WINBOND W25N01GVZEIG NAND FLASH是一種常見的閃存存儲設(shè)備，具有廣泛的應(yīng)用。本文將對該型號的類型、工作原理、特點、應(yīng)用以及參數(shù)進行詳細介紹，以幫助讀者更好地了解這一設(shè)備。

中文描述： NAND閃存1G-bit Serial NAND flash,3V

英文描述： 1Gb Serial NAND Flash Memory with uniform 2KB+64B page size and set Buffer Read Mode as default

W25N01GVZEIG中文參數(shù)

W25N01GVZEIG概述

W25N01GV(1G位)串行SLC NAND閃存為空間、引腳和功耗有限的系統(tǒng)提供了存儲解決方案。W25N SpiFlash系列采用流行的SPI接口和傳統(tǒng)的大容量NAND非易失性存儲器空間。它們非常適合將代碼影射到RAM，直接從雙/四SPI(XIP)執(zhí)行代碼，以及存儲語音、文本和數(shù)據(jù)。該器件采用2.7V至3.6V單電源供電，工作電流低至25mA，待機電流為10μA。

W25N SpiFlash系列的所有器件都采用節(jié)省空間的封裝，這在過去是典型的NAND閃存無法做到的。W25N01GV 1G位存儲器陣列分為65,536個可編程頁面，每個頁面2,048字節(jié)?？梢允褂?,048字節(jié)內(nèi)部緩沖器中的數(shù)據(jù)一次性對整個頁面進行編程。頁面可以64個為一組進行擦除(128KB塊擦除)。W25N01GV有1,024個可擦除塊。

W25N01GV支持標準串行外設(shè)接口(SPI)、雙/四輸入/輸出SPI：串行時鐘、芯片選擇、串行數(shù)據(jù)I/O0(DI)、I/O1(DO)、I/O2(/WP)和I/O3(/HOLD)。W25N01GV支持高達104MHz的SPI時鐘頻率，使用快速讀取雙通道/四通道I/O指令時，雙通道I/O的等效時鐘頻率為208MHz(104MHz x 2)，四通道I/O的等效時鐘頻率為416MHz(104MHz x 4)。

W25N01GV提供全新的連續(xù)讀取模式，只需一條讀取指令即可高效訪問整個存儲器陣列。保持引腳、寫保護引腳和可編程寫保護提供了進一步的控制靈活性。此外，該器件還支持JEDEC標準的制造商和器件ID、一個2048字節(jié)的唯一ID頁、一個2048字節(jié)的參數(shù)頁和十個2048字節(jié)的OTP頁。為了提供更好的NAND閃存可管理性，W25N01GV還提供了用戶可配置的內(nèi)部ECC和壞塊管理功能。

W25N01GVZEIG TR規(guī)格參數(shù)

1. 型號類型

WINBOND W25N01GVZEIG NAND FLASH是一種NAND閃存型號，具體型號標識為W25N01GVZEIG。它是一種非易失性存儲器，可用于存儲數(shù)據(jù)和程序代碼。

2. 工作原理

NAND閃存通過存儲電荷在浮動柵中來存儲數(shù)據(jù)。其工作原理基于在晶體管浮動柵之間的電子堆積。當電子被注入浮動柵時，它們改變了柵與源/漏之間的閾值電壓，從而表示1或0的邏輯狀態(tài)。

寫入數(shù)據(jù)時，通過在浮動柵中注入電子或者清除電子來改變存儲單元的狀態(tài)。讀取數(shù)據(jù)時，浮動柵的電荷被檢測，以確定存儲單元的狀態(tài)。這種基于電荷積累的機制使得NAND閃存具有快速的寫入和擦除速度。

3. 特點

• 高速寫入和擦除：NAND閃存具有快速的寫入和擦除速度，使其適用于需要頻繁數(shù)據(jù)更新的應(yīng)用。

• 高密度存儲：NAND閃存可以實現(xiàn)高密度的存儲，使其在存儲容量要求較高的應(yīng)用中得到廣泛應(yīng)用。

• 低功耗：相比于傳統(tǒng)的機械硬盤，NAND閃存具有較低的功耗，有助于延長電池壽命。

• 良好的耐久性：NAND閃存具有較長的使用壽命和良好的耐久性，可滿足長期數(shù)據(jù)存儲的需求。

4. 應(yīng)用

WINBOND W25N01GVZEIG NAND FLASH在各種領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用，包括但不限于：

• 嵌入式系統(tǒng)：用于存儲固件、操作系統(tǒng)和應(yīng)用程序代碼。

• 移動設(shè)備：用于存儲手機、平板電腦和便攜式音頻/視頻設(shè)備的數(shù)據(jù)。

• 汽車電子：用于存儲汽車信息娛樂系統(tǒng)、導航系統(tǒng)和車輛控制單元的數(shù)據(jù)。

• 工業(yè)控制：用于存儲傳感器數(shù)據(jù)、控制參數(shù)和日志記錄。

5. 參數(shù)

• 存儲容量：1Gb（Gigabit）

• 工作電壓：2.7V至3.6V

• 工作溫度范圍：-40°C至85°C

• 封裝類型：8引腳SON（Small Outline No lead）

• 接口類型：SPI（Serial Peripheral Interface）

以上是WINBOND W25N01GVZEIG NAND FLASH的一些基本參數(shù)，這些參數(shù)可以根據(jù)具體的應(yīng)用需求進行調(diào)整和配置。

通過本文的介紹，讀者可以更深入地了解WINBOND W25N01GVZEIG NAND FLASH的型號類型、工作原理、特點、應(yīng)用和參數(shù)，從而更好地應(yīng)用于實際項目中。