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什么是二極管正負(fù),二極管正負(fù)的基礎(chǔ)知識(shí)?

來(lái)源:
2025-06-03
類別:技術(shù)信息
eye 1
文章創(chuàng)建人 拍明芯城

引言
二極管是電子技術(shù)和電路設(shè)計(jì)中最基本、最常見的半導(dǎo)體器件之一。深入理解二極管的正負(fù)極(也稱陽(yáng)極和陰極)及其極性性質(zhì),對(duì)于學(xué)習(xí)與應(yīng)用電子電路的初學(xué)者以及工程技術(shù)人員都具有重要意義。二極管的極性決定了電流的流向,只有當(dāng)外加電壓滿足特定的方向時(shí),二極管才能導(dǎo)通;相反,當(dāng)外加電壓方向與二極管極性相反時(shí),它會(huì)截止,從而阻止電流通過(guò)。本文將從二極管的基本概念入手,結(jié)合PN結(jié)結(jié)構(gòu)、工作原理、極性識(shí)別、正向和反向工作狀態(tài)、伏安特性,以及二極管的常見分類與特點(diǎn),深入探討二極管的正負(fù)極及其基礎(chǔ)知識(shí)。通過(guò)豐富的文字闡述和詳細(xì)的技術(shù)解讀,幫助讀者全面了解如何識(shí)別二極管的極性、正確使用二極管,以及在電路中避免極性接反所帶來(lái)的故障,進(jìn)而提升電路設(shè)計(jì)與故障排查能力。

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二極管的基本概念
二極管是一種由P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體通過(guò)摻雜工藝形成的PN結(jié)結(jié)構(gòu)而成的半導(dǎo)體器件,具有單向?qū)щ娦?,即只能在特定方向上?dǎo)通電流,而在相反方向上阻止電流流動(dòng)。二極管的核心結(jié)構(gòu)是將P型半導(dǎo)體(富含空穴的區(qū))與N型半導(dǎo)體(富含電子的區(qū))通過(guò)高溫?cái)U(kuò)散、外延或離子注入等工藝緊密結(jié)合,形成一個(gè)PN結(jié)。在PN結(jié)形成的區(qū)域,電子與空穴相遇復(fù)合,產(chǎn)生空間電荷區(qū)或者稱為耗盡區(qū),該區(qū)域中缺乏自由載流子,但存在固定的離子電荷,使PN結(jié)產(chǎn)生內(nèi)部電場(chǎng)。這一內(nèi)部電場(chǎng)決定了二極管的電流流動(dòng)特性。正因?yàn)镻N結(jié)內(nèi)部電場(chǎng)的存在,當(dāng)外加電壓使P型區(qū)電位高于N型區(qū)電位(即正向偏置)時(shí),電子與空穴能夠越過(guò)勢(shì)壘,二極管導(dǎo)通;當(dāng)外加電壓方向與內(nèi)部電場(chǎng)相同(即反向偏置)時(shí),勢(shì)壘加寬,二極管截止,僅有極微小的反向漏電流。二極管最顯著的特點(diǎn)就是單向?qū)щ娦院碗妷航堤匦裕ǔT谡驅(qū)〞r(shí)會(huì)有一定的壓降(約0.6V左右,具體取決于材料和結(jié)構(gòu));在反向偏置狀態(tài)下,幾乎無(wú)電流通過(guò),直至擊穿電壓被超過(guò)時(shí)發(fā)生雪崩或齊納擊穿現(xiàn)象。除了單向?qū)щ姷幕緦傩酝猓O管還可以根據(jù)不同摻雜濃度和半導(dǎo)體材料類型而表現(xiàn)出不同的電學(xué)特性,如低正向壓降、快速恢復(fù)時(shí)間、低反向恢復(fù)等,因而衍生出各類二極管,如整流二極管、肖特基二極管、變?nèi)荻O管、發(fā)光二極管、齊納二極管等,用于滿足不同電子電路應(yīng)用需求。

