74hc574d中文資料


74HC574D中文資料詳解
一、概述
74HC574D是一款基于CMOS工藝的八位D型觸發(fā)器芯片,屬于74HC系列高速邏輯器件。其核心功能是通過時(shí)鐘信號(hào)(CP)的上升沿將輸入數(shù)據(jù)(D0-D7)鎖存至內(nèi)部寄存器,并通過輸出使能端(OE)控制三態(tài)輸出緩沖器的狀態(tài)。該芯片廣泛應(yīng)用于數(shù)字電路設(shè)計(jì)中的數(shù)據(jù)暫存、總線驅(qū)動(dòng)及串并轉(zhuǎn)換等場(chǎng)景,具有高速、低功耗、寬電壓范圍及三態(tài)輸出等特性。
二、核心特性
1. 高速與低功耗
74HC574D采用CMOS工藝,在保持低功耗的同時(shí)實(shí)現(xiàn)了高速操作。典型參數(shù)顯示,在5V供電下,其最大時(shí)鐘頻率可達(dá)123MHz,傳播延遲時(shí)間僅為14ns。這一特性使其能夠滿足高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)男枨?,同時(shí)靜態(tài)電流(ICC)在25℃時(shí)僅為4μA,適合對(duì)功耗敏感的應(yīng)用場(chǎng)景。
2. 三態(tài)輸出與總線驅(qū)動(dòng)
芯片的輸出端采用三態(tài)緩沖設(shè)計(jì),通過OE引腳控制輸出狀態(tài)。當(dāng)OE為低電平時(shí),輸出端呈現(xiàn)正常邏輯電平;當(dāng)OE為高電平時(shí),輸出端進(jìn)入高阻態(tài)(Z狀態(tài)),從而避免總線沖突。這一特性使其非常適合作為總線驅(qū)動(dòng)器,支持多設(shè)備共享同一數(shù)據(jù)總線。
3. 寬電壓范圍與溫度適應(yīng)性
74HC574D支持2V至6V的寬電壓范圍,能夠適應(yīng)不同電源環(huán)境。其工作溫度范圍覆蓋-40℃至125℃,具備工業(yè)級(jí)可靠性,適用于極端環(huán)境下的嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
4. 輸入保護(hù)與ESD防護(hù)
芯片內(nèi)置輸入鉗位二極管,可通過限流電阻連接至高于VCC的電壓,同時(shí)提供超過2000V的HBM ESD防護(hù),有效避免靜電放電或瞬態(tài)過電壓對(duì)芯片的損害。
三、引腳功能與封裝
1. 引腳定義
74HC574D采用20引腳SOIC封裝,引腳功能如下:
D0-D7:8位數(shù)據(jù)輸入端,分別對(duì)應(yīng)8個(gè)觸發(fā)器的輸入。
Q0-Q7:8位數(shù)據(jù)輸出端,受OE控制。
CP(CLK):時(shí)鐘輸入端,上升沿觸發(fā)數(shù)據(jù)鎖存。
OE:輸出使能端,低電平有效。
VCC:電源正極(2V-6V)。
GND:電源地。
2. 封裝形式
芯片提供多種封裝選項(xiàng),包括SOIC-20、TSSOP-20等,滿足不同PCB設(shè)計(jì)需求。SOIC-20封裝尺寸為7.5mm(寬)×12.8mm(長),引腳節(jié)距1.27mm,適合表面貼裝工藝。
四、工作原理
1. 數(shù)據(jù)鎖存機(jī)制
74HC574D內(nèi)部包含8個(gè)獨(dú)立的D型觸發(fā)器,每個(gè)觸發(fā)器對(duì)應(yīng)一個(gè)數(shù)據(jù)輸入端(D0-D7)和一個(gè)輸出端(Q0-Q7)。在時(shí)鐘信號(hào)(CP)的上升沿,觸發(fā)器會(huì)鎖存輸入端的數(shù)據(jù)狀態(tài)。例如,若D0在CP上升沿時(shí)為高電平,則Q0將保持高電平,直到下一個(gè)有效上升沿到來。
