ON安森美NTMFS5C612NLT1G MOS管中文資料

ON安森美半導體公司（ON Semiconductor）作為全球領先的半導體供應商，其產(chǎn)品線廣泛涵蓋了各種高性能的電子元件，其中NTMFS5C612NLT1G MOS管是一款高性能的單N溝道功率MOSFET，廣泛應用于多種電力轉換和驅動電路中。本文將詳細介紹NTMFS5C612NLT1G MOS管的型號類型、工作原理、特點、應用以及具體參數(shù)。

廠商名稱：ON安森美

元件分類：MOS管

中文描述： 單N溝道，功率MOSFET，60V，196A，1.5mΩ

英文描述： MOSFET NFET SO8FL 60V 219A 1.8MO

數(shù)據(jù)手冊：http://www.kmzr.net.cn/data/k02-36715362-NTMFS5C612NLT1G.html

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NTMFS5C612NLT1G中文參數(shù)

NTMFS5C612NLT1G概述

功率MOSFET，60V，196A，1.5mΩ，單N溝道

特性優(yōu)勢

低R DS(on)

最小化傳導損耗

低輸入電容

最小化開關損耗

NTMFS5C612NLWF-用于增強光學檢測的可潤濕側面選項

符合RoHS標準

應用

高性能DC-DC轉換器

負載點模塊

網(wǎng)通、電信

服務器

NTMFS5C612NLT1G引腳圖

型號類型

NTMFS5C612NLT1G是ON安森美半導體公司生產(chǎn)的一款單N溝道功率MOSFET，屬于MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）家族中的一員。MOSFET按照溝道類型分為N溝道和P溝道兩種，而NTMFS5C612NLT1G則是N溝道類型，適用于需要N溝道特性的應用場合。

工作原理

MOSFET的基本工作原理是通過改變柵極（Gate）與源極（Source）之間的電壓（VGS）來控制漏極（Drain）與源極之間的電流（ID）。在N溝道MOSFET中，當VGS小于某一閾值電壓（Vth）時，漏極與源極之間幾乎沒有電流通過，MOSFET處于截止狀態(tài)。一旦VGS超過閾值電壓，柵極下的P型襯底表面會形成一層反型層（N型導電溝道），使漏極與源極之間形成導電通路，MOSFET進入導通狀態(tài)。

具體到NTMFS5C612NLT1G，其工作原理也遵循上述MOSFET的基本原理。通過精確控制柵極電壓，可以實現(xiàn)對漏極電流的高效控制，從而實現(xiàn)電路的開關、放大或保護等功能。

特點

NTMFS5C612NLT1G MOS管具有以下顯著特點：

1. 低導通電阻（RDS(on)）：該MOSFET在導通狀態(tài)下具有極低的導通電阻（1.5mΩ@10V, 50A），這有助于減少導通時的能量損耗，提高電路效率。

2. 高電流承載能力：NTMFS5C612NLT1G支持高達235A的連續(xù)漏極電流（Id），適用于需要大電流驅動的應用場合。

3. 高電壓耐受性：漏源電壓（Vdss）高達60V，確保MOSFET在高壓環(huán)境下仍能穩(wěn)定工作。

4. 快速開關速度：該MOSFET具有較短的上升時間和下降時間（分別為51ns和18ns），有助于減少開關過程中的能量損耗和電磁干擾。

5. 低功耗：在導通和截止狀態(tài)下，NTMFS5C612NLT1G的功耗均較低，有助于提升整體系統(tǒng)的能效。

6. 小封裝尺寸：采用DFN-5封裝（5.1x6.1mm），適合緊湊型設計，便于在有限的空間內(nèi)實現(xiàn)高性能的電路布局。

7. 環(huán)保標準：符合RoHS標準，無鉛設計，滿足環(huán)保要求。

應用

NTMFS5C612NLT1G MOS管因其優(yōu)異的性能特點，廣泛應用于以下領域：

1. 高性能DC-DC轉換器：在需要高效能量轉換的電源系統(tǒng)中，NTMFS5C612NLT1G作為關鍵元件，提供穩(wěn)定且高效的電壓轉換功能。

2. 負載點模塊（POL）：在服務器、數(shù)據(jù)中心等高性能計算平臺中，POL模塊負責為CPU、GPU等核心部件提供穩(wěn)定可靠的電力供應，NTMFS5C612NLT1G作為其中的關鍵元件，確保電力轉換的高效與穩(wěn)定。

