

• 放大最大柵源電壓:- 10v ~ + 23v

• 高可靠性:保持G1驗證水平，DPM率非常低

特點和優(yōu)點

• 最高效率，減少冷卻努力

• 壽命更長，可靠性更高

• 高頻操作

• 降低系統(tǒng)成本

• 聯(lián)合包裹

• 儲能系統(tǒng)/太陽能

• 電動汽車快速充電

• smp