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英飛凌CoolSiC 650V G2 mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
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英飛凌CoolSiC 650V G2 mosfet充分利用碳化硅的性能，實(shí)現(xiàn)更低的能量損耗，從而在功率轉(zhuǎn)換過程中轉(zhuǎn)化為更高的效率。英飛凌CoolSiC 650V G2 mosfet為各種功率半導(dǎo)體應(yīng)用提供了優(yōu)勢，如光伏、儲能、直流電動汽車充電、電機(jī)驅(qū)動和工業(yè)電源。配備CoolSiC G2的電動汽車直流快速充電站的功率損耗比前幾代產(chǎn)品減少了10%，同時(shí)在不影響外形尺寸的情況下實(shí)現(xiàn)了更高的充電容量。
特性
驅(qū)動電壓靈活，兼容雙極驅(qū)動方案
基準(zhǔn)柵極閾值電壓，V(GS(th))= 4.5V
即使在0V關(guān)斷柵極電壓下也能抗寄生導(dǎo)通
超低開關(guān)損耗
堅(jiān)固體二極管在硬整流事件下的工作
.XT互連技術(shù)，具有一流的熱性能
應(yīng)用程序
smp
太陽能光伏逆變器
能量儲存和電池形成
聯(lián)合包裹
電動車充電基礎(chǔ)設(shè)施
馬達(dá)驅(qū)動器
投資組合提供
責(zé)任編輯：David
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