PN結(jié)結(jié)構(gòu)與工作原理
二極管的核心在于P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體的結(jié)合,即PN結(jié)(P-N junction)。P型半導(dǎo)體通過(guò)摻入三價(jià)元素(如硼)使晶體中產(chǎn)生空穴;N型半導(dǎo)體通過(guò)摻入五價(jià)元素(如磷)使晶體中產(chǎn)生自由電子。當(dāng)P區(qū)和N區(qū)結(jié)合時(shí),N區(qū)的高濃度電子會(huì)擴(kuò)散到P區(qū)與P區(qū)的空穴復(fù)合,同時(shí)P區(qū)的空穴也會(huì)擴(kuò)散到N區(qū)與電子復(fù)合。這種擴(kuò)散和復(fù)合過(guò)程會(huì)在PN結(jié)邊界處形成耗盡區(qū),耗盡區(qū)內(nèi)由于電子與空穴復(fù)合留下了帶電離子,這些固定離子在空間上形成一個(gè)內(nèi)部電場(chǎng)(勢(shì)壘電場(chǎng))。內(nèi)部電場(chǎng)由N區(qū)指向P區(qū),形成一個(gè)從N區(qū)到P區(qū)的電位勢(shì)壘,這個(gè)電勢(shì)勢(shì)壘通常為0.6V左右(硅PN結(jié))。此時(shí),如果外加電壓未跨越這個(gè)勢(shì)壘,二極管呈截止?fàn)顟B(tài);若外加電壓方向恰好與勢(shì)壘電場(chǎng)相反(即P區(qū)加正電壓、N區(qū)加負(fù)電壓,使內(nèi)外電場(chǎng)方向相反),則外加電壓抵消內(nèi)部勢(shì)壘,縮窄耗盡區(qū)寬度,載流子得以跨越勢(shì)壘,二極管呈現(xiàn)導(dǎo)通狀態(tài)。工作原理可以分為兩種基本狀態(tài):正向偏置與反向偏置。正向偏置時(shí),P區(qū)施加正電壓,N區(qū)施加負(fù)電壓,外加電場(chǎng)方向與耗盡區(qū)內(nèi)部電場(chǎng)方向相反,勢(shì)壘降低,當(dāng)外加電壓超過(guò)約0.6V(硅二極管)時(shí),大量電子和空穴跨過(guò)勢(shì)壘,產(chǎn)生正向電流,二極管導(dǎo)通且電壓降趨向于0.6~0.7V;反向偏置時(shí),P區(qū)施加負(fù)電壓,N區(qū)施加正電壓,外加電場(chǎng)方向與內(nèi)部電場(chǎng)方向相同,勢(shì)壘加大,耗盡區(qū)寬度變寬,載流子難以跨越勢(shì)壘,二極管呈截止?fàn)顟B(tài),僅有極微少量的反向漏電流。當(dāng)反向電壓繼續(xù)增大超過(guò)二極管的反向擊穿電壓(如雪崩擊穿或齊納擊穿),二極管才能產(chǎn)生大電流,此時(shí)器件往往會(huì)因過(guò)熱損毀或觸發(fā)齊納(二極管分為普通擊穿型與專門的齊納型)。

二極管的正負(fù)極與極性識(shí)別

  • 二極管極性的基本概念
    二極管的兩個(gè)引腳在電路中具有明確的“正極”(陽(yáng)極,也稱A極)和“負(fù)極”(陰極,也稱K極)之分。通常情況下,將P型半導(dǎo)體一側(cè)定義為陽(yáng)極,將N型半導(dǎo)體一側(cè)定義為陰極。當(dāng)陽(yáng)極(P區(qū))施加較高電位、電流方向從陽(yáng)極流向陰極時(shí),二極管導(dǎo)通;當(dāng)陰極(N區(qū))施加較高電位、試圖使電流反向流動(dòng)時(shí),二極管截止。識(shí)別二極管極性對(duì)于器件正確接入電路、保障電路正常工作具有極大意義。

  • 常見二極管外觀極性標(biāo)識(shí)
    不同封裝形式的二極管在外觀上會(huì)有特定的極性標(biāo)注和識(shí)別方法,例如:

    1. 軸向引線封裝(二極管管殼)
      通常在二極管管殼上會(huì)看到一個(gè)寬的環(huán)形金屬帶(或稱環(huán)形條),該金屬帶所在一端即為陰極(負(fù)極),另一端為陽(yáng)極(正極)。例如常見的1N400x系列整流二極管,黑色塑料外殼的一端有銀色金屬環(huán),表明該端為陰極。

    2. 貼片封裝(SMD/SMT封裝)二極管
      貼片二極管往往在器件頂部會(huì)有一條或兩條標(biāo)記線,一般一條粗線代表陰極;少數(shù)型號(hào)會(huì)有不同的形狀標(biāo)識(shí)(如三角形或箭頭形狀),但實(shí)際上用戶只需記住粗線一側(cè)接陰極。

    3. 發(fā)光二極管(LED)
      發(fā)光二極管通常會(huì)通過(guò)更粗的引腳長(zhǎng)度區(qū)分:長(zhǎng)腳為陽(yáng)極(正極),短腳為陰極(負(fù)極)。此外,塑料透明封裝底部常有一個(gè)平面切口或平面一側(cè)為陰極標(biāo)志。

    4. 特殊封裝與彩色標(biāo)識(shí)
      某些特殊類型或高功率二極管,可能在管殼或金屬封裝上會(huì)有顏色標(biāo)記(如紅點(diǎn)、凹口),這些都需結(jié)合器件數(shù)據(jù)手冊(cè)確認(rèn)具體標(biāo)記含義,以準(zhǔn)確區(qū)分陽(yáng)極與陰極。

  • 極性識(shí)別的重要性
    錯(cuò)誤識(shí)別二極管極性并將其接反,通常會(huì)導(dǎo)致二極管處于反向偏置狀態(tài),若電路中需要二極管導(dǎo)通時(shí)會(huì)導(dǎo)致電路不通,從而出現(xiàn)電路功能失效。若二極管接入場(chǎng)合為整流、限流、保護(hù)等關(guān)鍵位置,極性錯(cuò)誤可能帶來(lái)元件失效、整個(gè)電源倒灌、電路燒毀甚至安全隱患。此外,特定的二極管(如齊納二極管、肖特基二極管)在設(shè)計(jì)時(shí)已針對(duì)正向或反向特性優(yōu)化,一旦極性接反,其本應(yīng)在穩(wěn)定電壓或快速開關(guān)時(shí)的性能將完全無(wú)效。

