ir2136引腳說明


IR2136引腳詳細說明
一、IR2136芯片概述
IR2136是國際整流器公司(International Rectifier,現(xiàn)屬英飛凌科技)推出的一款高性能三相柵極驅(qū)動集成電路,專為驅(qū)動三相逆變器中的功率MOSFET或IGBT而設(shè)計。該芯片集成了三路高端驅(qū)動和三路低端驅(qū)動,適用于交流感應電機、無刷直流電機(BLDC)、開關(guān)磁阻電機等驅(qū)動系統(tǒng)。IR2136具有高集成度、低功耗、高可靠性等特點,廣泛應用于工業(yè)控制、家電、汽車電子等領(lǐng)域。
IR2136的主要特點包括:
高電壓工作能力:最高工作電壓可達600V,適用于高壓應用場景。
高驅(qū)動能力:提供高達250mA的驅(qū)動電流,能夠快速驅(qū)動大功率MOSFET或IGBT。
內(nèi)置保護功能:包括欠壓鎖定(UVLO)、過流保護(OCP)、故障邏輯鎖定等。
自舉供電技術(shù):通過自舉電路實現(xiàn)高端驅(qū)動,無需額外的隔離電源。
低側(cè)和高端輸入隔離:邏輯輸入與功率輸出之間具有高隔離度,適用于微控制器直接驅(qū)動。
可編程故障清除延遲:通過外部RC網(wǎng)絡設(shè)置故障清除時間。
兼容CMOS和LSTTL邏輯:輸入電平兼容3.3V和5V邏輯,方便與微控制器接口。
二、IR2136引腳功能詳解
IR2136采用28引腳PDIP封裝或SOIC封裝,其引腳功能如下:
1. 電源引腳
VCC(引腳1):邏輯電源輸入端,為芯片內(nèi)部邏輯電路和低側(cè)驅(qū)動提供電源。VCC的典型工作電壓為10V至20V,最大不超過25V。VCC還為自舉電路提供充電電源。
COM(引腳2):邏輯地端,與VCC共同構(gòu)成芯片的低壓側(cè)電源參考地。所有邏輯輸入信號均以COM為參考。
VB1、VB2、VB3(引腳3、5、7):高端浮動電源電壓輸出端。這些引腳通過自舉二極管和自舉電容為高端驅(qū)動提供浮動電源。VBx與VSx之間的電壓差決定了高端驅(qū)動的柵極驅(qū)動電壓。
VS1、VS2、VS3(引腳4、6、8):高端浮動電源返回端。這些引腳連接到高端功率MOSFET的源極,作為高端驅(qū)動的參考地。VSx引腳的電壓隨高端MOSFET的開關(guān)狀態(tài)而浮動。
2. 邏輯輸入引腳
HIN1、HIN2、HIN3(引腳9、10、11):高端驅(qū)動邏輯輸入端。這些引腳接收來自微控制器的PWM信號,控制高端MOSFET的導通和關(guān)斷。輸入信號為低電平有效(即低電平觸發(fā)導通,高電平觸發(fā)關(guān)斷)。輸入信號需經(jīng)過施密特觸發(fā)器整形,以提高抗干擾能力。
LIN1、LIN2、LIN3(引腳12、13、14):低端驅(qū)動邏輯輸入端。這些引腳同樣接收來自微控制器的PWM信號,控制低端MOSFET的導通和關(guān)斷。輸入信號同樣為低電平有效。
EN(引腳28):使能輸入端。高電平有效,當EN引腳為高電平時,芯片正常工作;當EN引腳為低電平時,芯片進入低功耗模式,所有驅(qū)動輸出關(guān)閉。EN引腳可用于實現(xiàn)軟啟動或故障后的系統(tǒng)復位。
3. 驅(qū)動輸出引腳
HO1、HO2、HO3(引腳27、26、25):高端驅(qū)動輸出端。這些引腳直接驅(qū)動高端MOSFET的柵極。輸出信號為推挽輸出,能夠提供足夠的驅(qū)動電流。
LO1、LO2、LO3(引腳24、23、22):低端驅(qū)動輸出端。這些引腳直接驅(qū)動低端MOSFET的柵極。輸出信號同樣為推挽輸出。
4. 保護功能引腳
ITRIP(引腳15):過流檢測輸入端。該引腳接收來自電流檢測電路的電壓信號,當信號超過內(nèi)部設(shè)定的閾值時,芯片判定為過流故障,并關(guān)閉所有驅(qū)動輸出。ITRIP引腳通常通過一個采樣電阻連接到功率地,將電流信號轉(zhuǎn)換為電壓信號。
FAULT(引腳16):故障輸出端。當芯片檢測到過流、欠壓或其他故障時,F(xiàn)AULT引腳輸出低電平信號,可用于驅(qū)動外部LED或報警電路。FAULT引腳為開漏輸出,需外接上拉電阻。
RCIN(引腳17):故障清除時間設(shè)置端。通過外接RC網(wǎng)絡,可以設(shè)置FAULT信號的維持時間。當RCIN引腳的電壓升高到8V時,F(xiàn)AULT信號恢復高電平,故障狀態(tài)被清除。
