英飛凌IRF640NPBF MOS管

一、型號(hào)類型

IRF640NPBF是由英飛凌公司生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。這種類型的MOSFET具有較低的導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度，適用于各種電源管理應(yīng)用。它采用TO-220封裝，適合通過焊接或散熱器安裝。

廠商名稱：英飛凌

元件分類：MOS管

中文描述： 英飛凌Infineon MOSFET,HEXFET系列,N溝道,Si,Vds=200 V,18 A,3引腳TO-220AB封裝

英文描述： Power Field-Effect Transistor,18A I(D),200V,0.15ohm,1-Element,N-Channel,Silicon,Metal-Oxide Semiconductor FET,TO-220AB,LEAD FREE,PLASTIC PACKAGE-3

數(shù)據(jù)手冊：http://www.kmzr.net.cn/data/k02-24415580-IRF640NPBF.html

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IRF640NPBF中文參數(shù)

IRF640NPBF概述

英飛凌公司的IRF640NPBF是一款200V單N溝道HEXFET功率MOSFET,TO-220AB封裝.此MOSFET具有極低的單位面積導(dǎo)通電,額定動(dòng)態(tài)dv/dt,耐用的快速開關(guān)以及全雪崩額定,功率MOSFET提供極高的效率和穩(wěn)定性,用于多種應(yīng)用.

漏極至源極電壓:200V

柵-源電壓：±20V

導(dǎo)通電阻Rds(on)為150mohm

25°C功率耗散Pd:150W

Vgs 10V 25°C時(shí),連續(xù)漏電流Id:18A

工作結(jié)溫范圍:-55°C至175°C

應(yīng)用范圍

電源管理,工業(yè),便攜式器材,消費(fèi)電子產(chǎn)品

IRF640NPBF引腳圖

二、工作原理

MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種電壓控制器件，通過控制柵極與源極之間的電壓來調(diào)節(jié)漏極與源極之間的電流。IRF640NPBF屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET，其基本工作原理如下：

1. 柵極驅(qū)動(dòng)：當(dāng)柵極電壓高于閾值電壓時(shí)，MOSFET開始導(dǎo)通。這時(shí)，柵極電壓會(huì)在柵極和源極之間形成電場，吸引N型半導(dǎo)體中的電子，形成導(dǎo)電溝道。

2. 電流流動(dòng)：一旦導(dǎo)電溝道形成，漏極與源極之間的電流可以自由流動(dòng)。電流的大小取決于柵極電壓和漏極電壓。

3. 關(guān)斷過程：當(dāng)柵極電壓低于閾值電壓時(shí)，導(dǎo)電溝道消失，MOSFET進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)，漏極與源極之間的電流被切斷。

三、特點(diǎn)

IRF640NPBF具有以下顯著特點(diǎn)：

1. 低導(dǎo)通電阻（R_DS(on)）：導(dǎo)通電阻越低，功耗越小，效率越高。IRF640NPBF的典型R_DS(on)值為0.18歐姆。

2. 高耐壓：其漏極-源極最大耐壓為200V，適用于高壓應(yīng)用場合。

3. 高電流承載能力：具有18A的最大漏極電流能力。

4. 高開關(guān)速度：具有較快的開關(guān)特性，有利于提高電路的開關(guān)效率和頻率。

5. 熱穩(wěn)定性好：采用TO-220封裝，有良好的散熱性能。

四、應(yīng)用

IRF640NPBF廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：

1. 開關(guān)電源（SMPS）：其高效和高耐壓特性使其非常適用于開關(guān)電源的主開關(guān)元件。

2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)：適用于直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的H橋結(jié)構(gòu)，提供高效率的電流控制。

3. 逆變器和變頻器：在逆變器和變頻器中作為主要開關(guān)元件使用，提供高效的電能轉(zhuǎn)換。

4. 電池管理系統(tǒng)（BMS）：在電池管理系統(tǒng)中用于充放電控制和保護(hù)電路。

5. 高頻變換器：適用于高頻率的變換器電路，提高變換效率和減少損耗。

五、參數(shù)

IRF640NPBF的主要參數(shù)如下：

1. 電壓和電流參數(shù)：

• 漏極-源極最大電壓（V_DSS）：200V

• 柵極-源極最大電壓（V_GS）：±20V

• 最大漏極電流（I_D）：18A

• 脈沖漏極電流（I_DM）：72A

2. 導(dǎo)通特性：

• 導(dǎo)通電阻（R_DS(on)）：0.18Ω（典型值，V_GS=10V）

3. 開關(guān)特性：

• 柵極電荷（Q_g）：67nC（V_GS=10V）

• 輸入電容（C_iss）：1580pF

• 輸出電容（C_oss）：320pF

• 反向傳輸電容（C_rss）：110pF

4. 時(shí)間特性：

• 開通延遲時(shí)間（t_d(on)）：10ns

• 上升時(shí)間（t_r）：42ns

• 關(guān)斷延遲時(shí)間（t_d(off)）：31ns

• 下降時(shí)間（t_f）：27ns

5. 熱特性：

• 結(jié)點(diǎn)與環(huán)境熱阻（R_θJA）：62.5°C/W

• 結(jié)點(diǎn)與殼熱阻（R_θJC）：1.0°C/W

• 工作結(jié)溫范圍：-55°C至175°C

六、總結(jié)

IRF640NPBF作為N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，具有低導(dǎo)通電阻、高耐壓、高電流承載能力和高開關(guān)速度等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器和變頻器、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域。其優(yōu)異的電氣特性和熱特性使其成為功率電子領(lǐng)域中的理想選擇。