原標(biāo)題：onsemi SiC 技術(shù)增加單次充電的 EV 續(xù)航里程

onsemi的SiC（碳化硅）技術(shù)在增加單次充電的電動(dòng)汽車（EV）續(xù)航里程方面發(fā)揮了重要作用。以下是關(guān)于這一技術(shù)的詳細(xì)解釋和歸納：

1. SiC技術(shù)的優(yōu)勢(shì)：

• SiC作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，在帶隙能量、擊穿場(chǎng)強(qiáng)、熱導(dǎo)率等參數(shù)方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。這些特性使得SiC系統(tǒng)能夠以更高的頻率運(yùn)行而不損失輸出功率，從而優(yōu)化系統(tǒng)效率。

• SiC的優(yōu)異熱導(dǎo)率允許更好的散熱性能，有助于減少散熱系統(tǒng)的體積和重量，進(jìn)一步提升了系統(tǒng)的效率。

1. 在EV中的應(yīng)用：

• 在EV的主驅(qū)逆變器中，SiC技術(shù)可以顯著提高從DC到AC的電源轉(zhuǎn)換效率。這意味著車輛可以使用更小的電池來(lái)驅(qū)動(dòng)更遠(yuǎn)的距離，從而增加了續(xù)航里程。

• SiC MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和SiC二極管等SiC功率器件在EV的OBC（車載充電器）中也有廣泛應(yīng)用。這些器件具有更低的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗，有助于提高充電效率，縮短充電時(shí)間。

2. 數(shù)字與實(shí)例：

• 使用SiC技術(shù)的OBC可以實(shí)現(xiàn)更快的充電速度。例如，通過(guò)EV充電站的高壓大電流充電方式（DC充電），SiC技術(shù)的OBC可以實(shí)現(xiàn)50kW的快速充電，充電時(shí)間縮短至30分鐘至60分鐘。

• 在高電壓（如900V及以上）的應(yīng)用中，SiC MOSFET相較于傳統(tǒng)的Si MOSFET具有更低的成本和更好的性能。這使得SiC技術(shù)在三相11kW OBC等高端應(yīng)用中具有廣闊的市場(chǎng)前景。

3. 結(jié)論：

• onsemi的SiC技術(shù)通過(guò)提高系統(tǒng)效率和優(yōu)化散熱性能，顯著增加了EV的單次充電續(xù)航里程。隨著SiC技術(shù)的不斷發(fā)展和優(yōu)化，未來(lái)EV的續(xù)航里程有望實(shí)現(xiàn)更大的提升。