原標(biāo)題：聚焦 5G 應(yīng)用創(chuàng)新，長(zhǎng)電科技亮相 IC China 2020

一、展會(huì)背景與長(zhǎng)電科技戰(zhàn)略定位

IC China 2020（中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體博覽會(huì)）作為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)年度盛會(huì)，聚焦5G、AI、物聯(lián)網(wǎng)等前沿技術(shù)。長(zhǎng)電科技作為全球第三大、中國(guó)內(nèi)地第一大芯片封測(cè)企業(yè)，以“5G賦能，智聯(lián)未來”為主題，展示其在5G芯片封裝領(lǐng)域的核心技術(shù)突破與行業(yè)解決方案，旨在推動(dòng)5G終端、基站、物聯(lián)網(wǎng)等場(chǎng)景的規(guī)?；涞?。

二、長(zhǎng)電科技5G應(yīng)用創(chuàng)新技術(shù)亮點(diǎn)

1. 5G射頻前端模塊封裝（SiP）

• 為某頭部手機(jī)廠商提供5G射頻SiP模塊，助力其旗艦機(jī)型實(shí)現(xiàn)全球5G頻段覆蓋。

• 5G智能手機(jī)、CPE（客戶終端設(shè)備）、5G物聯(lián)網(wǎng)模組。

• 采用高密度系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）技術(shù)，將5G PA（功率放大器）、濾波器、開關(guān)等芯片集成至單一模塊，體積縮小40%，功耗降低25%。

• 支持Sub-6GHz與毫米波雙頻段，滿足全球5G頻段兼容需求。

• 技術(shù)突破：

• 應(yīng)用場(chǎng)景：

• 客戶案例：

2. 5G基站芯片封裝（2.5D/3D封裝）

• 單基站芯片封裝成本降低30%，助力運(yùn)營(yíng)商加速5G網(wǎng)絡(luò)部署。

• 5G宏基站、微基站、邊緣計(jì)算服務(wù)器。

• 開發(fā)2.5D Interposer（中介層）與3D堆疊技術(shù)，實(shí)現(xiàn)5G基站芯片的高帶寬、低延遲互連，數(shù)據(jù)傳輸速率提升3倍。

• 通過TSV（硅通孔）技術(shù)，將芯片厚度降低至50μm，散熱效率提升50%。

• 技術(shù)突破：

• 應(yīng)用場(chǎng)景：

• 行業(yè)價(jià)值：

3. 5G物聯(lián)網(wǎng)芯片封裝（Fan-Out WLCSP）

• 長(zhǎng)電科技5G物聯(lián)網(wǎng)芯片封裝出貨量已超1億顆，市占率達(dá)25%。

• 5G智能電表、工業(yè)傳感器、車聯(lián)網(wǎng)終端。

• 采用扇出型晶圓級(jí)封裝（Fan-Out WLCSP），將5G物聯(lián)網(wǎng)芯片I/O密度提升至3000+，滿足低功耗、小尺寸需求。

• 支持eSIM集成，實(shí)現(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備全球無縫漫游。

• 技術(shù)突破：

• 應(yīng)用場(chǎng)景：

• 市場(chǎng)數(shù)據(jù)：

三、長(zhǎng)電科技5G技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力分析

1. 技術(shù)指標(biāo)對(duì)比

   
   

   技術(shù)維度	長(zhǎng)電科技方案	行業(yè)平均水平
   封裝密度（I/O/mm2）	3000+	1500-2000
   信號(hào)完整性（dB）	≤-30（高頻段）	≤-25
   散熱效率（W/mK）	150	80-100
   良率（%）	99.5%	98-99%

   
   

2. 差異化優(yōu)勢(shì)

• 全產(chǎn)業(yè)鏈整合：從晶圓級(jí)封裝到系統(tǒng)級(jí)測(cè)試，提供一站式解決方案，縮短客戶研發(fā)周期30%。

• 定制化能力：支持5G芯片的異構(gòu)集成（如HBM+邏輯芯片堆疊），滿足AIoT設(shè)備差異化需求。

• 環(huán)保工藝：采用無鉛化、低能耗封裝技術(shù)，單顆芯片封裝碳排放降低40%。

四、5G應(yīng)用創(chuàng)新案例解析

1. 案例1：5G智能手機(jī)射頻前端模塊

• 模塊厚度僅0.8mm，功耗較競(jìng)品低18%，助力該機(jī)型首銷破百萬臺(tái)。

• 采用雙面SiP技術(shù)，將20顆芯片集成至5mm×5mm模塊中；

• 通過電磁屏蔽層優(yōu)化，降低高頻信號(hào)干擾，提升通信穩(wěn)定性。

• 客戶需求：某手機(jī)廠商需在旗艦機(jī)型中集成全球5G頻段，同時(shí)控制模塊體積與功耗。

• 長(zhǎng)電方案：

• 成果：

2. 案例2：5G基站AI加速芯片封裝

• 單基站AI算力提升4倍，封裝成本降低28%，助力客戶中標(biāo)國(guó)內(nèi)5G三期招標(biāo)。

• 采用2.5D Interposer+HBM2E堆疊，實(shí)現(xiàn)1.2TB/s帶寬；

• 通過晶圓級(jí)重構(gòu)技術(shù)，將封裝良率提升至99.8%。

• 客戶需求：某通信設(shè)備商需提升基站AI推理性能，同時(shí)降低封裝成本。

• 長(zhǎng)電方案：

• 成果：

五、行業(yè)影響與未來展望

1. 推動(dòng)5G規(guī)?；逃?/span>

• 長(zhǎng)電科技5G芯片封裝技術(shù)已應(yīng)用于全球超1億部5G終端與20萬個(gè)5G基站，加速5G從“可用”到“好用”的跨越。

2. 引領(lǐng)封測(cè)技術(shù)升級(jí)

• 其2.5D/3D封裝、Fan-Out WLCSP等技術(shù)成為行業(yè)標(biāo)桿，倒逼日月光、安靠等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手加大研發(fā)投入。

3. 未來技術(shù)路線圖

• 2021-2022年：量產(chǎn)Chiplet（芯粒）封裝，支持5G芯片的模塊化設(shè)計(jì)；

• 2023年：推出光互連封裝技術(shù)，突破5G基站帶寬瓶頸；

• 2025年：實(shí)現(xiàn)量子芯片封裝預(yù)研，布局6G時(shí)代。

六、總結(jié)

長(zhǎng)電科技在IC China 2020上的亮相，不僅展示了其在5G芯片封裝領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力，更通過高密度集成、低功耗設(shè)計(jì)、全產(chǎn)業(yè)鏈服務(wù)三大核心優(yōu)勢(shì)，為5G終端、基站、物聯(lián)網(wǎng)等場(chǎng)景提供了可落地的解決方案。隨著5G應(yīng)用從消費(fèi)電子向工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)等垂直領(lǐng)域滲透，長(zhǎng)電科技的技術(shù)創(chuàng)新將持續(xù)賦能中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，助力全球5G生態(tài)繁榮。