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SemiQ GCMX 1200V SiC MOSFET半橋模塊(低開(kāi)關(guān)損耗)的介紹、特性、及應(yīng)用
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SemiQ GCMX 1200V SiC MOSFET半橋模塊提供低開(kāi)關(guān)損耗，低結(jié)殼熱阻，非常堅(jiān)固，易于安裝。這些模塊直接安裝在散熱器(隔離封裝)，并包括一個(gè)開(kāi)爾文參考穩(wěn)定運(yùn)行。所有部件都經(jīng)過(guò)嚴(yán)格測(cè)試，可承受1350V以上的電壓。這些模塊的突出特點(diǎn)是穩(wěn)健的1200V漏源電壓。GCMX半橋模塊工作在175°C結(jié)溫下，符合rohs標(biāo)準(zhǔn)。典型應(yīng)用包括光伏逆變器、電池充電器、儲(chǔ)能系統(tǒng)和高壓dc - dc轉(zhuǎn)換器。
特性
高速開(kāi)關(guān)SiC mosfet
可靠體二極管
所有部件均測(cè)試到1350V以上
直接安裝到散熱器上(隔離封裝)
175°C結(jié)溫
穩(wěn)定運(yùn)行的開(kāi)爾文參考值
低開(kāi)關(guān)損耗
低結(jié)殼熱阻
非常堅(jiān)固耐用，易于安裝
通過(guò)無(wú)鉛認(rèn)證
應(yīng)用程序
光伏逆變器
電池充電器
儲(chǔ)能系統(tǒng)
高壓dc - dc變換器
責(zé)任編輯：David
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