5. 其他引腳
SD(引腳18):軟關(guān)斷輸入端。當SD引腳為高電平時,芯片會以軟關(guān)斷的方式關(guān)閉所有驅(qū)動輸出,避免硬關(guān)斷產(chǎn)生的電壓尖峰。SD引腳通常用于實現(xiàn)過壓保護或短路保護。
VSS(引腳19):功率地端。與COM引腳類似,VSS為功率電路的參考地。在某些應用中,VSS和COM可以短接。
NC(引腳20、21):無連接引腳。這些引腳在芯片內(nèi)部未連接,用戶可根據(jù)需要選擇是否接地或懸空。
三、IR2136內(nèi)部結(jié)構(gòu)與工作原理
IR2136的內(nèi)部結(jié)構(gòu)主要包括以下幾個部分:
邏輯輸入處理電路:
輸入信號經(jīng)過施密特觸發(fā)器整形,消除輸入信號的噪聲和抖動。
輸入信號通過電平轉(zhuǎn)換電路,將CMOS或LSTTL電平轉(zhuǎn)換為芯片內(nèi)部的工作電平。
輸入信號經(jīng)過濾波和放大,確保驅(qū)動輸出的穩(wěn)定性和可靠性。
高端驅(qū)動電路:
高端驅(qū)動電路采用自舉供電技術(shù),通過自舉二極管和自舉電容為高端驅(qū)動提供浮動電源。
當?shù)投薓OSFET導通時,自舉電容通過自舉二極管充電;當高端MOSFET導通時,自舉電容為高端驅(qū)動提供電源。
高端驅(qū)動電路具有過流保護和欠壓鎖定功能,確保高端MOSFET的安全運行。
低端驅(qū)動電路:
低端驅(qū)動電路直接由VCC供電,驅(qū)動低端MOSFET的柵極。
低端驅(qū)動電路同樣具有過流保護和欠壓鎖定功能。
保護功能電路:
欠壓鎖定(UVLO):當VCC電壓低于設(shè)定的閾值時,芯片自動關(guān)閉所有驅(qū)動輸出,避免因電源不足導致的誤動作。
過流保護(OCP):通過ITRIP引腳檢測電流信號,當電流超過閾值時,芯片關(guān)閉所有驅(qū)動輸出,并輸出FAULT信號。
故障邏輯鎖定:當檢測到故障時,芯片鎖定故障狀態(tài),直到通過RCIN引腳清除故障。
死區(qū)時間控制電路:
IR2136內(nèi)置死區(qū)時間控制電路,確保高端和低端MOSFET不會同時導通,避免橋臂直通導致的短路故障。
死區(qū)時間典型值為200ns至500ns,具體取決于工作條件和負載特性。
四、IR2136典型應用電路
以下是一個基于IR2136的三相無刷直流電機驅(qū)動電路的典型應用示例:
1. 電路組成
電源部分:
輸入電源:直流24V至48V,通過濾波電容和穩(wěn)壓電路為芯片和功率MOSFET供電。
自舉電路:由自舉二極管(如UF4007)和自舉電容(如10μF/50V)組成,為高端驅(qū)動提供浮動電源。
功率部分:
三相逆變橋:由六個N溝道功率MOSFET(如IRF540N)組成,每相由一個高端MOSFET和一個低端MOSFET構(gòu)成。
電流檢測:通過采樣電阻(如0.01Ω/2W)將電流信號轉(zhuǎn)換為電壓信號,輸入到ITRIP引腳。
控制部分:
微控制器:如STM32或DSP,輸出六路PWM信號,分別連接到HIN1-HIN3和LIN1-LIN3引腳。
故障指示:通過FAULT引腳驅(qū)動LED或報警電路,指示系統(tǒng)故障。
2. 電路工作原理
正常工作模式:
微控制器輸出六路PWM信號,控制高端和低端MOSFET的導通和關(guān)斷。
自舉電路為高端驅(qū)動提供浮動電源,確保高端MOSFET能夠正常導通。
電流檢測電路實時監(jiān)測電機電流,當電流超過閾值時,芯片關(guān)閉所有驅(qū)動輸出,并輸出FAULT信號。
故障處理模式:
當檢測到過流、欠壓或其他故障時,芯片關(guān)閉所有驅(qū)動輸出,并輸出FAULT信號。
用戶可通過RCIN引腳清除故障,或通過EN引腳復位芯片。
3. 電路設(shè)計注意事項
自舉電容的選擇:
自舉電容的容量需根據(jù)MOSFET的開關(guān)頻率和柵極電荷需求選擇。容量過小會導致驅(qū)動不足,容量過大會影響電路的響應速度。
典型值為10μF至22μF,耐壓值需高于電源電壓。
自舉二極管的選擇:
自舉二極管需具有快速恢復特性和低反向漏電流,以確保自舉電容能夠快速充電。
典型型號為UF4007或MUR160。
電流檢測電阻的選擇:
電流檢測電阻的阻值需根據(jù)電流檢測范圍和功率損耗選擇。阻值過大會導致功率損耗增加,阻值過小會降低檢測靈敏度。
