原標(biāo)題：江波龍電子DDR5內(nèi)存橫空出世，多項實測數(shù)據(jù)首次對公眾開放

江波龍電子發(fā)布的DDR5內(nèi)存確實引起了廣泛關(guān)注，其多項實測數(shù)據(jù)的公開更是為業(yè)界和消費者提供了寶貴的參考信息。以下是對江波龍電子DDR5內(nèi)存及其實測數(shù)據(jù)的詳細歸納：

一、江波龍電子DDR5內(nèi)存概述

江波龍電子（Longsys）發(fā)布了DDR5內(nèi)存模組產(chǎn)品（ES1），該內(nèi)存模組包含兩款全新架構(gòu)的產(chǎn)品原型，分別是1Rank x8和2Rank x8標(biāo)準(zhǔn)型PC Unbuffered DIMM 288PIN On-die-ECC。這些內(nèi)存模組在速度、容量和時序等方面均有所提升，為用戶提供了更出色的性能體驗。

二、實測數(shù)據(jù)公開

江波龍電子在發(fā)布DDR5內(nèi)存時，特別選取了部分測試數(shù)據(jù)首次面向公眾開放。這些測試數(shù)據(jù)通過專業(yè)的測試平臺和軟件（如魯大師和AIDA64）進行展示，為消費者提供了直觀的性能對比和參考。

1. 測試平臺與配置：

• 測試實例采用了Intel AlderLake-S ADP-S CRB開發(fā)板。

• 搭配Longsys DDR5 32GB內(nèi)存模組。

• 配置Windows 10 Pro x64操作系統(tǒng)。

2. 測試數(shù)據(jù)與對比：

• 讀取速率：35844MB/s

• 寫入速度：32613MB/s

• 拷貝速度：28833MB/s

• 延遲：112.1ns（相比DDR4內(nèi)存有所增加，但整體性能仍有大幅提升）

• 魯大師測試：Longsys DDR5 32GB的跑分高達19萬分有余，相比DDR4內(nèi)存跑分提高了一倍。

• AIDA64測試：

三、DDR5內(nèi)存技術(shù)特點

江波龍電子的DDR5內(nèi)存采用了多項先進技術(shù)，使其在性能上實現(xiàn)了跨越式提升。這些技術(shù)特點包括：

1. 糾錯模式：支持On-die-ECC，全面實現(xiàn)數(shù)據(jù)糾錯能力，提高數(shù)據(jù)完整性。

2. 預(yù)取模式：支持16n Prefetch模式（BL16），使內(nèi)存的并發(fā)性在DDR4的基礎(chǔ)上提升了一倍。

3. 端到端接收模式：擴展增加CA/CS類信號ODT，進一步減少信號脈沖的反射干擾效應(yīng)。

4. 電源管理模式：增加PMIC集成功能，提高能效管理。

5. 刷新模式：支持SAME-BANK Refresh技術(shù)，允許刷新每個BG中的一個Bank，使所有其他Banks保持打開狀態(tài)以繼續(xù)正常操作。

6. 通道模式：內(nèi)置獨立雙通道機制，單條實現(xiàn)雙通道，提高運行速率。

四、市場前景與應(yīng)用

江波龍電子的DDR5內(nèi)存模組產(chǎn)品具有廣闊的市場前景和應(yīng)用空間。隨著全球?qū)捰袕娏倚枨蟮膶I(yè)應(yīng)用領(lǐng)域（如服務(wù)器、云計算、數(shù)據(jù)中心、高性能計算機等）的不斷發(fā)展，DDR5內(nèi)存將成為這些領(lǐng)域的重要選擇。此外，隨著電競市場的日益普及和成熟，DDR5內(nèi)存也將為電競玩家提供更流暢的游戲體驗。

綜上所述，江波龍電子發(fā)布的DDR5內(nèi)存模組產(chǎn)品在性能上實現(xiàn)了顯著提升，并采用了多項先進技術(shù)。其實測數(shù)據(jù)的公開為消費者提供了直觀的參考信息，也為業(yè)界提供了寶貴的參考依據(jù)。隨著DDR5內(nèi)存的不斷發(fā)展，它將為更多領(lǐng)域提供更出色的內(nèi)存解決方案。