  • 實(shí)踐中如何快速判斷二極管極性

    1. 觀察封裝上的極標(biāo):軸向封裝看銀環(huán)一側(cè)為陰極,貼片封裝看粗線一側(cè)為陰極,LED看長(zhǎng)短腳及底部平面。

    2. 萬(wàn)用表測(cè)量二極管檔(Diode Test):在萬(wàn)用表二極管測(cè)試檔,將紅表筆(正極)接二極管腳看,黑表筆(負(fù)極)接另一腳,若萬(wàn)用表顯示約0.6V左右的壓降,則紅筆接觸的是陽(yáng)極,黑筆接觸的是陰極;若萬(wàn)用表顯示“OL”或較大的阻值,則表明所測(cè)方向?yàn)榉聪?,即紅筆接在陰極、黑筆接在陽(yáng)極。通過(guò)多次測(cè)量即可確認(rèn)哪個(gè)腳為陽(yáng)極,哪個(gè)腳為陰極。

    3. 參考器件數(shù)據(jù)手冊(cè):尤其是在遇到外觀標(biāo)識(shí)不明顯或新型號(hào)二極管時(shí),應(yīng)及時(shí)翻閱器件的制造商數(shù)據(jù)手冊(cè),尋找準(zhǔn)確的極性標(biāo)識(shí)說(shuō)明,以避免誤判?!?/span>

二極管的正向和反向工作狀態(tài)
在了解了二極管的極性并正確識(shí)別陽(yáng)極和陰極后,需要深入理解其在電路中正向偏置(Forward Bias)與反向偏置(Reverse Bias)兩種狀態(tài)下的行為特征。

  • 正向偏置狀態(tài)下的導(dǎo)通特性
    當(dāng)外加電壓使得陽(yáng)極(P區(qū))相對(duì)于陰極(N區(qū))具有更高的電勢(shì)(即加正電壓于陽(yáng)極,加負(fù)電壓于陰極),外加電場(chǎng)的方向與PN結(jié)內(nèi)部的勢(shì)壘電場(chǎng)相反,形成抵消作用,使耗盡區(qū)的勢(shì)壘高度大幅降低。當(dāng)外加電壓低于PN結(jié)勢(shì)壘電壓(硅二極管約0.6V,鍺二極管約0.2V)時(shí),雖然勢(shì)壘降低,但載流子穿越勢(shì)壘的概率仍然很低,電流很小;當(dāng)外加電壓逐漸超過(guò)勢(shì)壘電壓后,電子與空穴將大量注入對(duì)方區(qū)域,通過(guò)復(fù)合過(guò)程產(chǎn)生正向電流。此時(shí)二極管的正向電阻迅速降低,電流迅速增大,而電壓卻只維持在一個(gè)相對(duì)穩(wěn)定的值上下波動(dòng)(常見約0.60.7V),這也是二極管在導(dǎo)通時(shí)我們通常觀察到的正向壓降。對(duì)于不同材料和不同結(jié)構(gòu)的二極管,這一壓降會(huì)有所差異,例如:肖特基二極管的正向壓降通常僅在0.20.3V之間,因此在高速開關(guān)電路或低壓差場(chǎng)合中尤為重要。導(dǎo)通期間二極管兩端的壓降與流過(guò)的電流之間的關(guān)系近似指數(shù)曲線,這一關(guān)系由二極管的Shockley方程描述,但在實(shí)際應(yīng)用中可近似認(rèn)為在一定的電流范圍內(nèi)壓降較為恒定。

  • 反向偏置狀態(tài)下的截止特性
    當(dāng)外加電壓方向與正向偏置相反,即加正電壓于陰極、加負(fù)電壓于陽(yáng)極,外加電場(chǎng)與PN結(jié)的內(nèi)部勢(shì)壘電場(chǎng)同向,使耗盡區(qū)勢(shì)壘高度增大,耗盡區(qū)寬度擴(kuò)展。此時(shí)電子和空穴無(wú)法克服更高的勢(shì)壘進(jìn)行跨越,二極管處于截止?fàn)顟B(tài),僅有極微小的反向漏電流(主要由少數(shù)載流子擴(kuò)散或表面漏電等引起),漏電流通常在微安級(jí)甚至納安級(jí),在一般電路中可忽略不計(jì)。然而,當(dāng)反向電壓逐漸增大至二極管的最大反向耐壓(VRRM)時(shí),耗盡區(qū)寬度達(dá)到一定限度,擊穿現(xiàn)象就會(huì)發(fā)生。這可能是雪崩擊穿(Avalanche Breakdown)或齊納擊穿(Zener Breakdown),根據(jù)摻雜濃度與PN結(jié)設(shè)計(jì)不同而定。當(dāng)擊穿電壓被超過(guò)時(shí),載流子在高電場(chǎng)下被加速,產(chǎn)生更多的電子-空穴對(duì),導(dǎo)致電流通過(guò)急劇增大。如果電路中沒有限流措施,大電流會(huì)燒毀二極管,但在專門設(shè)計(jì)的齊納二極管中,擊穿電壓被用作穩(wěn)壓功能。

