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GAA架構(gòu)
GAA架構(gòu)
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GAA（Gate-all-around）架構(gòu)是周邊環(huán)繞著Gate 的FinFET 架構(gòu)。照專家觀點(diǎn)，GAA 架構(gòu)的晶體管提供比FinFET 更好的靜電特性，可滿足某些柵極寬度的需求。這主要表現(xiàn)在同等尺寸結(jié)構(gòu)下，GAA 的溝道控制能力強(qiáng)化，尺寸進(jìn)一步微縮更有可能性。相較傳統(tǒng)FinFET 溝道僅3 面被柵極包覆，GAA 若以納米線溝道設(shè)計(jì)為例，溝道整個(gè)外輪廓都被柵極完全包裹，代表柵極對(duì)溝道的控制性更好。

三星沖刺3nm GAA制程，代工相關(guān)的流程設(shè)計(jì)工具已推出
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三星在沖刺3nm GAA（環(huán)繞閘極）制程方面取得了顯著進(jìn)展，并且已經(jīng)推出了與代工相關(guān)的流程設(shè)計(jì)工具。以下是對(duì)此的詳細(xì)分析：一、三星3nm GAA制程的進(jìn)展量產(chǎn)情況：三星在2022年6月底就已經(jīng)宣布其3nm GAA制程實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)，標(biāo)志著該公司在先進(jìn)制程技術(shù)上的重要突破。然而，盡管實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)，但其良率的提升過(guò)程相對(duì)緩慢，這導(dǎo)致僅有少數(shù)芯片設(shè)計(jì)......
網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng) 數(shù)據(jù)中心 GAA架...
2021-09-13
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