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ir21531引腳功能

來源:
2025-05-21
類別:基礎(chǔ)知識(shí)
eye 9
文章創(chuàng)建人 拍明芯城

IR21531引腳功能詳解

引言

IR21531是一款由英飛凌(Infineon)公司生產(chǎn)的自激振蕩半橋驅(qū)動(dòng)器集成電路,廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、照明控制等領(lǐng)域。其核心功能是通過驅(qū)動(dòng)半橋電路中的高壓MOSFET或IGBT,實(shí)現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換。IR21531采用8引腳封裝(如DIP-8或SOIC-8),內(nèi)部集成了振蕩器、邏輯控制電路、柵極驅(qū)動(dòng)電路以及保護(hù)功能,能夠簡化外部電路設(shè)計(jì)并提高系統(tǒng)可靠性。本文將詳細(xì)解析IR21531的每個(gè)引腳功能,并結(jié)合其內(nèi)部結(jié)構(gòu)和典型應(yīng)用,為工程師提供全面的設(shè)計(jì)參考。

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IR21531引腳功能詳解

IR21531的引腳排列通常為8引腳封裝,具體引腳功能如下:

1. 引腳1(VCC)——電源供電引腳

VCC是IR21531的電源輸入引腳,用于為芯片內(nèi)部邏輯電路和柵極驅(qū)動(dòng)電路供電。

  • 功能

    • 提供芯片工作所需的直流電壓,典型值為10V至16.8V。

    • 內(nèi)部集成了15.6V的齊納二極管,用于鉗位VCC電壓,防止過壓損壞芯片。

  • 注意事項(xiàng)

    • VCC電壓必須穩(wěn)定,避免電壓波動(dòng)導(dǎo)致芯片工作異常。

    • 建議在VCC引腳附近添加去耦電容(如0.1μF陶瓷電容),以減少電源噪聲。

  • 典型應(yīng)用

    • 在開關(guān)電源中,VCC通常由輔助繞組或外部電源提供。

2. 引腳2(CT)——振蕩器定時(shí)電容引腳

CT是IR21531振蕩器的定時(shí)電容連接引腳,與外部定時(shí)電阻(RT)共同決定芯片的振蕩頻率。

  • 功能

    • 通過外接電容CT和電阻RT,設(shè)置芯片的振蕩頻率。

    • 振蕩頻率公式為:

f=(RT+750)×CT1.4


其中,RT單位為歐姆(Ω),CT單位為法拉(F),頻率單位為赫茲(Hz)。
  • 典型應(yīng)用中,CT取值范圍為100pF至1nF,RT取值范圍為1kΩ至100kΩ。

  • 注意事項(xiàng)

    • CT電容應(yīng)選擇低ESR(等效串聯(lián)電阻)的陶瓷電容,以確保頻率穩(wěn)定性。

    • 振蕩頻率直接影響半橋電路的開關(guān)頻率,需根據(jù)應(yīng)用需求合理選擇。

3. 引腳3(RT)——振蕩器定時(shí)電阻引腳

RT是IR21531振蕩器的定時(shí)電阻連接引腳,與CT共同決定振蕩頻率。

  • 功能

    • 通過調(diào)節(jié)RT的阻值,可以改變振蕩頻率。

    • RT與CT共同構(gòu)成RC振蕩器,頻率計(jì)算公式如上所述。

  • 注意事項(xiàng)

    • RT應(yīng)選擇精度較高的金屬膜電阻,以減少頻率漂移。

    • 在高頻應(yīng)用中,RT的引線電感可能影響頻率穩(wěn)定性,需盡量縮短引線長度。

4. 引腳4(COM)——邏輯地引腳

COM是IR21531的邏輯地引腳,用于為內(nèi)部邏輯電路提供參考電位。

  • 功能

    • 作為所有輸入信號(hào)的參考地。

    • 與功率地(PGND)需分開布線,以減少噪聲干擾。

  • 注意事項(xiàng)

