ON安森美NTMS10P02R2G MOS管中文資料

一、型號與類型

ON安森美（ON Semiconductor）是一家全球領(lǐng)先的半導體供應(yīng)商，其產(chǎn)品線涵蓋了廣泛的分立器件、邏輯IC、模擬IC以及定制解決方案。NTMS10P02R2G是ON安森美生產(chǎn)的一款P溝道增強型功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管）。該型號以其優(yōu)異的電氣特性和封裝形式，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和系統(tǒng)中。

廠商名稱：ON安森美

元件分類：MOS管

中文描述： 單P溝道，增強模式功率MOSFET，-20V，-10A，14mΩ

英文描述： Power MOSFET-10 Amps-20 Volts P-Channel Enhancement-Mode Single SOIC-8 Package

數(shù)據(jù)手冊：http://www.kmzr.net.cn/data/k02-36658163-NTMS10P02R2G.html

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NTMS10P02R2G中文參數(shù)

NTMS10P02R2G概述

功率MOSFET，10 A，-20 V，P溝道增強模式，單SOIC?8封裝

特性

超低R DS(on)

更高效率延長電池壽命

邏輯電平柵極驅(qū)動

微型SO-8表面貼裝封裝

二極管表現(xiàn)出高速、軟恢復

雪崩能量指定

提供SOIC-8安裝信息

應(yīng)用

便攜式和電池供電產(chǎn)品的電源管理

蜂窩電話和無繩電話

PCMCIA卡

NTMS10P02R2G引腳圖

二、工作原理

MOSFET是一種電壓控制型半導體器件，其工作原理基于金屬-氧化物-半導體結(jié)構(gòu)。在NTMS10P02R2G中，當柵極（G）相對于源極（S）施加負電壓時，會在柵極下方的P型半導體表面形成一個N型導電溝道，使得漏極（D）和源極之間得以導通。這種導通狀態(tài)是通過改變柵極電壓來控制的，從而實現(xiàn)了對電流的控制。

對于P溝道MOSFET而言，當柵極電壓為負壓時，溝道形成并允許電流從源極流向漏極；而當柵極電壓為正或為零時，溝道消失，器件截止。這種特性使得P溝道MOSFET在需要負電壓控制的電路中非常有用。

三、特點

1. 超低RDS(on)：NTMS10P02R2G具有極低的漏源導通電阻（RDS(on)），這有助于減小器件在工作時的功率損耗，提高系統(tǒng)效率，并有助于延長電池壽命。

2. 邏輯電平柵極驅(qū)動：該MOSFET適用于邏輯電平驅(qū)動，即其柵極電壓范圍與常見的數(shù)字邏輯電平相兼容，便于與微控制器、FPGA等數(shù)字電路接口。

3. 微型SO-8表面貼裝封裝：采用SOIC-8封裝形式，具有體積小、重量輕、易于自動化組裝和節(jié)省PCB空間等優(yōu)點。

4. 高速、軟恢復二極管特性：內(nèi)置的二極管表現(xiàn)出高速、軟恢復特性，有助于改善電路中的瞬態(tài)響應(yīng)和降低電磁干擾。

5. 寬工作溫度范圍：支持從-55°C到+150°C的寬工作溫度范圍，適用于各種惡劣環(huán)境條件下的應(yīng)用。

四、應(yīng)用

NTMS10P02R2G因其獨特的性能特點，在多個領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用：

1. 電源管理模塊：在便攜式設(shè)備和電池供電產(chǎn)品中，NTMS10P02R2G可用于電源管理模塊，實現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換和分配。其低導通電阻和高效率特性有助于延長電池續(xù)航時間，提高設(shè)備整體性能。

2. 電機控制：在電機控制應(yīng)用中，該MOSFET可用于電機驅(qū)動模塊，控制電機的啟停、速度調(diào)節(jié)和反向運行。其高電流承受能力和快速響應(yīng)特性使其成為高性能電機控制的理想選擇。

3. LED照明：在LED照明系統(tǒng)中，NTMS10P02R2G可用于控制LED燈的亮度和顏色。其低導通電阻有助于減小功率損耗，提高照明效率，并提供穩(wěn)定的電流輸出以保證LED燈的長壽命和良好性能。

4. 電池管理和保護：在電池管理和保護模塊中，該MOSFET可用于控制電池充電和放電的開關(guān)，確保電池的安全和延長使用壽命。其快速響應(yīng)和精確控制特性有助于防止電池過充、過放和短路等異常情況的發(fā)生。

