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onsemi NVHL015N065SC1碳化硅MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用
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onsemi NVHL015N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET采用新技術(shù)，提供卓越的開關(guān)性能和高可靠性。這種SiC MOSFET具有n溝道、高效率、更快的工作頻率、更高的功率密度、更低的EMI和更小的系統(tǒng)尺寸。NVHL015N065SC1 MOSFET具有低ON電阻和緊湊的芯片尺寸，可確保低電容和柵極電荷。該EliteSiC MOSFET經(jīng)過100% ul測試，并通過AEC - Q101認證。NVHL015N065SC1 MOSFET具有650V漏源電壓和12mohm電阻。典型應(yīng)用包括汽車牽引逆變器，用于EV/HEV的DC/DC轉(zhuǎn)換器和車載充電器。
特性
R (DS ) = 12米歐姆@V (GS) = 18 v
R (DS(上))= 15 毫歐@V (GS) = 15 v
650V漏源電壓
超低柵極電荷(Q(G(t))=283nC)
低電容高速開關(guān)(C(損耗)=430pF)
100%雪崩和UIL測試
通過AEC-Q101認證，具備PPAP能力
鹵化物免費
通過無鉛認證
應(yīng)用程序
車載充電器
用于EV/HEV的汽車DC-DC變換器
汽車牽引逆變器
責(zé)任編輯：David
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