M3S系列SiC(碳化硅)MOSFET為快速開關(guān)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，并提供了一個低22毫歐漏源通電阻。M3S系列SiC mosfet在使用18V柵驅(qū)動時提供最佳性能，但在使用15V柵驅(qū)動時也工作良好。該器件采用平面技術(shù)，工作可靠的負(fù)柵電壓驅(qū)動和關(guān)閉柵上的尖峰。

　　onsemi NTBG022N120M3S 1200V M3S系列SiC MOSFET封裝在D2PAK-7L封裝中，用于低共源電感。

　　特性

　　為快速切換應(yīng)用程序優(yōu)化

　　低開關(guān)損耗

　　485μJ典型的開機開關(guān)損耗@ 40A, 800V

　　最佳性能為18V;15V兼容IGBT驅(qū)動電路

　　100%雪崩測試

　　提高功率密度

　　提高了對意外傳入電壓峰值或振鈴的魯棒性

　　應(yīng)用程序

　　交直流轉(zhuǎn)換

　　直粱轉(zhuǎn)換

　　直流-直流轉(zhuǎn)換

　　開關(guān)模式電源(SMPS)

　　聯(lián)合包裹

　　電動汽車充電器

　　太陽能逆變器

　　能量存儲系統(tǒng)

　　規(guī)范

　　1200V漏源極電壓(V(DSS))

　　22毫歐漏源通電阻(R(DS(on)))

　　-10V/+22V門源電壓(V(GS))

　　0.3V/℃漏源擊穿電壓溫度系數(shù)(V((BR)DSS)/T(J))

　　零柵電壓漏極電流(I(DSS))

　　±1μA柵源漏電流(I(GSS))

　　連續(xù)漏極電流(I(D))

　　58a @ t (c) = 25°c

　　41a @ t (c) = 100°c

　　功耗(P (D))

　　234w @ tc = 25°c

　　117w @ tc = 100℃

　　2.04V至4.4V柵閾值電壓;典型2.72 V (V (GS (TH)))

　　3200pF輸入電容(C(ISS))

　　148pF輸出電容(C(OSS))

　　14pF反向傳輸電容(C(RSS))

　　18ns接通延遲時間(t(d(ON)))

　　上升時間(t(r))

　　47ns關(guān)斷延遲時間(t(d(OFF)))

　　14ns下降時間(t(f))

　　反向恢復(fù)時間(t(RR))

　　-55°C至+175°C工作結(jié)和存儲溫度范圍(T(J)， T(stg))

　　D2PAK7 (TO-263-7L高壓)封裝

　　內(nèi)部原理圖

　　計劃大綱