原標(biāo)題：中微公司發(fā)布雙反應(yīng)臺(tái)電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備Primo Twin－Star（R）

中微公司發(fā)布的雙反應(yīng)臺(tái)電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備Primo Twin-Star（R）是一款先進(jìn)的半導(dǎo)體加工設(shè)備，以下是對(duì)該設(shè)備的詳細(xì)介紹：

一、設(shè)備概述

Primo Twin-Star（R）是中微公司基于其成熟的單臺(tái)反應(yīng)器電感耦合等離子體（ICP）刻蝕技術(shù)和雙臺(tái)反應(yīng)器的Primo平臺(tái)而開發(fā)的新一代刻蝕設(shè)備。該設(shè)備主要用于IC器件前道和后道制程導(dǎo)電/電介質(zhì)膜的刻蝕應(yīng)用，為電介質(zhì)前道/后道制程、多晶硅刻蝕、DTI（深溝槽隔離刻蝕）和BSI刻蝕等提供了高性價(jià)比的刻蝕解決方案。

二、創(chuàng)新設(shè)計(jì)

1. 雙反應(yīng)臺(tái)腔體設(shè)計(jì)：Primo Twin-Star（R）采用了雙反應(yīng)臺(tái)腔體設(shè)計(jì)，這一設(shè)計(jì)提高了設(shè)備的生產(chǎn)效率，使得在同一時(shí)間內(nèi)可以處理更多的晶圓。

2. 低電容耦合3D線圈設(shè)計(jì)：該設(shè)備還采用了低電容耦合3D線圈設(shè)計(jì)，這一設(shè)計(jì)優(yōu)化了等離子體的產(chǎn)生和分布，提高了刻蝕的均勻性和精度。

3. 多區(qū)溫控靜電吸盤（ESC）：通過采用多區(qū)溫控靜電吸盤（ESC），設(shè)備增強(qiáng)了對(duì)關(guān)鍵尺寸均勻性和重復(fù)性的控制，進(jìn)一步提高了刻蝕質(zhì)量。

三、性能特點(diǎn)

1. 高性價(jià)比：與其他同類設(shè)備相比，Primo Twin-Star（R）以更小的占地面積、更低的生產(chǎn)成本和更高的輸出效率，提供了ICP適用的邏輯和存儲(chǔ)芯片的介質(zhì)和導(dǎo)體的各種刻蝕應(yīng)用。

2. 高質(zhì)量輸出：由于該設(shè)備在很多方面采取了和單臺(tái)機(jī)Primo nanova相同或相似的設(shè)計(jì)，在眾多的刻蝕應(yīng)用中，Primo Twin-Star（R）顯示了和單臺(tái)反應(yīng)器相同的刻蝕結(jié)果，給客戶提供了高質(zhì)量、高輸出的解決方案。

3. 廣泛適用性：該設(shè)備不僅適用于邏輯和存儲(chǔ)芯片的介質(zhì)和導(dǎo)體的各種刻蝕應(yīng)用，還可用于功率器件和CMOS圖像傳感器（CIS）的刻蝕應(yīng)用。

四、市場(chǎng)應(yīng)用與反饋

中微公司的Primo Twin-Star（R）刻蝕設(shè)備已收到來自國(guó)內(nèi)領(lǐng)先客戶的訂單。目前，首臺(tái)設(shè)備已交付客戶投入生產(chǎn)，并表現(xiàn)出穩(wěn)定的良率。此外，公司還在進(jìn)行用于不同刻蝕應(yīng)用的多項(xiàng)評(píng)估，以進(jìn)一步優(yōu)化和完善設(shè)備的性能。

綜上所述，中微公司發(fā)布的雙反應(yīng)臺(tái)電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備Primo Twin-Star（R）憑借其創(chuàng)新的設(shè)計(jì)、優(yōu)異的性能和廣泛的市場(chǎng)適用性，在半導(dǎo)體加工領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。