2. 輸出使能控制
輸出使能端(OE)用于控制三態(tài)輸出緩沖器的狀態(tài):
OE=低電平:輸出端(Q0-Q7)呈現(xiàn)正常邏輯電平,數(shù)據(jù)可被外部電路讀取。
OE=高電平:輸出端進(jìn)入高阻態(tài),相當(dāng)于與總線斷開連接,避免總線沖突。
3. 邊沿觸發(fā)特性
芯片采用正邊沿觸發(fā)設(shè)計(jì),即僅在CP信號(hào)從低電平跳變至高電平的瞬間捕獲輸入數(shù)據(jù)。這一特性使其對(duì)時(shí)鐘信號(hào)的噪聲免疫能力較強(qiáng),適合在噪聲較大的工業(yè)環(huán)境中使用。
五、電氣特性
1. 關(guān)鍵參數(shù)
供電電壓范圍:2V-6V
最大時(shí)鐘頻率:123MHz(5V供電下)
傳播延遲時(shí)間:14ns(5V供電下)
輸出電流能力:
高電平輸出電流(IOH):-7.8mA
低電平輸出電流(IOL):7.8mA
靜態(tài)電流(ICC):4μA(25℃)
2. 輸入輸出邏輯電平
輸入高電平(VIH):1.5V-4.2V
輸入低電平(VIL):0.5V-1.8V
輸出高電平(VOH):VCC-0.1V(最小值)
輸出低電平(VOL):0.1V(最大值)
3. 負(fù)載電容與驅(qū)動(dòng)能力
芯片支持最大50pF的負(fù)載電容,每個(gè)輸出端可驅(qū)動(dòng)7.8mA的電流,適合直接驅(qū)動(dòng)LED、繼電器等負(fù)載。
六、應(yīng)用場(chǎng)景
1. 數(shù)據(jù)暫存與緩沖
在微控制器系統(tǒng)中,74HC574D常用于擴(kuò)展I/O端口或暫存中間數(shù)據(jù)。例如,在8051單片機(jī)系統(tǒng)中,可通過74HC574D將P0口的8位數(shù)據(jù)鎖存,釋放P0口用于其他用途。
2. 總線驅(qū)動(dòng)與隔離
在多設(shè)備共享總線的系統(tǒng)中,74HC574D可作為總線驅(qū)動(dòng)器,通過OE引腳控制設(shè)備與總線的連接狀態(tài)。例如,在SPI總線擴(kuò)展中,可通過74HC574D實(shí)現(xiàn)多個(gè)從設(shè)備的分時(shí)訪問。
3. 串并轉(zhuǎn)換
芯片支持串行數(shù)據(jù)輸入與并行數(shù)據(jù)輸出的轉(zhuǎn)換。例如,在串行通信中,可通過移位寄存器將串行數(shù)據(jù)逐位移入74HC574D,再通過并行輸出端一次性讀取8位數(shù)據(jù)。
4. 邏輯電平轉(zhuǎn)換
由于74HC574D支持2V-6V的寬電壓范圍,可用于不同電平標(biāo)準(zhǔn)之間的轉(zhuǎn)換。例如,在3.3V系統(tǒng)與5V系統(tǒng)之間,可通過74HC574D實(shí)現(xiàn)電平匹配。
七、典型應(yīng)用電路
1. 基本數(shù)據(jù)鎖存電路
電路說明:
D0-D7連接至數(shù)據(jù)源(如微控制器I/O口)。
CP連接至?xí)r鐘信號(hào)(如微控制器輸出)。
OE連接至低電平(始終使能輸出)。
Q0-Q7連接至負(fù)載(如LED、繼電器等)。
2. 總線驅(qū)動(dòng)電路
電路說明:
多片74HC574D的Q0-Q7并聯(lián)至總線。
每片芯片的OE引腳通過譯碼器控制,實(shí)現(xiàn)分時(shí)訪問。
CP引腳連接至公共時(shí)鐘信號(hào)。
3. 串并轉(zhuǎn)換電路
電路說明:
串行數(shù)據(jù)通過移位寄存器(如74HC164)逐位移入74HC574D。
每8位數(shù)據(jù)移入完成后,通過CP上升沿鎖存。
