原標(biāo)題：肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）與肖特基接觸(schottky contacts)

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的驅(qū)動(dòng)電路有多種類(lèi)型，每種類(lèi)型都有其特定的應(yīng)用場(chǎng)景和優(yōu)勢(shì)。以下是幾種常見(jiàn)的MOS管驅(qū)動(dòng)電路類(lèi)型：

1. 電源IC直接驅(qū)動(dòng)

特點(diǎn)：

• 這是最簡(jiǎn)單、最常見(jiàn)的驅(qū)動(dòng)方式。

• 需要注意電源IC手冊(cè)中的最大驅(qū)動(dòng)峰值電流，因?yàn)椴煌酒尿?qū)動(dòng)能力不同。

• 還需要了解MOS管的寄生電容，寄生電容越小越好。如果寄生電容較大，MOS管導(dǎo)通所需的能量也較大，若電源IC的驅(qū)動(dòng)峰值電流不足，則MOS管導(dǎo)通速度會(huì)變慢。

• 在進(jìn)行PCB布局時(shí)，需要優(yōu)化布局以減少寄生電感和消除噪音，例如縮短IC至MOSFET的柵極走線長(zhǎng)度，增加走線寬度，將驅(qū)動(dòng)電阻放置在離MOSFET柵極較近的位置等。

適用場(chǎng)景：

• 適用于驅(qū)動(dòng)能力要求不高、寄生電容較小的場(chǎng)景。

2. 推挽驅(qū)動(dòng)

特點(diǎn)：

• 當(dāng)電源IC驅(qū)動(dòng)能力不足時(shí)，可采用推挽驅(qū)動(dòng)。

• 這種驅(qū)動(dòng)電路能夠提升電流提供能力，迅速完成對(duì)柵極輸入電容電荷的充電過(guò)程。

• 增加了導(dǎo)通所需的時(shí)間，但減少了關(guān)斷時(shí)間，使開(kāi)關(guān)管能快速開(kāi)通且避免上升沿的高頻振蕩。

• 在關(guān)斷瞬間，驅(qū)動(dòng)電路能提供低阻抗通路，使MOSFET的柵源極間電容電壓快速泄放，保證開(kāi)關(guān)管快速關(guān)斷。

適用場(chǎng)景：

• 適用于需要較大驅(qū)動(dòng)電流、快速開(kāi)關(guān)響應(yīng)的場(chǎng)景。

3. 加速關(guān)斷驅(qū)動(dòng)

特點(diǎn)：

• 在驅(qū)動(dòng)電阻上并聯(lián)電阻和二極管（常用快恢復(fù)二極管），以加速關(guān)斷過(guò)程。

• 減少了關(guān)斷時(shí)間和關(guān)斷損耗。

• 并聯(lián)的電阻還起到防止關(guān)斷時(shí)電流過(guò)大、保護(hù)電源IC的作用。

• PNP加速關(guān)斷電路是應(yīng)用較多的電路，可以實(shí)現(xiàn)瞬間的柵源短路，達(dá)到最短的放電時(shí)間。

適用場(chǎng)景：

• 特別適用于對(duì)關(guān)斷時(shí)間有嚴(yán)格要求的場(chǎng)景。

4. 變壓器驅(qū)動(dòng)

特點(diǎn)：

• 常用于滿足高端MOS管的驅(qū)動(dòng)需求，也可用于安全隔離。

• 使用變壓器可以隔離電源和驅(qū)動(dòng)電路，提高系統(tǒng)的安全性和可靠性。

• 變壓器驅(qū)動(dòng)還可以提供較大的驅(qū)動(dòng)電壓和電流，滿足高端MOS管的驅(qū)動(dòng)要求。

• 耦合電容為磁化的磁芯提供復(fù)位電壓，防止磁飽和；與電容串聯(lián)的電阻防止占空比突然變化形成LC振蕩。

適用場(chǎng)景：

• 適用于高電壓、大電流、需要隔離的應(yīng)用場(chǎng)景。

總結(jié)

MOS管驅(qū)動(dòng)電路的類(lèi)型多樣，每種類(lèi)型都有其特點(diǎn)和適用場(chǎng)景。在選擇驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，需要根據(jù)MOS管的特性、應(yīng)用需求以及系統(tǒng)要求來(lái)綜合考慮。同時(shí)，還需要注意驅(qū)動(dòng)電路中的關(guān)鍵參數(shù)和元件選擇，以確保驅(qū)動(dòng)電路的穩(wěn)定性和可靠性。