德州儀器LM74722-Q1理想二極管控制器的介紹、特性、及應(yīng)用


德州儀器LM74722-Q1理想二極管控制器驅(qū)動(dòng)和控制外部背對(duì)背n溝道m(xù)osfet,以模擬具有電源路徑ON和OFF控制和過壓保護(hù)的理想二極管整流器。3V至65V的寬輸入電源允許保護(hù)和控制12V和24V汽車電池供電的ecu。該設(shè)備可以保護(hù)和承受負(fù)電源電壓低至-65V的負(fù)載。集成的理想二極管控制器(GATE)驅(qū)動(dòng)第一個(gè)MOSFET,以取代肖特基二極管,用于反向輸入保護(hù)和輸出電壓保持。具有快速on和OFF比較器的強(qiáng)大升壓調(diào)節(jié)器可確保在汽車測(cè)試期間(例如ISO16750或LV124)穩(wěn)健高效的MOSFET開關(guān)性能,其中ECU受到輸入短中斷,交流疊加輸入信號(hào)高達(dá)200kHz頻率。運(yùn)行中的德州儀器LM74722-Q1具有35 μ A(最大)的低靜態(tài)電流,可實(shí)現(xiàn)始終開系統(tǒng)設(shè)計(jì)。在電源通路中有第二個(gè)MOSFET,該器件允許使用EN引腳進(jìn)行負(fù)載斷開控制。靜態(tài)電流降低到3.3μA(最大),EN低。使用OV引腳,該器件具有可調(diào)過壓截止或過壓鉗保護(hù)。
特性
AEC-Q100合格,結(jié)果如下
設(shè)備溫度等級(jí)1(環(huán)境工作溫度范圍-40℃~ +125℃)
設(shè)備HBM ESD分類等級(jí)2
器件CDM ESD分類等級(jí)C4B
3V至65V輸入范圍
反向輸入保護(hù)低至-65V
工作時(shí)低靜態(tài)電流35μA(最大)
3.3μA(最大)關(guān)機(jī)電流(EN = Low)
理想的二極管工作與13mV的A到C正向壓降調(diào)節(jié)
驅(qū)動(dòng)外部背靠背n溝道m(xù)osfet
集成30mA升壓調(diào)節(jié)器
有源整流高達(dá)200kHz
0.5μs快速響應(yīng)反向電流阻斷
0.72μs快進(jìn)GATE turn ON延遲
可調(diào)過電壓保護(hù)
符合汽車ISO7637瞬態(tài)要求,具有合適的TVS二極管
提供節(jié)省空間的12引腳WSON封裝
應(yīng)用程序
汽車電池保護(hù)
ADAS域控制器
高級(jí)音頻放大器
單位負(fù)責(zé)人
功能框圖
責(zé)任編輯:David
【免責(zé)聲明】
1、本文內(nèi)容、數(shù)據(jù)、圖表等來源于網(wǎng)絡(luò)引用或其他公開資料,版權(quán)歸屬原作者、原發(fā)表出處。若版權(quán)所有方對(duì)本文的引用持有異議,請(qǐng)聯(lián)系拍明芯城(marketing@iczoom.com),本方將及時(shí)處理。
2、本文的引用僅供讀者交流學(xué)習(xí)使用,不涉及商業(yè)目的。
3、本文內(nèi)容僅代表作者觀點(diǎn),拍明芯城不對(duì)內(nèi)容的準(zhǔn)確性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保證。讀者閱讀本文后做出的決定或行為,是基于自主意愿和獨(dú)立判斷做出的,請(qǐng)讀者明確相關(guān)結(jié)果。
4、如需轉(zhuǎn)載本方擁有版權(quán)的文章,請(qǐng)聯(lián)系拍明芯城(marketing@iczoom.com)注明“轉(zhuǎn)載原因”。未經(jīng)允許私自轉(zhuǎn)載拍明芯城將保留追究其法律責(zé)任的權(quán)利。
拍明芯城擁有對(duì)此聲明的最終解釋權(quán)。