肖特基勢(shì)壘二極管介紹 常見(jiàn)型號(hào) 工作原理 特點(diǎn) 應(yīng)用 參數(shù) 類型肖特基勢(shì)壘二極管是一種特殊類型的二極管，也稱為肖特基二極管（Schottky diode）。它由金屬與半導(dǎo)體的異質(zhì)結(jié)構(gòu)組成，其中金屬為陽(yáng)極（anode），半導(dǎo)體為陰極（cathode）。下面來(lái)介紹一些常見(jiàn)的肖特基二極管型號(hào)、工作原理、特點(diǎn)、應(yīng)用、參數(shù)和類型。常見(jiàn)型號(hào)1N581......

SiC肖特基勢(shì)壘二極管，也被稱為碳化硅肖特基二極管或SiC碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管（SiC SBD），是利用碳化硅（SiC）這種化合物半導(dǎo)體材料制作的二極管。它的基本原理是利用金屬與N型半導(dǎo)體之間形成的接觸勢(shì)壘具有整流特性。碳化硅肖特基二極管采用碳化硅材料制成，其結(jié)構(gòu)與普通PN結(jié)二極管相似，但沒(méi)有PN結(jié)。它由金屬反型接觸和一個(gè)P型碳化硅半導(dǎo)......

摘要肖特基勢(shì)壘二極管是一種重要的電子器件，具有獨(dú)特的性能和應(yīng)用。本文將從四個(gè)方面對(duì)肖特基勢(shì)壘二極管進(jìn)行詳細(xì)闡述，包括原理、結(jié)構(gòu)、工作原理和應(yīng)用。通過(guò)深入了解肖特基勢(shì)壘二極管的各個(gè)方面，可以更好地理解其在電子工程中的作用。一、原理肖特基勢(shì)壘二極管是由金屬與半導(dǎo)體之間形成的PN結(jié)構(gòu)組成。它利用了金屬與半導(dǎo)體之間形成的Schottky接觸所產(chǎn)生......

　　PANJIT的第1.5代碳化硅(SiC)肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)是為電氣工程師設(shè)計(jì)具有更低散熱的高性能系統(tǒng)而開(kāi)發(fā)的?？焖倩謴?fù)二極管(FRD)在關(guān)斷操作時(shí)有一些反向恢復(fù)電流，在主開(kāi)關(guān)打開(kāi)時(shí)產(chǎn)生額外的開(kāi)關(guān)損失。相比之下，肖特基勢(shì)壘二極管沒(méi)有反向恢復(fù)電流，因此它可以在更高的開(kāi)關(guān)頻率下使用，但它的缺點(diǎn)是由于更高的漏電而導(dǎo)致較低的擊穿電壓。S......

　　什么是肖特基勢(shì)壘二極管?肖特基勢(shì)壘二極管的工作原理?　　肖特基勢(shì)壘二極管(Schottky Barrier Diode)是一種基于肖特基勢(shì)壘原理的半導(dǎo)體二極管，它的特點(diǎn)是在導(dǎo)電方面比傳統(tǒng)二極管表現(xiàn)更好。肖特基二極管由金屬和半導(dǎo)體材料組成，它的 PN 結(jié)部分被取代為金屬與半導(dǎo)體材料之間的勢(shì)壘。因此，肖特基二極管具有很快的開(kāi)關(guān)速度和較......

　　Diodes 的新型 SiC 肖特基勢(shì)壘二極管包括 DSCxxA065 系列，包括 11 款額定電壓為 650V (4A、6A、8A 和 10A) 的產(chǎn)品，以及 DSCxx120 系列，包括 8 款額定電壓為 1.2kV (2A、5A 和 10A) 的產(chǎn)品?！　iodes Inc. 發(fā)布了首款碳化硅 (SiC) 肖特基勢(shì)壘二極管 ......

ROHM Semiconductor（羅姆半導(dǎo)體）推出的RGWxx65C系列是一款內(nèi)置SiC（碳化硅）肖特基勢(shì)壘二極管（SiC SBD）的混合IGBT（Hybrid IGBT），旨在通過(guò)降低損耗和提高效率，為車載和工業(yè)設(shè)備提供更加高效和經(jīng)濟(jì)的電源解決方案。特性低損耗：RGWxx65C系列在IGBT的反饋單元（續(xù)流二極管）中采用了ROHM的......

