原標(biāo)題：泛林集團(tuán)全新干膜光刻膠技術(shù)突破技術(shù)瓶頸，滿足下一代器件的縮放需求

泛林集團(tuán)全新干膜光刻膠技術(shù)的突破，確實為滿足下一代器件的縮放需求提供了有力的技術(shù)支持。以下是對該技術(shù)的詳細(xì)分析：

一、技術(shù)背景與需求

隨著芯片制造商開始轉(zhuǎn)向更先進(jìn)的技術(shù)節(jié)點，芯片的特征尺寸愈發(fā)精細(xì)，這對光刻膠技術(shù)提出了更高的要求。傳統(tǒng)的光刻膠技術(shù)，如化學(xué)放大光刻膠（CAR），在5nm節(jié)點之后已面臨重大瓶頸，無法滿足更精細(xì)特征的制造需求。因此，業(yè)界迫切需要一種創(chuàng)新的光刻膠解決方案，以平衡EUV光刻技術(shù)的成本和設(shè)計難度，并將其拓展至未來的工藝節(jié)點。

二、技術(shù)突破與創(chuàng)新

泛林集團(tuán)與ASML和imec合作，研發(fā)出了一種完全不同于旋轉(zhuǎn)涂膠的突破性光刻膠技術(shù)——干膜光刻膠技術(shù)。這種技術(shù)通過使用氣相的反應(yīng)前體，能夠制出均勻且一致的薄膜，具有多項顯著優(yōu)勢：

1. 高效光子捕獲：

• 當(dāng)前的EUV光源波長更短，產(chǎn)生的光子數(shù)量成倍減少。而干膜光刻膠技術(shù)的重要特征就是可以通過高密度光敏粒子框架更加有效地捕獲光子，從而提高了光刻效率。

2. 高分辨率：

• 由于采用完全不同于CAR中鏈?zhǔn)椒磻?yīng)的曝光機(jī)制，新技術(shù)的分辨率也更高。在國際光學(xué)工程學(xué)會（SPIE）的先進(jìn)光刻技術(shù)研討會上，展示了利用該技術(shù)在26nm間距上成功實現(xiàn)成像的成果，最佳Z因子小于1x10^-8 mJ nm3，這證明了其高分辨率的能力。

3. 優(yōu)化參數(shù)：

• 干法沉積的一大特點是只需改變沉積和顯影時間就可以改變光刻膠厚度，相比之下，改變旋轉(zhuǎn)涂膠厚度的難度要大得多。使用干式方法，可以同時優(yōu)化干膜厚度、光子吸收、轉(zhuǎn)移刻蝕和底層粘附，從而擺脫必須權(quán)衡線邊緣粗糙度（LER）、敏感度和缺陷/器件良率的難題。

4. 材料純度與敏感度：

• 干膜光刻膠技術(shù)不受粘度、化學(xué)保質(zhì)期等限制因素的影響。由于不再需要添加用來控制粘附性或穩(wěn)定性的添加劑，干法沉積獲得的材料純度更高，因此敏感度也更高，且非常適合之后的干法顯影工藝。

三、技術(shù)優(yōu)勢與應(yīng)用前景

1. 技術(shù)優(yōu)勢：

• 干膜光刻膠技術(shù)打破了RLS折衷關(guān)系（即分辨率、線邊緣粗糙度和敏感度之間的權(quán)衡關(guān)系），實現(xiàn)了參數(shù)的同時優(yōu)化。

• 該技術(shù)具有更高的材料純度和敏感度，以及更長的無塌陷工藝窗口期，有利于減少線條和柱狀圖形的塌陷。

2. 應(yīng)用前景：

• 泛林集團(tuán)的干膜光刻膠和顯影技術(shù)能加速業(yè)界轉(zhuǎn)向滿足未來節(jié)點要求的EUV光刻應(yīng)用。

• 該技術(shù)使得面向高級邏輯和內(nèi)存器件的持續(xù)縮放成為可能，有助于推動半導(dǎo)體行業(yè)的進(jìn)一步發(fā)展。

綜上所述，泛林集團(tuán)的全新干膜光刻膠技術(shù)是一項具有重大突破性的創(chuàng)新技術(shù)，它滿足了下一代器件縮放的需求，為半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。