    • COM引腳應(yīng)與電源地(GND)單點(diǎn)連接,避免地環(huán)路。

    • 在多層PCB設(shè)計(jì)中,COM引腳應(yīng)連接到獨(dú)立的邏輯地層。

5. 引腳5(LO)——低端柵極驅(qū)動(dòng)輸出引腳

LO是IR21531的低端柵極驅(qū)動(dòng)輸出引腳,用于驅(qū)動(dòng)半橋電路中的低端MOSFET或IGBT。

  • 功能

    • 輸出脈沖信號(hào),控制低端功率開關(guān)的導(dǎo)通與關(guān)斷。

    • 輸出電流能力:源電流(Source)0.18A,灌電流(Sink)0.26A。

  • 注意事項(xiàng)

    • LO引腳輸出信號(hào)與RT引腳同相。

    • 驅(qū)動(dòng)高端功率開關(guān)時(shí),需通過自舉電路提供浮動(dòng)電源。

6. 引腳6(VS)——高端浮動(dòng)電源偏置引腳

VS是IR21531的高端浮動(dòng)電源偏置引腳,用于為高端柵極驅(qū)動(dòng)電路提供參考電位。

  • 功能

    • 連接至半橋電路的中點(diǎn)(即高端MOSFET的源極或IGBT的發(fā)射極)。

    • 與VB引腳配合,為高端驅(qū)動(dòng)電路提供浮動(dòng)電源。

  • 注意事項(xiàng)

    • VS引腳電壓會(huì)隨半橋中點(diǎn)電壓波動(dòng),需確保自舉電路設(shè)計(jì)合理。

    • 在半橋電路中,VS引腳需承受高壓,需加強(qiáng)絕緣處理。

7. 引腳7(VB)——高端浮動(dòng)電源引腳

VB是IR21531的高端浮動(dòng)電源引腳,用于為高端柵極驅(qū)動(dòng)電路提供電源。

  • 功能

    • 通過外接自舉二極管和自舉電容,從VCC引腳獲取能量,生成浮動(dòng)電源。

    • 高端驅(qū)動(dòng)電路的電源電壓為VB-VS,需確保其高于MOSFET或IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)電壓。

  • 自舉電路設(shè)計(jì)

    • 典型自舉電路包括一個(gè)自舉二極管和一個(gè)自舉電容。

    • 自舉二極管需選擇反向耐壓足夠高的型號(hào)(如600V以上)。

    • 自舉電容需選擇低ESR的陶瓷電容,典型值為0.1μF至1μF。

  • 注意事項(xiàng)

    • VB引腳電壓需高于VS引腳電壓,以確保高端驅(qū)動(dòng)電路正常工作。

    • 在半橋電路中,VS引腳電壓會(huì)隨開關(guān)狀態(tài)變化,需確保自舉電容能夠提供足夠的能量。

8. 引腳8(HO)——高端柵極驅(qū)動(dòng)輸出引腳

HO是IR21531的高端柵極驅(qū)動(dòng)輸出引腳,用于驅(qū)動(dòng)半橋電路中的高端MOSFET或IGBT。

  • 功能

    • 輸出脈沖信號(hào),控制高端功率開關(guān)的導(dǎo)通與關(guān)斷。

    • 輸出電流能力:源電流(Source)0.18A,灌電流(Sink)0.26A。

  • 注意事項(xiàng)

    • HO引腳輸出信號(hào)與LO引腳輸出信號(hào)存在死區(qū)時(shí)間,以防止上下管直通。

    • 死區(qū)時(shí)間由內(nèi)部電路設(shè)定,典型值為600ns,可避免上下管同時(shí)導(dǎo)通導(dǎo)致的短路風(fēng)險(xiǎn)。

IR21531內(nèi)部結(jié)構(gòu)與工作原理

IR21531內(nèi)部主要由以下幾部分組成:

  1. 振蕩器:由RT和CT引腳外接元件決定振蕩頻率,生成PWM信號(hào)。

  2. 邏輯控制電路:生成高端和低端驅(qū)動(dòng)信號(hào),并設(shè)置死區(qū)時(shí)間。

  3. 高端柵極驅(qū)動(dòng)電路:通過自舉電路提供浮動(dòng)電源,驅(qū)動(dòng)高端MOSFET或IGBT。

  4. 低端柵極驅(qū)動(dòng)電路:直接由VCC供電,驅(qū)動(dòng)低端MOSFET或IGBT。

  5. 保護(hù)功能:包括欠壓鎖定(UVLO)、過流保護(hù)(OCP)等。

自舉電路工作原理

自舉電路是IR21531實(shí)現(xiàn)高端驅(qū)動(dòng)的關(guān)鍵。其工作原理如下:

  1. 當(dāng)?shù)投薓OSFET導(dǎo)通時(shí),VCC通過自舉二極管對(duì)自舉電容充電。

  2. 當(dāng)高端MOSFET需要導(dǎo)通時(shí),自舉電容提供浮動(dòng)電源,使高端驅(qū)動(dòng)電路正常工作。

  3. 自舉電容的電壓需高于VCC,以確保高端MOSFET完全導(dǎo)通。

IR21531典型應(yīng)用電路

以下是一個(gè)基于IR21531的典型半橋驅(qū)動(dòng)電路:

  1. 振蕩器部分:RT和CT引腳外接電阻和電容,設(shè)置振蕩頻率。

  2. 自舉電路:自舉二極管和自舉電容連接至VB和VS引腳。

  3. 功率部分:HO和LO引腳分別驅(qū)動(dòng)高端和低端MOSFET。

  4. 電源部分:VCC引腳接10V至16.8V電源,COM引腳接地。

電路設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

  1. 自舉電容選擇

    • 電容值需足夠大,以確保在高端MOSFET導(dǎo)通期間電壓不跌落。

    • 典型值為0.1μF至1μF。

  2. 自舉二極管選擇

    • 需選擇反向恢復(fù)時(shí)間短的超快恢復(fù)二極管。

    • 反向耐壓需高于VCC電壓。

  3. 死區(qū)時(shí)間設(shè)置

    • 死區(qū)時(shí)間由內(nèi)部電路設(shè)定,無需外部調(diào)整。

    • 確保死區(qū)時(shí)間足夠長,以避免上下管直通。

  4. 散熱設(shè)計(jì)

    • IR21531在工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生一定熱量,需合理設(shè)計(jì)散熱路徑。

    • 在高功率應(yīng)用中,建議加裝散熱片。

IR21531應(yīng)用領(lǐng)域

IR21531廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:

  1. 開關(guān)電源:如AC-DC轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器。

  2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng):如無刷直流電機(jī)(BLDC)驅(qū)動(dòng)、步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)。

  3. 照明控制:如LED驅(qū)動(dòng)、熒光燈鎮(zhèn)流器。

  4. 逆變器:如太陽能逆變器、UPS電源。

IR21531優(yōu)勢與特點(diǎn)

  1. 集成度高:內(nèi)部集成了振蕩器、柵極驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)功能,簡化了外部電路設(shè)計(jì)。

  2. 自舉驅(qū)動(dòng):通過自舉電路實(shí)現(xiàn)高端驅(qū)動(dòng),無需外部隔離電源。

  3. 保護(hù)功能完善:包括欠壓鎖定、過流保護(hù)等,提高了系統(tǒng)可靠性。

  4. 頻率可調(diào):通過外接RT和CT元件,可靈活設(shè)置振蕩頻率。

  5. 封裝多樣:提供DIP-8和SOIC-8等多種封裝,適應(yīng)不同應(yīng)用需求。

總結(jié)

IR21531是一款功能強(qiáng)大、應(yīng)用廣泛的半橋驅(qū)動(dòng)器集成電路。其引腳功能設(shè)計(jì)合理,內(nèi)部集成了振蕩器、邏輯控制電路和柵極驅(qū)動(dòng)電路,能夠簡化外部電路設(shè)計(jì)并提高系統(tǒng)可靠性。通過詳細(xì)解析IR21531的引腳功能、內(nèi)部結(jié)構(gòu)、典型應(yīng)用以及設(shè)計(jì)注意事項(xiàng),本文為工程師提供了全面的設(shè)計(jì)參考。在實(shí)際應(yīng)用中,需根據(jù)具體需求選擇合適的外部元件,并注意散熱設(shè)計(jì)和電磁兼容性,以確保系統(tǒng)穩(wěn)定可靠運(yùn)行。


責(zé)任編輯:David

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標(biāo)簽: ir21531

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