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的驅(qū)動(dòng)電路有多種類型，每種類型都有其特定的應(yīng)用場(chǎng)景和優(yōu)勢(shì)。以下是幾種常見(jiàn)的MOS管驅(qū)動(dòng)電路類型：1. 電源IC直接驅(qū)動(dòng)特點(diǎn)：這是最簡(jiǎn)單、最常見(jiàn)的驅(qū)動(dòng)方式。需要注意電源IC手冊(cè)中的最大驅(qū)動(dòng)峰值電流，因......

新型Littelfuse 1700 V碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管確實(shí)提供了更快的開(kāi)關(guān)速度和更高的效率，這一特點(diǎn)使其在多個(gè)高功率電子應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢(shì)。以下是對(duì)該產(chǎn)品的詳細(xì)解析：一、產(chǎn)品特點(diǎn)更快的開(kāi)關(guān)速度：碳化硅材料的應(yīng)用使得這款二極管具有極快的開(kāi)關(guān)速度，相比傳統(tǒng)硅基二極管，其切換損耗顯著減少，從而優(yōu)化了整體系統(tǒng)效率。更高的效率：新型Litte......

Littelfuse推出的1700V碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管（SiC SBD）確實(shí)提供了更快的開(kāi)關(guān)速度和更高的效率，這一優(yōu)勢(shì)主要得益于碳化硅材料的卓越性能。以下是關(guān)于該產(chǎn)品的詳細(xì)分析：一、產(chǎn)品特點(diǎn)更快的開(kāi)關(guān)速度：碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管具有極快的開(kāi)關(guān)速度，這主要得益于碳化硅材料的高電子遷移率和低介電常數(shù)。這些特性使得二極管能夠在高頻、高速下穩(wěn)......

在車載市場(chǎng)中，小型高效肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）“RBR/RBQ系列”產(chǎn)品陣容的進(jìn)一步壯大，體現(xiàn)了制造商ROHM在半導(dǎo)體領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新和卓越貢獻(xiàn)。以下是對(duì)該系列產(chǎn)品的詳細(xì)分析：一、產(chǎn)品陣容的擴(kuò)大新增產(chǎn)品：ROHM針對(duì)RBR和RBQ系列，分別新增了12款產(chǎn)品，使得這兩個(gè)系列的產(chǎn)品總數(shù)達(dá)到了178款。這一舉措顯著增強(qiáng)了ROHM在車載市場(chǎng)中的競(jìng)......

Microchip Technology Inc.（美國(guó)微芯科技公司）推出的首款通過(guò)航空航天認(rèn)證的無(wú)基座電源模塊產(chǎn)品系列，顯著提高了飛機(jī)電氣系統(tǒng)的效率。以下是該產(chǎn)品系列的詳細(xì)介紹及其如何提高飛機(jī)電氣系統(tǒng)效率的分析：產(chǎn)品系列概述Microchip與歐盟委員會(huì)(EC)和行業(yè)聯(lián)盟的聯(lián)合機(jī)構(gòu)Clean Sky共同開(kāi)發(fā)了BL1、BL2和BL3系列無(wú)......

微半導(dǎo)體/微芯片碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管（碳化硅肖特基二極管，Silicon Carbide Schottky Barrier Diode）是一種高性能的半導(dǎo)體器件，它結(jié)合了碳化硅材料的優(yōu)異特性與肖特基勢(shì)壘二極管的獨(dú)特工作原理，展現(xiàn)出卓越的性能和廣泛的應(yīng)用前景。以下是對(duì)其介紹、特性及應(yīng)用的詳細(xì)分析：一、介紹碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管是通過(guò)金屬與......

羅姆半導(dǎo)體（ROHM Semiconductor）生產(chǎn)的汽車肖特基勢(shì)壘二極管（Schottky Barrier Diode，SBD）在汽車電子領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。以下是對(duì)其的詳細(xì)介紹、特性及應(yīng)用分析：一、介紹羅姆半導(dǎo)體的汽車肖特基勢(shì)壘二極管是利用金屬和半導(dǎo)體接合產(chǎn)生的肖特基勢(shì)壘效應(yīng)制成的二極管。與傳統(tǒng)的PN結(jié)二極管相比，肖特基勢(shì)壘二極管具......