典型值為0.01Ω至0.1Ω,功率需根據(jù)實際電流計算。
故障清除時間設(shè)置:
故障清除時間通過RCIN引腳外接RC網(wǎng)絡設(shè)置。RC時間常數(shù)決定了FAULT信號的維持時間。
典型值為幾毫秒至幾十毫秒,具體取決于系統(tǒng)需求。
五、IR2136應用中的常見問題與解決方案
1. 自舉電容電壓不足
問題表現(xiàn):高端MOSFET無法完全導通,導致輸出電壓不足或波形失真。
原因分析:
自舉電容容量不足,無法提供足夠的電荷。
自舉二極管反向漏電流過大,導致電容放電。
開關(guān)頻率過高,自舉電容充電時間不足。
解決方案:
增大自舉電容容量。
更換反向漏電流更小的自舉二極管。
降低開關(guān)頻率,或優(yōu)化PWM信號的占空比。
2. 過流保護誤觸發(fā)
問題表現(xiàn):系統(tǒng)在正常工作時頻繁觸發(fā)過流保護,導致電機無法正常運行。
原因分析:
電流檢測電阻的阻值選擇不當,導致正常電流被誤判為過流。
電流檢測電路的噪聲干擾,導致信號波動。
ITRIP引腳的閾值設(shè)置過低。
解決方案:
重新計算電流檢測電阻的阻值,確保正常電流不超過閾值。
在電流檢測電路中增加濾波電容,減少噪聲干擾。
通過調(diào)整ITRIP引腳的分壓電阻,適當提高過流閾值。
3. 高端MOSFET發(fā)熱嚴重
問題表現(xiàn):高端MOSFET在運行時溫度過高,可能導致?lián)p壞。
原因分析:
高端MOSFET的驅(qū)動電壓不足,導致導通電阻增大。
高端MOSFET的開關(guān)速度過慢,導致開關(guān)損耗增加。
散熱設(shè)計不當,導致熱量無法及時散發(fā)。
解決方案:
檢查自舉電路的工作狀態(tài),確保自舉電容和自舉二極管正常。
優(yōu)化PWM信號的死區(qū)時間,減少開關(guān)損耗。
增加散熱片或風扇,改善散熱條件。
4. 故障信號無法清除
問題表現(xiàn):FAULT信號在故障排除后仍保持低電平,系統(tǒng)無法恢復正常工作。
原因分析:
RCIN引腳外接的RC網(wǎng)絡參數(shù)不當,導致故障清除時間過長或過短。
芯片內(nèi)部故障邏輯鎖定,需通過EN引腳復位。
解決方案:
調(diào)整RC網(wǎng)絡的參數(shù),確保故障清除時間符合系統(tǒng)需求。
通過EN引腳短暫拉低電平,復位芯片。
六、IR2136的選型與替代方案
1. 選型指南
工作電壓:根據(jù)系統(tǒng)需求選擇合適的VCC范圍(10V至20V)。
驅(qū)動能力:根據(jù)MOSFET的柵極電荷需求選擇合適的驅(qū)動電流(IR2136提供高達250mA的驅(qū)動電流)。
保護功能:確認系統(tǒng)是否需要欠壓鎖定、過流保護等功能。
封裝形式:根據(jù)PCB布局選擇PDIP或SOIC封裝。
2. 替代方案
IR2130:與IR2136類似,但驅(qū)動能力較低(200mA),適用于小功率應用。
IR2104:單通道柵極驅(qū)動器,適用于單相逆變器或H橋電路。
L6384E:意法半導體推出的三相柵極驅(qū)動器,具有類似的保護功能,但引腳排列和功能略有不同。
七、總結(jié)
IR2136是一款高性能的三相柵極驅(qū)動集成電路,廣泛應用于電機驅(qū)動、電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域。其高集成度、低功耗、高可靠性等特點,使其成為工業(yè)控制和家電領(lǐng)域的理想選擇。通過本文的詳細介紹,讀者可以全面了解IR2136的引腳功能、內(nèi)部結(jié)構(gòu)、工作原理以及典型應用電路,為實際設(shè)計提供參考。
在實際應用中,需根據(jù)系統(tǒng)需求合理選擇外圍元件,優(yōu)化電路設(shè)計,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。同時,需注意自舉電容、自舉二極管、電流檢測電阻等關(guān)鍵元件的選擇,避免常見問題的發(fā)生。通過合理的電路設(shè)計和調(diào)試,IR2136能夠充分發(fā)揮其性能優(yōu)勢,為電機驅(qū)動系統(tǒng)提供高效、可靠的驅(qū)動解決方案。
責任編輯:David
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