  • 導(dǎo)通/截止切換過(guò)程與恢復(fù)時(shí)間
    在小信號(hào)二極管以及大功率開關(guān)二極管中,除了正向?qū)妷汉头聪蚵╇娏?,這些器件還具有與載流子儲(chǔ)存和耗盡區(qū)變化相關(guān)的動(dòng)態(tài)行為,尤其體現(xiàn)在從導(dǎo)通狀態(tài)切換到截止?fàn)顟B(tài)的“反向恢復(fù)”過(guò)程。反向恢復(fù)時(shí)間(trr)是指當(dāng)二極管從正向?qū)顟B(tài)快速轉(zhuǎn)變到反向偏置時(shí),需要經(jīng)過(guò)多長(zhǎng)時(shí)間才能讓存儲(chǔ)的少數(shù)載流子完全消失,使得器件能夠真正切換到截止?fàn)顟B(tài)。肖特基二極管由于沒有明顯的少數(shù)載流子存儲(chǔ)區(qū),其反向恢復(fù)時(shí)間非常短,通常在納秒級(jí)甚至更低;而普通硅整流二極管因存儲(chǔ)較多載流子,反向恢復(fù)時(shí)間可能達(dá)到數(shù)百納秒至微秒不等。在高速開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)合,反向恢復(fù)時(shí)間選擇至關(guān)重要,否則將造成開關(guān)損耗增加、電磁干擾加劇以及效率下降。

二極管的伏安特性
二極管的伏安特性曲線(I-V特性曲線)是研究和理解器件在不同電壓條件下對(duì)電流響應(yīng)的基礎(chǔ)。通常將二極管的伏安特性分為正向區(qū)、反向區(qū)和擊穿區(qū)三部分。

  • 正向區(qū)特性
    當(dāng)外加電壓V(V_D)大于PN結(jié)勢(shì)壘電壓(V_γ)時(shí)(V_D > V_γ),二極管進(jìn)入導(dǎo)通區(qū)域,此區(qū)內(nèi)的電流I_D與施加電壓近似呈指數(shù)關(guān)系,可以由Shockley方程表達(dá):
    ID=IS(eVDnVT?1)I_D = I_S left( e^{frac{V_D}{nV_T}} - 1 ight)ID=IS(enVTVD?1)
    其中,I_S為反向飽和電流,V_T為熱電壓(約為26mV@300K),n為理想系數(shù)(12之間)。在實(shí)際電路中,當(dāng)V_D超過(guò)約0.60.7V時(shí),指數(shù)函數(shù)迅速增長(zhǎng),而二極管的內(nèi)部串聯(lián)電阻Rs和外部電路限制前提下,電流呈線性增長(zhǎng)但電壓變化較小,因此常近似認(rèn)為二極管在導(dǎo)通時(shí)壓降恒定在0.6V上下。隨著電流繼續(xù)增大,二極管內(nèi)部結(jié)合電阻和金屬化接觸、電極引線的電阻導(dǎo)致壓降進(jìn)一步上揚(yáng),但在大多數(shù)電路中無(wú)需過(guò)度關(guān)注。

  • 反向區(qū)特性
    當(dāng)外加電壓V_D為負(fù)值(即陽(yáng)極比陰極電位更低)時(shí),外加電場(chǎng)與PN結(jié)的內(nèi)建電場(chǎng)同向,使耗盡區(qū)寬度增加。此時(shí),載流子無(wú)法跨越勢(shì)壘,只存在由少數(shù)載流子產(chǎn)生的反向飽和電流I_S。該電流的大小通常很?。ü瓒O管為納安至微安量級(jí)),在正常工作條件下可忽略。隨著負(fù)向電壓幅度增加,反向電流變化不大,直到接近二極管的最大反向耐壓(PIV或VRRM)時(shí)才會(huì)突然躍升,引發(fā)擊穿。

  • 擊穿區(qū)特性
    當(dāng)外加反向電壓超過(guò)二極管的擊穿電壓V_BR時(shí),會(huì)出現(xiàn)雪崩擊穿(Silicon Avalanche)或齊納擊穿(Zener)現(xiàn)象,導(dǎo)致反向電流急劇增大。如果二極管不是專門設(shè)計(jì)為穩(wěn)壓二極管,在此區(qū)域長(zhǎng)時(shí)間工作將損壞器件;如果是齊納二極管,設(shè)計(jì)者利用擊穿電壓穩(wěn)定在某一特定值,通過(guò)控制極性的方式將其用作電壓參考或基準(zhǔn)源。擊穿區(qū)的斜率取決于器件設(shè)計(jì)與散熱條件。

  • 溫度與工況對(duì)特性的影響
    二極管的I-V特性對(duì)溫度敏感。隨著溫度升高,半導(dǎo)體PN結(jié)內(nèi)的載流子濃度增加,勢(shì)壘電壓會(huì)略微降低(硅二極管約每升高1℃則正向壓降減少約2mV至3mV),反向飽和電流則顯著增大。因此在高溫環(huán)境下,二極管的正向壓降略有下降,但漏電流則可能增大,需要在電路設(shè)計(jì)中考慮溫度補(bǔ)償與散熱;相反,溫度過(guò)低時(shí)正向壓降微幅上升,漏電流減小,對(duì)電路造成的影響相對(duì)有限。高功率二極管或結(jié)溫較高時(shí),還需關(guān)注熱阻與熱峰值,從而避免因過(guò)熱而觸發(fā)熱失控(Thermal Runaway)。