并行數(shù)據(jù)通過Q0-Q7輸出。
八、設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
1. 時(shí)鐘信號(hào)質(zhì)量
時(shí)鐘信號(hào)(CP)的上升沿應(yīng)陡峭,避免過長的上升時(shí)間導(dǎo)致數(shù)據(jù)鎖存錯(cuò)誤。
建議在CP引腳附近添加去耦電容(如0.1μF),抑制電源噪聲。
2. 輸出使能控制
在多設(shè)備共享總線的系統(tǒng)中,應(yīng)確保OE引腳的控制邏輯正確,避免總線沖突。
OE引腳可通過上拉電阻(如10kΩ)默認(rèn)拉高,確保芯片在未使能時(shí)輸出高阻態(tài)。
3. 電源與接地設(shè)計(jì)
電源引腳(VCC)應(yīng)就近連接至去耦電容,減少電源噪聲。
接地引腳(GND)應(yīng)與PCB的地平面充分連接,降低地線阻抗。
4. 負(fù)載匹配
輸出端(Q0-Q7)的負(fù)載電容不應(yīng)超過50pF,否則可能導(dǎo)致信號(hào)失真。
若需驅(qū)動(dòng)大電流負(fù)載,可通過三極管或緩沖器(如74HC244)擴(kuò)展驅(qū)動(dòng)能力。
九、常見問題與解決方案
1. 輸出數(shù)據(jù)不穩(wěn)定
原因:時(shí)鐘信號(hào)(CP)存在毛刺或抖動(dòng)。
解決方案:優(yōu)化時(shí)鐘信號(hào)路徑,添加施密特觸發(fā)器(如74HC14)整形信號(hào)。
2. 輸出高阻態(tài)失效
原因:OE引腳未正確拉高或存在干擾。
解決方案:檢查OE引腳的控制邏輯,添加上拉電阻(如10kΩ)。
3. 數(shù)據(jù)鎖存錯(cuò)誤
原因:輸入數(shù)據(jù)(D0-D7)在CP上升沿附近變化。
解決方案:確保輸入數(shù)據(jù)在CP上升沿前滿足建立時(shí)間(tSU)和保持時(shí)間(tH)要求。
4. 芯片過熱
原因:供電電壓過高或負(fù)載電流過大。
解決方案:檢查供電電壓是否在2V-6V范圍內(nèi),降低負(fù)載電流或增加散熱措施。
十、替代型號(hào)與選型指南
1. 替代型號(hào)
SN74HC574DWR:德州儀器(TI)生產(chǎn)的兼容型號(hào),封裝與引腳功能完全一致。
74VHC574:意法半導(dǎo)體(ST)生產(chǎn)的高速版本,最大時(shí)鐘頻率提升至180MHz。
AIP74HC574:國產(chǎn)兼容型號(hào),性能與74HC574D相當(dāng),價(jià)格更具優(yōu)勢(shì)。
2. 選型指南
高速應(yīng)用:選擇74VHC574等高速版本。
低功耗應(yīng)用:選擇74HC574D等標(biāo)準(zhǔn)CMOS版本。
工業(yè)環(huán)境:選擇支持-40℃至125℃寬溫范圍的型號(hào)。
十一、總結(jié)
74HC574D作為一款經(jīng)典的八位D型觸發(fā)器芯片,憑借其高速、低功耗、三態(tài)輸出及寬電壓范圍等特性,在數(shù)字電路設(shè)計(jì)中占據(jù)重要地位。無論是數(shù)據(jù)暫存、總線驅(qū)動(dòng)還是串并轉(zhuǎn)換,74HC574D都能提供可靠的解決方案。通過合理設(shè)計(jì)電路、優(yōu)化信號(hào)路徑及注意負(fù)載匹配,可充分發(fā)揮其性能優(yōu)勢(shì),滿足各種復(fù)雜應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
責(zé)任編輯:David
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