原標(biāo)題：Soitec SmartSiC 晶圓加速 SiC 在電動(dòng)汽車(chē)中的采用

Soitec的SmartSiC晶圓技術(shù)正在加速碳化硅（SiC）在電動(dòng)汽車(chē)中的采用。以下是對(duì)該技術(shù)的詳細(xì)解析：

1. 技術(shù)背景與優(yōu)勢(shì)：

• SiC是一種寬帶隙半導(dǎo)體，被視為電動(dòng)汽車(chē)的技術(shù)加速器。它可以提高電子系統(tǒng)的功率密度，同時(shí)有助于減小汽車(chē)的整體尺寸、重量和成本[1]。

• SmartSiC是Soitec的專(zhuān)有技術(shù)，基于其專(zhuān)有的SmartCut工藝改編而來(lái)，該技術(shù)將非常薄的高質(zhì)量SiC層粘合到電阻率非常低的多晶硅晶片上[1]。

• 與傳統(tǒng)的塊狀SiC相比，SmartSiC襯底具有更高的供體晶圓可重復(fù)使用性、更高的產(chǎn)量和更小的芯片尺寸，從而實(shí)現(xiàn)更高水平的性能和能源效率[1]。

2. 市場(chǎng)需求與應(yīng)用：

• 隨著電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的快速發(fā)展，對(duì)碳化硅襯底的需求也經(jīng)歷了巨大的增長(zhǎng)。這主要是因?yàn)镾iC解決方案可以帶來(lái)約5-10%的效率提升，在電動(dòng)汽車(chē)的逆變器中采用SiC可以使得更多的電力被輸送到電機(jī)，減少在直流-交流電力轉(zhuǎn)換過(guò)程中的浪費(fèi)[2]。

• 鑒于SiC襯底的稀缺性和成本問(wèn)題，Soitec的SmartSiC產(chǎn)品成為了市場(chǎng)上討論的熱點(diǎn)，其通過(guò)高效重復(fù)利用單晶SiC供體，實(shí)現(xiàn)了200mm晶圓的環(huán)保、高效生產(chǎn)，顯著提升了生產(chǎn)良率和功率密度[3]。

1. 環(huán)境影響與可持續(xù)性：

• SmartSiC技術(shù)還體現(xiàn)了環(huán)保理念。每片SmartSiC晶圓可以減少高達(dá)70%的碳排放量，使其更為環(huán)保[4]。

• 通過(guò)重復(fù)利用稀缺的200mm單晶供體，SmartSiC技術(shù)有助于這些大尺寸襯底的快速落地應(yīng)用，并促進(jìn)市場(chǎng)的增長(zhǎng)[4]。

2. 產(chǎn)能與市場(chǎng)布局：

• Soitec通過(guò)收購(gòu)NovaSiC增強(qiáng)了SiC晶圓的生產(chǎn)能力，并推進(jìn)了150mm和200mm生產(chǎn)線(xiàn)的建設(shè)。預(yù)計(jì)到2030年，其年產(chǎn)能將達(dá)到每年100萬(wàn)片，其中200mm晶圓將起到關(guān)鍵作用，優(yōu)化資源利用并加速市場(chǎng)應(yīng)用步伐[3]。

綜上所述，Soitec的SmartSiC晶圓技術(shù)不僅提升了資源利用率和能效，還為電動(dòng)汽車(chē)的高效發(fā)展提供了強(qiáng)有力的支撐，有望推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)行業(yè)邁向更綠色、更高效的發(fā)展階段[3]。