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安集科技參加集成電路超級(jí)工藝技術(shù)Workshop

來源: 中電網(wǎng)
2021-11-24
類別:業(yè)界動(dòng)態(tài)
eye 13
文章創(chuàng)建人 拍明

原標(biāo)題:安集科技參加集成電路超級(jí)工藝技術(shù)Workshop

安集科技參加集成電路超級(jí)工藝技術(shù)Workshop是一次重要的行業(yè)交流活動(dòng),以下是關(guān)于此次活動(dòng)的詳細(xì)回答:

一、活動(dòng)背景與目的

隨著半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)的不斷演進(jìn),晶圓表面的潔凈要求也越來越嚴(yán)苛。晶圓表面微污染雜質(zhì)是影響芯片良率和芯片產(chǎn)品性能的關(guān)鍵因素。為了應(yīng)對(duì)高階工藝對(duì)微污染控制提出的新挑戰(zhàn)和新需求,集成電路材料產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟(以下簡(jiǎn)稱“材料聯(lián)盟”)與科百特過濾器材有限公司(以下簡(jiǎn)稱“科百特”)聯(lián)合舉辦了此次集成電路超凈工藝技術(shù)Workshop?;顒?dòng)的目的在于探討新技術(shù)要求下的潔凈控制,加強(qiáng)產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)之間的合作與交流。

二、活動(dòng)概況

  • 時(shí)間:2021年11月19日

  • 地點(diǎn):杭州蕭山區(qū)

  • 形式:線上線下同時(shí)進(jìn)行

  • 參與人員:來自集成電路制造、硅材料、工藝化學(xué)品、光刻膠、CMP材料等產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)的高層、技術(shù)人員及研究院所的學(xué)者共計(jì)約80余人

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三、安集科技參與情況

在Workshop期間,安集微電子科技(上海)股份有限公司(簡(jiǎn)稱“安集科技”)積極參與并發(fā)揮了重要作用。具體表現(xiàn)為:

  • 演講報(bào)告:安集科技產(chǎn)品應(yīng)用副總監(jiān)王勝利應(yīng)邀發(fā)表題為《先進(jìn)制程刻蝕后清洗技術(shù)》的演講報(bào)告。他主要分享了邏輯器件先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的后段干法刻蝕殘留物的清洗工藝技術(shù),特別是有氮化鈦硬掩膜的濕法去除要求的清洗技術(shù)指標(biāo)和實(shí)際數(shù)據(jù)。

  • 技術(shù)展望:在演講中,王勝利還探討了下一世代的半導(dǎo)體工藝技術(shù)展望,包括半導(dǎo)體工藝中新材料和新架構(gòu)對(duì)功能性型化學(xué)品提出的挑戰(zhàn)與機(jī)遇。他指出了在邏輯器件5nm以后世代中GAA結(jié)構(gòu)的出現(xiàn)、Ru及Air Gap的引入,以及在3D NAND器件中更高層數(shù)的堆疊帶來的極高深寬比和Molly的引入等帶來的新機(jī)遇和挑戰(zhàn)。

  • 企業(yè)實(shí)力展示:王勝利表示,過去的十多年以來,安集科技的功能性濕電子化學(xué)品已經(jīng)在大批量穩(wěn)定供應(yīng)國(guó)內(nèi)外的不同客戶,其應(yīng)用范圍集中于中后道工藝,包括鋁、銅的后道互聯(lián)及晶圓級(jí)封裝領(lǐng)域。安集科技始終專注于CMP拋光液及功能性濕電子化學(xué)品的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化,經(jīng)過長(zhǎng)時(shí)間的積累沉淀,具備成熟而強(qiáng)大的研發(fā)、生產(chǎn)、技術(shù)支持及質(zhì)量管控能力。

四、活動(dòng)意義

此次Workshop的成功舉辦,不僅為集成電路材料產(chǎn)業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新提供了交流平臺(tái),也展示了安集科技在功能性濕電子化學(xué)品領(lǐng)域的領(lǐng)先地位和強(qiáng)大實(shí)力。通過分享最新技術(shù)成果和展望未來發(fā)展趨勢(shì),安集科技進(jìn)一步鞏固了與產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)的合作關(guān)系,為推動(dòng)集成電路產(chǎn)業(yè)的持續(xù)健康發(fā)展做出了積極貢獻(xiàn)。

綜上所述,安集科技參加集成電路超級(jí)工藝技術(shù)Workshop是一次富有成效的行業(yè)交流活動(dòng),展示了公司在技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展方面的積極態(tài)度和卓越能力。


責(zé)任編輯:David

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