二極管的分類與特點(diǎn)
二極管隨著發(fā)展演變出多種不同類型,針對(duì)不同應(yīng)用場(chǎng)景,其結(jié)構(gòu)和摻雜工藝各不相同,從而展現(xiàn)出不同的特性。以下列舉常見二極管類型,并分別介紹其特點(diǎn)與應(yīng)用。

  • 普通整流二極管
    常見型號(hào):1N40011N4007系列、1N54001N5408系列、BY系列、UF(Ultra Fast)系列等。
    普通整流二極管以硅PN結(jié)為基礎(chǔ),主要用于電源整流,將交流電轉(zhuǎn)換為直流電。其特點(diǎn)是正向壓降約0.7V,最大正向電流可達(dá)幾十至幾百毫安或更大,反向耐壓范圍覆蓋從50V到1000V以上。普通整流二極管的反向恢復(fù)時(shí)間(trr)較長(zhǎng)(數(shù)十微秒),不適合高頻開關(guān)電路,需要選擇快恢復(fù)或超快恢復(fù)型號(hào)。它們的封裝多為軸向玻璃通孔或塑封、以及功率型半橋(金屬外殼)等,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、可靠性高、成本 低廉。

  • 肖特基二極管
    常見型號(hào):1N58171N5819、SS14SS36、MBRS系列等。
    肖特基二極管不同于普通硅PN結(jié),而是由金屬與半導(dǎo)體形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)(Schottky barrier)。它具有極低的正向壓降(約0.2V~0.3V),快速恢復(fù)特性,反向恢復(fù)時(shí)間極短(納秒級(jí)或更低),漏電流相對(duì)較大。因其低正向壓降特性,可在低壓差、低損耗應(yīng)用場(chǎng)景中發(fā)揮優(yōu)勢(shì),如開關(guān)電源中的續(xù)流二極管、低壓大電流整流、本地旁路保護(hù)等。由于反向漏電流大于普通二極管,因此在高溫環(huán)境或高耐壓需求場(chǎng)合需謹(jǐn)慎選型。肖特基二極管封裝多為SMA、SMB、SMC等表貼封裝,也有TO-220、TO-247等功率型封裝。

  • 變?nèi)荻O管(或稱調(diào)容二極管)
    常見型號(hào):1N4003C、BBY系列、BB204等。
    變?nèi)荻O管的PN結(jié)摻雜濃度與普通二極管不同,其耗盡區(qū)寬度對(duì)外加反向電壓極為敏感,當(dāng)反向偏置電壓變化時(shí),耗盡區(qū)寬度隨之變化,從而PN結(jié)的結(jié)電容(Cj)發(fā)生變化。結(jié)電容的變化量與反向電壓成反比,遵循公式:
    Cj=Cj01+VRV0C_j = frac{C_{j0}}{sqrt{1 + frac{V_R}{V_0}}}
    其中,C_{j0}為零偏電壓下的結(jié)電容,V_R為外加反向電壓,V_0為勢(shì)壘電壓或引導(dǎo)參數(shù)。變?nèi)荻O管廣泛用于射頻調(diào)諧電路、壓控振蕩器(VCO)、相位鎖定環(huán)(PLL)及調(diào)頻(FM)前端匹配電路等,因?yàn)槠浣Y(jié)電容隨電壓可調(diào),能夠取代可調(diào)電容實(shí)現(xiàn)電子調(diào)諧。

  • 發(fā)光二極管(LED)
    常見型號(hào):綠光LED(如HLMP-C315、Cree XP系列)、紅光LED、藍(lán)光LED、白光LED、高亮度LED、貼片LED(SMD)等。
    發(fā)光二極管是在PN結(jié)中摻入特定化合物半導(dǎo)體(如GaAs、GaP、GaN、InGaN等),當(dāng)二極管在正向偏置下通電時(shí),電子與空穴在PN結(jié)處復(fù)合時(shí)將能量以光子形式發(fā)射,從而實(shí)現(xiàn)發(fā)光。發(fā)光二極管既能顯示數(shù)字、文本,也能作為背光、指示燈、照明光源等。LED的正向壓降隨不同材料可在1.8V(紅光、黃光)到3.2V(藍(lán)光、白光)不等,導(dǎo)通電流范圍從幾毫安到數(shù)百毫安(大功率LED)。LED的壽命長(zhǎng)、光效高、響應(yīng)速度快,是現(xiàn)代照明以及顯示技術(shù)的重要基礎(chǔ)。

  • 齊納二極管(穩(wěn)壓二極管)
    常見型號(hào):1N4728A1N4764A系列(2.4V100V)、BZX55C系列、MMBZ系列、小信號(hào)齊納(SS14Z系列)等。
    齊納二極管通常采用高摻雜PN結(jié),當(dāng)在反向偏置時(shí),當(dāng)電壓達(dá)到其特定的齊納擊穿電壓(Vz)時(shí),二極管發(fā)生受控?fù)舸┎⒈3蛛妷夯竞愣?,無(wú)論電流在一定范圍內(nèi)如何變化,其兩端電壓幾乎不變。此特性使其常用于穩(wěn)壓電路、過(guò)壓保護(hù)、基準(zhǔn)電壓源等場(chǎng)合。例如,若需要在5V電源中提供穩(wěn)定的5.1V參考,可以選擇一只5.1V齊納二極管與限流電阻串聯(lián),形成簡(jiǎn)單的穩(wěn)壓電路。需要注意的是,齊納二極管的最大功耗(P_Z)決定了其所能承受的最大穩(wěn)定電流。