5. 電子開關(guān)：NTMS10P02R2G還可用于各種電子開關(guān)應(yīng)用，如電子鎖、繼電器、開關(guān)電路和電子控制器等。其高可靠性和長壽命特性使得它成為這些應(yīng)用中不可或缺的組成部分。

五、參數(shù)

以下是NTMS10P02R2G的主要電氣參數(shù)：

• 制造商：ON Semiconductor（安森美）

• 通道類型：P溝道

• 連續(xù)漏極電流（ID）：8.8A（典型值），部分資料中提及為-10A或-8A，具體取決于測試條件和封裝形式。

• 漏源極擊穿電壓（Vds）：20V

• 漏源導通電阻（RDS(on)）：14mΩ @ VGS = -4.5V（典型值），不同測試條件下可能有所不同。

• 柵極-源極電壓（Vgs）：最大±12V

• 柵源極閾值電壓（Vth）：1.2V（典型值），部分資料中提及為-0.6V至-2V，這取決于具體型號和測試條件。

• 功率耗散（Pd）：該參數(shù)描述了MOSFET在特定條件下能夠安全承受的最大功率。對于NTMS10P02R2G，其具體功率耗散值會根據(jù)封裝形式、環(huán)境溫度以及散熱條件等因素有所不同，但通常會在數(shù)據(jù)手冊中給出一定的范圍或最大值。

• 工作溫度范圍：如前所述，NTMS10P02R2G支持從-55°C到+150°C的寬工作溫度范圍，這使得它能夠在各種極端環(huán)境條件下穩(wěn)定工作。

• 封裝形式：SO-8（SOIC-8），這是一種小型表面貼裝封裝，適合高密度電路板布局，并便于自動化生產(chǎn)。

• 開關(guān)時間：包括開啟時間（ton）和關(guān)閉時間（toff），這些參數(shù)決定了MOSFET在開關(guān)狀態(tài)轉(zhuǎn)換時的速度。NTMS10P02R2G通常具有較快的開關(guān)速度，有助于減少開關(guān)損耗并提高系統(tǒng)效率。

• 靜電放電（ESD）保護：雖然具體數(shù)值可能不在常規(guī)數(shù)據(jù)表中直接列出，但大多數(shù)現(xiàn)代MOSFET都包含一定程度的ESD保護，以防止在制造、組裝或使用過程中因靜電放電而損壞。

• 熱阻（θJA, θJC）：這些參數(shù)描述了MOSFET內(nèi)部產(chǎn)生的熱量通過封裝散發(fā)到周圍環(huán)境或PCB上的能力。熱阻越低，表示散熱性能越好，有助于在高功率應(yīng)用中保持器件溫度在安全范圍內(nèi)。

六、進一步討論

在選擇和使用NTMS10P02R2G時，除了上述電氣參數(shù)外，還需要考慮一些其他因素：

• 布局與布線：合理的PCB布局和布線對于確保MOSFET的性能至關(guān)重要。應(yīng)避免在MOSFET周圍布置過多的熱敏元件或高噪聲源，以減少熱干擾和電磁干擾。

• 散熱設(shè)計：在高功率應(yīng)用中，需要特別注意散熱設(shè)計?？梢酝ㄟ^增加散熱片、使用導熱膠或優(yōu)化PCB布局等方式來提高散熱性能。

• 驅(qū)動電路設(shè)計：MOSFET的驅(qū)動電路設(shè)計對于其性能和可靠性也有重要影響。應(yīng)確保驅(qū)動電路能夠提供足夠的柵極驅(qū)動電流和適當?shù)臇艠O電壓波形，以實現(xiàn)快速、穩(wěn)定的開關(guān)動作。

• 保護電路：為了防止MOSFET在過流、過壓或過熱等異常情況下?lián)p壞，通常需要設(shè)計相應(yīng)的保護電路。這些保護電路可以包括限流電阻、保險絲、熱敏電阻、過壓保護二極管等。

七、總結(jié)

ON安森美的NTMS10P02R2G是一款性能優(yōu)異的P溝道增強型功率MOSFET，具有低RDS(on)、高速開關(guān)、寬工作溫度范圍以及小型化封裝等特點。它廣泛應(yīng)用于電源管理、電機控制、LED照明、電池管理和保護以及電子開關(guān)等多個領(lǐng)域。在選擇和使用該MOSFET時，需要綜合考慮其電氣參數(shù)、布局布線、散熱設(shè)計、驅(qū)動電路設(shè)計以及保護電路等方面的因素，以確保其能夠穩(wěn)定、可靠地工作并發(fā)揮出最佳性能。