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onsemi NVMYS4D5N04C單n溝道功率mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
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onsemi NVMYS4D5N04C單n溝道功率mosfet專為汽車應(yīng)用而設(shè)計(jì)，采用5mm x 6mm LFPAK封裝。onsemi NVMYS4D5N04C實(shí)現(xiàn)了緊湊高效的設(shè)計(jì)，同時(shí)確保了高熱性能。mosfet通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證，并具備PPAP能力，可用于需要增強(qiáng)板級(jí)可靠性的汽車應(yīng)用。
特性
低R (DS(上))
低QG和電容
通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證，具備PPAP能力
通過(guò)無(wú)鉛認(rèn)證
應(yīng)用程序
電池反保護(hù)
開(kāi)關(guān)電源
電源開(kāi)關(guān)
高端的司機(jī)
下部的司機(jī)
H-bridges
應(yīng)用電路圖
責(zé)任編輯：David
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