  • 整流快速恢復(fù)二極管與超快恢復(fù)二極管
    常見型號(hào):UF400x系列、FR102FR107系列、HER系列、SF系列、SS32SS34、VS-HP系列等。
    為了滿足開關(guān)電源、高頻整流等領(lǐng)域?qū)焖偾袚Q要求,出現(xiàn)了快速恢復(fù)二極管(Fast Recovery Diode,F(xiàn)RD)和超快恢復(fù)二極管(Ultra-Fast Recovery Diode,UFRED)。相較于普通整流二極管,它們?cè)趶膶?dǎo)通切換到截止時(shí)的反向恢復(fù)時(shí)間顯著縮短(數(shù)十納秒到幾百納秒),從而減少開關(guān)損耗和電磁干擾,提高電源效率。超快恢復(fù)二極管在更高頻率(數(shù)百kHz以上)開關(guān)中表現(xiàn)更佳,但其相對(duì)正向壓降略高于普通二極管,且價(jià)格較高。

  • 晶體管二極管(突出型)與隧穿二極管(Tunnel Diode)
    晶體管二極管(如肖特基二極管變體)與隧穿二極管屬于高頻與微波應(yīng)用領(lǐng)域。隧穿二極管因其獨(dú)特的負(fù)阻特性(I-V曲線在某段范圍內(nèi)呈現(xiàn)電流隨電壓增大而減?。┒挥米魑⒉ㄕ袷幤?、射頻放大器和混頻器。它利用量子力學(xué)效應(yīng),當(dāng)PN結(jié)摻雜非常高時(shí)勢(shì)壘足夠窄使得電子通過(guò)勢(shì)壘時(shí)產(chǎn)生隧穿,導(dǎo)致在特定電壓范圍出現(xiàn)負(fù)阻區(qū),可實(shí)現(xiàn)高頻振蕩。但該器件需要冷卻,制造工藝復(fù)雜,使用范圍受限。

二極管的封裝和標(biāo)記
二極管種類繁多,封裝形式也因應(yīng)用場(chǎng)合不同而異,從而需要了解不同封裝的外部結(jié)構(gòu)與極性標(biāo)記方式。

  • 軸向通孔封裝
    軸向通孔二極管外形通常為圓柱形塑料或玻璃封裝,中間夾有金屬環(huán)或者金屬帶作為陰極標(biāo)識(shí)。如1N4148、1N400x、BY系列等。使用時(shí)需注意方向,銀環(huán)一端接電路中較低電位或電源負(fù)極側(cè)。

  • 貼片封裝(SMD/SMT)
    貼片二極管常見形式有SOD-123、SOD-323、SMA、SMB、SMC等。器件頂部或表面印有一條或多條不同寬度的標(biāo)記線,一般較粗的標(biāo)記線或帶色標(biāo)記為陰極。圖形和形狀因廠家而異,應(yīng)與數(shù)據(jù)手冊(cè)對(duì)應(yīng)確認(rèn)。安裝時(shí)需關(guān)注貼片方向,以保證陰極與 PCB 板中相應(yīng)的焊盤匹配。

  • 功率型金屬封裝
    功率用二極管為了散熱通常采用金屬封裝,如TO-220、TO-247、TO-126等帶散熱片的封裝,或直接在單片金屬散熱背板上焊接。極性標(biāo)識(shí)通常通過(guò)片基形狀、切角、打字標(biāo)注等方式告知用戶陰極或陽(yáng)極位置。此外,金屬底板往往連接到某一電極(通常是陰極),安裝時(shí)需注意可以通過(guò)螺絲與散熱器連接,但要防止短路。

  • 發(fā)光二極管(LED)封裝
    LED封裝多為透明或半透明圓頂形、方形、柱狀、貼片式等。判斷極性方法有幾種:
    長(zhǎng)腳為陽(yáng)極、短腳為陰極;在扁平底座的一側(cè)平面邊緣代表陰極;封裝內(nèi)部芯片位置也可作為參考,在正面觀察時(shí),較大的一側(cè)金線對(duì)應(yīng)陰極,較小的一側(cè)金線對(duì)應(yīng)陽(yáng)極。貼片封裝LED通常在頂部封裝角落有小平面或倒角,倒角一側(cè)為陰極。

  • 功率整流橋(整流橋堆)封裝
    整流橋是由四只二極管組成的全波整流器件,通常采用單一封裝提供四個(gè)引腳(對(duì)角分別為正負(fù)輸出,兩個(gè)其余為交流輸入)。極性識(shí)別時(shí)引腳上會(huì)有“+”和“?”標(biāo)注,交流輸入也會(huì)以“~”或“AC”標(biāo)示。正確接線能夠直接將交流電源整流為直流,而不必分離四只分立二極管,節(jié)省空間方便布局。

二極管在電路中的應(yīng)用
二極管在電子電路中有著極其廣泛的應(yīng)用,其功能從最基本的整流到信號(hào)處理、穩(wěn)壓、開關(guān),以及發(fā)光指示等。以下從不同應(yīng)用場(chǎng)景進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明:

  • 整流電源
    直流電源是電子設(shè)備的“血液”。在電源模塊中,交流市電首先經(jīng)過(guò)變壓器降壓至所需電壓等級(jí),然后進(jìn)入整流橋或單只二極管整流,再經(jīng)過(guò)濾波電容平滑后提供直流電。普通硅整流二極管(如1N400x系列)用于低頻整流(50Hz/60Hz市電),而高頻開關(guān)電源中則多采用肖特基超快恢復(fù)二極管,以降低開關(guān)損耗與電磁干擾。

  • 浪涌與過(guò)電壓保護(hù)
    二極管可以作為限壓或防反接保護(hù)。在直流電路中,如果擔(dān)心電源極性接反可在輸入端串聯(lián)一個(gè)二極管,只讓正確方向的電流通過(guò),若接反則二極管截止,保護(hù)電路。針對(duì)浪涌電壓,一些設(shè)計(jì)會(huì)在電源輸入端并聯(lián)齊納二極管,當(dāng)電壓超過(guò)齊納擊穿值時(shí)迅速導(dǎo)通,將浪涌電流引入地線或電源線,從而將過(guò)高電壓鉗制在安全范圍內(nèi),保護(hù)后級(jí)電路不受損壞。

  • 信號(hào)檢波與開關(guān)
    在射頻與通信電路中,將高頻振蕩信號(hào)包絡(luò)進(jìn)行檢波,往往用到二極管檢波器。小信號(hào)二極管(如1N4148、1N34等)在高頻信號(hào)下可響應(yīng)迅速,將交流信號(hào)的正半周整流提取出包絡(luò)電壓,用于射頻識(shí)別、調(diào)幅(AM)解調(diào)等。在數(shù)字電路設(shè)計(jì)中,二極管常被當(dāng)作簡(jiǎn)單的邏輯門(例如二極管與門)或開關(guān)使用,通過(guò)改變偏置電壓控制導(dǎo)通與截止,從而實(shí)現(xiàn)邏輯電平傳輸或限幅保護(hù)。

  • 穩(wěn)壓與基準(zhǔn)電路
    齊納二極管專門利用擊穿電壓穩(wěn)定特性,在反向偏置工作時(shí)產(chǎn)生穩(wěn)定的電壓。齊納二極管外加串聯(lián)電阻即可構(gòu)成簡(jiǎn)單的穩(wěn)壓電路,用于為放大電路或模數(shù)轉(zhuǎn)換器提供參考電壓。在多節(jié)電池供電場(chǎng)合,如果需要限壓到某一安全電平,也可使用齊納二極管作為過(guò)壓保護(hù)。為了獲得更精確的基準(zhǔn)電壓,還會(huì)采用雙極型晶體管參考電路或集成電路,但齊納二極管因成本低廉、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,仍在許多非高精度場(chǎng)合得到廣泛應(yīng)用。

  • 光電檢測(cè)與顯示
    發(fā)光二極管(LED)已成為照明與顯示領(lǐng)域的主流器件,其色彩豐富、發(fā)光效率高、壽命長(zhǎng)、響應(yīng)快,被普遍應(yīng)用于指示燈、背光、信號(hào)傳輸、通信(可見光通信)等場(chǎng)合。此外,光電二極管(如PIN光電二極管)作為光電探測(cè)器,能將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào),用于光纖通信接收端、光電編碼器、光照度測(cè)量等領(lǐng)域。光電二極管的工作與普通二極管相似,但在光照下生成光電流,可通過(guò)外加反向偏置提高響應(yīng)速度與靈敏度。

  • 開關(guān)電源與電機(jī)驅(qū)動(dòng)
    在開關(guān)電源(SMPS)中,二極管尤為關(guān)鍵:主開關(guān)管關(guān)閉瞬間,續(xù)流二極管作為電流通路保證電感電流繼續(xù)傳輸,避免電壓尖峰干擾;在二次側(cè)整流處,肖特基二極管與超快恢復(fù)二極管大量使用,以減少開關(guān)損耗、提高效率;某些高端設(shè)計(jì)則采用同步整流技術(shù),用MOSFET取代傳統(tǒng)的肖特基二極管,進(jìn)一步降低壓降與損耗。在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中二極管常作為續(xù)流二極管(Flyback Diode)或反激二極管,保護(hù)功率器件免受反向電動(dòng)勢(shì)沖擊,保證電機(jī)換向時(shí)電流通路暢通。

  • 溫度補(bǔ)償與電路保護(hù)
    二極管的正向壓降隨溫度變化而變化,這一特性可以用于溫度補(bǔ)償。例如在某些放大電路中,將二極管與晶體管基極串聯(lián),通過(guò)二極管溫度特性抵消晶體管的基極-發(fā)射極結(jié)電壓隨溫度漂移,從而實(shí)現(xiàn)溫度穩(wěn)定偏置。另一方面,當(dāng)電路發(fā)生意外過(guò)流、短路或大功率脈沖時(shí),二極管的快速響應(yīng)能夠迅速將異常電流引導(dǎo)至接地或定向放掉,從而保護(hù)關(guān)鍵器件。

