原標題：三星沖刺3nm GAA制程，代工相關的流程設計工具已推出

三星在沖刺3nm GAA（環(huán)繞閘極）制程方面取得了顯著進展，并且已經推出了與代工相關的流程設計工具。以下是對此的詳細分析：

一、三星3nm GAA制程的進展

1. 量產情況：

• 三星在2022年6月底就已經宣布其3nm GAA制程實現了量產，標志著該公司在先進制程技術上的重要突破。

• 然而，盡管實現了量產，但其良率的提升過程相對緩慢，這導致僅有少數芯片設計廠商采用了三星的3nm GAA工藝來代工一些相對簡單的芯片，如礦機芯片。

2. 技術特點：

• 三星3nm GAA制程采用了全新的環(huán)繞閘極技術，與臺積電采用的鰭式場效電晶體（FinFET）架構的3nm制程技術不同。這種新技術在性能、功耗和面積（PPA）等方面具有顯著優(yōu)勢。

二、代工相關的流程設計工具推出

1. 與新思科技的合作：

• 三星與新思科技（Synopsys）緊密合作，采用了新思科技的Fusion Design Platform，該平臺的物理設計套件（PDK）已在2019年5月發(fā)布，并在后續(xù)通過了流程認證。

• 三星還采用了新思科技的Synopsys DSO.ai EDA套件，成功完成了基于其3nm GAA晶體管的“高性能移動SoC”生產流片。這一合作加速了三星在3nm GAA制程技術上的設計和實施過程。

1. 與Cadence的合作：

• 三星旗下晶圓代工事業(yè)部門與全球電子設計自動化（EDA）巨頭Cadence合作，推出了3nm制程相關開發(fā)工具，這些工具能減少IC設計客戶設計的時間，加速產品設計定案，為后續(xù)的光罩制作和投片生產提供了有力支持。

• Cadence在2021年向三星提供了針對3nm GAA技術的流程設計工具（PDK），這些工具在半導體設計、實施和物理驗證方面提供了比現有程序更快的解決方案。

三、三星在3nm GAA制程中的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)

1. 優(yōu)勢：

• 采用全新的GAA技術，具有顯著的性能和功耗優(yōu)勢。

• 與全球領先的EDA廠商合作，擁有先進的流程設計工具。

• 在數據中心、網絡系統、5G等關鍵領域加快技術合作，有助于推動其技術的廣泛應用。

2. 挑戰(zhàn)：

• 良率提升緩慢，影響了部分客戶的采用意愿。

• 臺積電在3nm制程領域也具有強大的競爭力，且客戶群遠多于三星。

• GAA技術的普及和接受度尚需時間，市場反饋具有不確定性。

綜上所述，三星在沖刺3nm GAA制程方面取得了重要進展，但仍需面對良率提升、市場競爭等挑戰(zhàn)。隨著技術的不斷成熟和市場的逐步接受，三星有望在先進制程領域占據更重要的地位。