產(chǎn)品分類
英飛凌完善SiC MOSFET溝槽技術 200V CoolSiC G2 MOSFET
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與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌的 650V 和 1200V CoolSiC G2 MOSFET 將存儲能量和充電量提高了 20%。第二代 CoolSiC 溝槽 MOSFET 繼續(xù)利用碳化硅的性能屬性，有助于減少功率轉(zhuǎn)換過程中的能量損耗并提高效率。
CoolSiC G2 對硬開關操作和軟開關拓撲的關鍵品質(zhì)因數(shù)進行了改進。這些器件的快速開關能力提高了 30% 以上，熱性能比以前的器件提高了 12%。
CoolSiC G2 MOSFET 的大量產(chǎn)品組合適用于 AC/DC、DC/DC 和 DC/AC 級的所有常見組合。這些低導通電阻 SiC MOSFET 可用于光伏逆變器、儲能系統(tǒng)、電動汽車充電、電源和電機驅(qū)動。
責任編輯：David
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