二極管極性錯(cuò)誤引起的故障與檢測(cè)方法

  • 極性接反帶來(lái)的常見故障

    1. 電路斷路或功能失效
      當(dāng)二極管在整流或?qū)窂街?,若極性接反,二極管處于反向偏置,幾乎不導(dǎo)通,電路無(wú)法得到所需電壓;在指示燈電路中,LED接反則不會(huì)發(fā)光;在穩(wěn)壓電路中,齊納二極管接反則不會(huì)穩(wěn)定輸出電壓。

    2. 元件損壞與燒毀
      若外加電壓足夠大,反向偏置下的二極管反向泄漏電流增大,可能引起二極管過(guò)熱,最終導(dǎo)致?lián)舸┦?。?duì)于功率較大的整流橋,若反向擊穿產(chǎn)生大電流而后級(jí)電路沒有限流保護(hù),往往會(huì)造成元器件燒毀、甚至電源線路短路。

    3. 電源回灌與反向擊穿
      在包含多個(gè)電源輸入的系統(tǒng)中,一只二極管常用于防止某一路電源的倒灌。當(dāng)二極管接反時(shí),防倒灌功能失效,可能導(dǎo)致用電設(shè)備倒灌至上一級(jí)電源或電池過(guò)度放電,縮短電池壽命或損壞更多元器件。

  • 二極管極性錯(cuò)誤檢測(cè)與排查方法

    1. 目視檢查極性標(biāo)注
      在調(diào)試階段,通過(guò)觀察二極管上的標(biāo)識(shí)(銀環(huán)、標(biāo)記線、腳長(zhǎng)短等)與電路圖上的符號(hào)是否對(duì)應(yīng),能夠快速排查是否存在極性錯(cuò)誤。

    2. 使用萬(wàn)用表測(cè)量
      將萬(wàn)用表置于二極管檔(Diode Test),紅表筆接疑為陽(yáng)極端,黑表筆接疑為陰極端,如果讀數(shù)顯示正常的正向壓降(約0.6~0.7V),說(shuō)明二極管極性正確;如果讀數(shù)顯示“OL”或極大阻值,再顛倒接表筆測(cè)量,如果此時(shí)讀出壓降,則初步判斷二極管極性需顛倒。通過(guò)測(cè)量多個(gè)二極管或同一電路板上多處位置,可以快速定位極性焊錯(cuò)位置。

    3. 電路通電觀察電壓分布與電流方向
      在保證安全的前提下,可對(duì)電路板上相關(guān)節(jié)點(diǎn)加電,使用示波器或萬(wàn)用表測(cè)量二極管兩端電壓。當(dāng)二極管應(yīng)導(dǎo)通時(shí)測(cè)得壓降遠(yuǎn)大于正常值(幾伏甚至沒有變化),或應(yīng)截止時(shí)測(cè)得明顯的正向電壓,均可懷疑極性接反。結(jié)合電路圖,逐步排查,有助于精確定位誤焊位置。

    4. 利用邏輯或測(cè)試程式掃描
      在工業(yè)化生產(chǎn)中,往往通過(guò)自動(dòng)測(cè)試程式,對(duì)二極管極性與導(dǎo)通狀態(tài)進(jìn)行批量檢測(cè)。例如自動(dòng)化測(cè)試治具將電路板放入測(cè)試夾具,對(duì)每個(gè)二極管的兩端加特定電壓,僅當(dāng)導(dǎo)通與截止與預(yù)設(shè)值相符時(shí)才算良品,否則判定為極性或焊接錯(cuò)誤,提示返修。

總結(jié)
二極管作為最基礎(chǔ)、最關(guān)鍵的半導(dǎo)體器件之一,其正負(fù)極(陽(yáng)極與陰極)極性決定了其在電路中正向?qū)ɑ蚍聪蚪刂沟幕竟δ?。本文首先闡述了二極管的PN結(jié)結(jié)構(gòu)與工作原理,解釋了內(nèi)部勢(shì)壘電場(chǎng)與正向、反向偏置狀態(tài)下載流子運(yùn)動(dòng)與導(dǎo)通特性;接著重點(diǎn)介紹了如何識(shí)別二極管的正負(fù)極,包括常見封裝的極性標(biāo)志與萬(wàn)用表測(cè)量方法;隨后詳細(xì)討論了二極管在正向與反向狀態(tài)下的伏安特性及其對(duì)溫度與工況的影響;繼而分類介紹了普通整流二極管、肖特基二極管、變?nèi)荻O管、發(fā)光二極管、齊納二極管、快速恢復(fù)二極管、隧穿二極管等多種類型的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、典型參數(shù)及應(yīng)用場(chǎng)景;最后剖析了極性接反可能造成的電路故障與損壞,并提供了目視檢查、萬(wàn)用表測(cè)量與測(cè)試程式掃描等多種排查方法。通過(guò)對(duì)二極管極性與基礎(chǔ)知識(shí)的系統(tǒng)梳理與應(yīng)用解析,力求讓讀者對(duì)二極管如何在不同電路類型中發(fā)揮關(guān)鍵作用有更深入的理解,同時(shí)掌握正確識(shí)別與使用二極管極性、避免極性接反帶來(lái)問(wèn)題的方法。希望本文能夠幫助初學(xué)者建立扎實(shí)的半導(dǎo)體器件基礎(chǔ),并為電子工程師解決實(shí)際電路設(shè)計(jì)與調(diào)試過(guò)程中的難點(diǎn)提供指導(dǎo)。

責(zé)任編輯:David

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