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如何將 SiC MOSFET 導(dǎo)入設(shè)計(jì)以提高電動(dòng)汽車牽引逆變器的效率

來(lái)源: digikey
2021-09-27
類別:設(shè)計(jì)應(yīng)用
eye 53
文章創(chuàng)建人 Steven Keeping

原標(biāo)題:如何將 SiC MOSFET 導(dǎo)入設(shè)計(jì)以提高電動(dòng)汽車牽引逆變器的效率

將SiC MOSFET導(dǎo)入電動(dòng)汽車牽引逆變器的設(shè)計(jì)以提高效率,可以通過(guò)以下幾個(gè)關(guān)鍵步驟和考慮因素來(lái)實(shí)現(xiàn):

一、選擇合適的SiC MOSFET

  1. 額定電壓和電流:根據(jù)電動(dòng)汽車牽引逆變器的需求,選擇合適的額定電壓和電流的SiC MOSFET。例如,對(duì)于800V電池系統(tǒng)的車輛,需要選擇額定電壓為900至1200伏的SiC MOSFET。

  2. 開(kāi)關(guān)性能:SiC MOSFET具有更快的開(kāi)關(guān)速度,這有助于減少開(kāi)關(guān)損耗。選擇具有低RDS(ON)(導(dǎo)通電阻)和高開(kāi)關(guān)速度的SiC MOSFET,可以進(jìn)一步提高效率。

  3. 熱性能:SiC MOSFET具有較高的結(jié)溫能力,能夠在更高的溫度下工作。這有助于減少熱管理系統(tǒng)的復(fù)雜性,并可能提高逆變器的整體效率。

二、優(yōu)化柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

  1. 柵極驅(qū)動(dòng)電壓:SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電壓需要足夠高以確保低RDS(ON),但過(guò)高的柵極電壓可能會(huì)增加開(kāi)關(guān)損耗。因此,需要優(yōu)化柵極驅(qū)動(dòng)電壓,以在RDS(ON)和開(kāi)關(guān)損耗之間找到最佳平衡點(diǎn)。

  2. 實(shí)時(shí)可變柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度:通過(guò)實(shí)時(shí)調(diào)整柵極驅(qū)動(dòng)電流強(qiáng)度,可以在不同電池電量狀態(tài)下優(yōu)化SiC MOSFET的開(kāi)關(guān)性能。例如,在電池電量較高時(shí)采用較低的柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度以減少過(guò)沖,在電池電量較低時(shí)采用較高的柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度以降低開(kāi)關(guān)損耗。

  3. 柵極驅(qū)動(dòng)電路保護(hù):設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動(dòng)電路時(shí),需要考慮過(guò)流保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)等安全措施,以確保SiC MOSFET在異常情況下能夠安全關(guān)斷。

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三、優(yōu)化逆變器整體設(shè)計(jì)

  1. 熱管理:由于SiC MOSFET具有較高的結(jié)溫能力,但仍然需要有效的熱管理來(lái)確保長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。優(yōu)化逆變器的散熱設(shè)計(jì),如采用雙面冷卻集成技術(shù),可以顯著降低熱阻并提高散熱效率。

  2. 開(kāi)關(guān)頻率:提高逆變器的開(kāi)關(guān)頻率可以產(chǎn)生更理想的正弦曲線波形,降低電機(jī)內(nèi)的鐵損。SiC MOSFET的高開(kāi)關(guān)速度使得這一優(yōu)化成為可能。

  3. 雙向電力傳輸:在再生制動(dòng)期間,逆變器需要能夠控制開(kāi)關(guān)以允許電能流回電池內(nèi)。SiC MOSFET的第三象限導(dǎo)電特性使得同步整流成為可能,從而保持非常低的損耗。

四、測(cè)試和驗(yàn)證

  1. 雙脈沖測(cè)試(DPT):使用雙脈沖測(cè)試來(lái)評(píng)估SiC MOSFET在逆變器中的開(kāi)關(guān)性能。通過(guò)改變開(kāi)關(guān)時(shí)間,可以控制和測(cè)量工作條件下的SiC開(kāi)啟和關(guān)斷波形,從而評(píng)估效率和過(guò)沖。

  2. 系統(tǒng)測(cè)試:在電動(dòng)汽車上進(jìn)行實(shí)際測(cè)試,以驗(yàn)證SiC MOSFET對(duì)牽引逆變器效率的提升效果。測(cè)試應(yīng)包括不同工況下的性能評(píng)估,如快速加速、爬陡坡等。

綜上所述,將SiC MOSFET導(dǎo)入電動(dòng)汽車牽引逆變器的設(shè)計(jì)以提高效率需要綜合考慮SiC MOSFET的選擇、柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)、逆變器整體設(shè)計(jì)以及測(cè)試和驗(yàn)證等多個(gè)方面。通過(guò)優(yōu)化這些方面,可以充分發(fā)揮SiC MOSFET的優(yōu)勢(shì),提高電動(dòng)汽車牽引逆變器的效率。


責(zé)任編輯:David

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