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onsemi NVMFS024N06C單n溝道功率mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
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onsemi NVMFS024N06C單n溝道功率mosfet具有緊湊的設(shè)計(jì)，占地面積小，為5mm x 6mm。onsemi NVMFS024N06C mosfet是空間高效應(yīng)用的理想選擇，具有低R(DS(on))。mosfet最大限度地減少傳導(dǎo)損耗，確保高效的電源管理。此外，低QG和電容有助于最大限度地減少驅(qū)動(dòng)器損耗。
特性
低QG和電容
低R (DS(上))
占地面積小(5mm x 6mm)
通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證，具備PPAP能力
不含鉛，不含鹵素/ bfr，符合rohs標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用程序
電動(dòng)工具
電池驅(qū)動(dòng)的真空吸塵器
無(wú)人機(jī)/無(wú)人駕駛飛機(jī)
材料處理
BMS /存儲(chǔ)
家庭自動(dòng)化。
應(yīng)用電路圖
責(zé)任編輯：David
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