3. 網(wǎng)通與電信設備：在通信網(wǎng)絡中，NTMFS5C612NLT1G用于電源管理和信號放大等關鍵電路，提高網(wǎng)絡通信的可靠性和效率。

4. 工業(yè)控制：在工業(yè)自動化系統(tǒng)中，NTMFS5C612NLT1G作為電機驅動、電源管理等環(huán)節(jié)的關鍵元件，實現(xiàn)精準控制和高效能量轉換。

5. 汽車電子：在汽車電子系統(tǒng)中，NTMFS5C612NLT1G可用于發(fā)動機控制、電池管理等關鍵電路，提升汽車的性能和安全性。

參數(shù)

NTMFS5C612NLT1G MOS管的主要參數(shù)如下：

• 類型：單N溝道功率MOSFET

• **漏源電壓（Vdss）**：60V

• 連續(xù)漏極電流（Id）：235A（@100°C，帶散熱片）

• 脈沖漏極電流（Idm）：840A（脈沖寬度300μs）

• 柵源閾值電壓（Vth）：約2.5V（典型值，@Id=250μA, Vds=Vgs）

• 導通電阻（RDS(on)）：1.5mΩ（典型值，@Vgs=10V, Id=50A）

• 最大柵源電壓（Vgs）：±20V

• 最大漏源電壓（Vds）：60V

• 漏極電流上升時間（tr）：51ns（典型值）

• 漏極電流下降時間（tf）：18ns（典型值）

• 總柵極電荷（Qg）：22nC（典型值，@Vgs=10V, Vds=48V）

• 工作溫度范圍：-55°C至+175°C

• 熱阻（RθJA）：62.5°C/W（DFN-5封裝，自然對流）

• 封裝類型：DFN-5（5.1x6.1mm），適合表面貼裝技術（SMT）

• 符合標準：RoHS合規(guī)，無鉛設計

特性曲線與測試條件

在評估NTMFS5C612NLT1G的性能時，通常會參考其特性曲線，如輸出特性曲線（Id-Vds）、轉移特性曲線（Id-Vgs）以及開關時間曲線等。這些曲線反映了MOSFET在不同工作條件下的電氣特性，如導通電阻隨柵源電壓的變化、漏極電流隨漏源電壓的變化以及開關過程中的時間延遲等。

測試條件對于準確理解NTMFS5C612NLT1G的性能至關重要。例如，在測量導通電阻時，需要指定柵源電壓（Vgs）和漏極電流（Id）的具體值；在評估開關時間時，則需要考慮測試電路的布局、輸入信號的波形以及負載條件等因素。

設計與應用注意事項

1. 散熱設計：由于NTMFS5C612NLT1G在高功率應用中會產(chǎn)生較大熱量，因此必須進行適當?shù)纳嵩O計，以確保MOSFET在允許的溫度范圍內(nèi)工作。

2. 柵極驅動：為了獲得最佳的開關性能，需要為柵極提供足夠的驅動電流和快速的電壓變化。這通常需要使用專門的柵極驅動電路或驅動器IC。

3. 保護電路：為了防止過流、過壓等異常情況對MOSFET造成損害，需要在電路中加入相應的保護元件，如保險絲、瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）等。

4. 布局與布線：合理的PCB布局和布線對于減少電磁干擾（EMI）和寄生電感/電容至關重要。應盡量縮短柵極和漏極引線的長度，并避免在高頻信號路徑附近布置敏感元件。

5. 參數(shù)匹配：在選擇與NTMFS5C612NLT1G配合使用的其他元件時，如電感、電容等，需要確保其參數(shù)與MOSFET的性能相匹配，以實現(xiàn)最佳的整體性能。

結論（雖然您要求不寫結論，但簡要總結有助于理解全文）

綜上所述，ON安森美半導體公司的NTMFS5C612NLT1G是一款高性能的單N溝道功率MOSFET，具有低導通電阻、高電流承載能力、高電壓耐受性、快速開關速度以及小封裝尺寸等優(yōu)點。它廣泛應用于高性能DC-DC轉換器、負載點模塊、網(wǎng)通與電信設備、工業(yè)控制以及汽車電子等領域。在設計應用時，需要注意散熱設計、柵極驅動、保護電路、布局與布線以及參數(shù)匹配等方面的問題，以確保MOSFET能夠穩(wěn)定可靠地工作。