原標題：意法半導體MasterGaN系列新增優(yōu)化的非對稱拓撲產(chǎn)品

意法半導體MasterGaN系列新增的優(yōu)化非對稱拓撲產(chǎn)品是MasterGaN2。以下是對該產(chǎn)品的詳細介紹：

一、產(chǎn)品概述

MasterGaN2是意法半導體基于MasterGaN平臺推出的雙非對稱氮化鎵（GaN）晶體管產(chǎn)品，它提供了適合軟開關和有源整流轉換器拓撲結構的集成GaN解決方案。

二、主要特點

1. 非對稱拓撲結構：

• MasterGaN2采用了雙非對稱GaN晶體管設計，每個晶體管的導通電阻RDS(on)不同，分別為150mΩ和225mΩ，這種設計有助于優(yōu)化電路性能。

2. 集成柵極驅動器：

• 每個晶體管都集成了優(yōu)化的柵極驅動器，使得GaN晶體管的使用變得像普通硅器件一樣便捷易用。

3. 高能效：

• 通過將先進集成技術與GaN固有性能優(yōu)勢相結合，MasterGaN2進一步提升了有源鉗位反激式變換器等拓撲電路的高能效。

4. 小體積和輕量化：

• MasterGaN2的電力系統(tǒng)級封裝（SiP）系列在同一封裝中整合了兩個GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）和配套的高壓柵極驅動器，并內置了所有必要的保護機制。這種集成方案有助于減小適配器和快充充電器的體積和重量。

5. 輸入兼容性：

• MasterGaN2輸入兼容3.3V至15V的邏輯信號，有助于簡化電路設計和物料清單，允許使用更小的電路板，并簡化產(chǎn)品安裝。

6. 高功率密度：

• 該集成方案有助于提高適配器和快充充電器的功率密度，滿足現(xiàn)代電子設備對高功率密度的需求。

7. 內置保護功能：

• MasterGaN2內置了高低邊欠壓鎖定（UVLO）、柵極驅動器互鎖、專用關閉引腳和過熱保護等保護功能，提高了電路的可靠性和安全性。

三、應用領域

MasterGaN2適用于多種應用領域，包括但不限于：

1. 快充充電器：

• GaN技術正在推動USB-PD適配器和智能手機充電器向快充方向發(fā)展。MasterGaN2可使這些充電器縮小體積80%，減重70%，而充電速度是普通硅基解決方案的三倍。

2. 電源管理：

• MasterGaN2的高能效和小體積特性使其成為電源管理系統(tǒng)的理想選擇，有助于提高系統(tǒng)的整體性能和可靠性。

3. 工業(yè)應用：

• 在工業(yè)應用中，MasterGaN2可用于電機驅動、電源轉換等領域，提供高效、可靠的解決方案。

四、總結

意法半導體推出的MasterGaN2是一款針對非對稱拓撲結構進行優(yōu)化的GaN晶體管產(chǎn)品。它具有高能效、小體積、輕量化、高功率密度和內置保護功能等特點，適用于快充充電器、電源管理和工業(yè)應用等領域。MasterGaN2的推出進一步豐富了意法半導體的MasterGaN系列產(chǎn)品線，為用戶提供了更多樣化的選擇。