原標(biāo)題：東芝發(fā)布采用TOLL封裝的650V超級(jí)結(jié)功率MOSFET，有助于提高大電流設(shè)備效率

東芝發(fā)布的采用TOLL封裝的650V超級(jí)結(jié)功率MOSFET，確實(shí)有助于提高大電流設(shè)備的效率。以下是對(duì)該產(chǎn)品的詳細(xì)介紹：

一、產(chǎn)品系列與命名

東芝在其TOLL（TO-無引線）封裝的DTMOSVI系列中推出了多款650V超級(jí)結(jié)功率MOSFET，包括TK065U65Z、TK090U65Z、TK110U65Z、TK155U65Z和TK190U65Z等型號(hào)。

二、TOLL封裝特點(diǎn)

1. 空間優(yōu)勢(shì)：TOLL是一種表面貼裝型封裝，所需空間比常見的D2PAK封裝小27%，有助于節(jié)省電路板空間，提高設(shè)備的集成度。

2. 引腳設(shè)計(jì)：TOLL封裝屬于4引腳型封裝，能夠?qū)艠O驅(qū)動(dòng)的信號(hào)源端子進(jìn)行開爾文連接，從而減小封裝中源極線的電感，進(jìn)而發(fā)揮MOSFET實(shí)現(xiàn)高速開關(guān)性能，抑制開關(guān)時(shí)產(chǎn)生的振蕩。

三、產(chǎn)品性能提升

1. 降低損耗：與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品相比，新推出的650V超級(jí)結(jié)功率MOSFET在導(dǎo)通開關(guān)損耗和關(guān)斷切換損耗方面均有顯著降低。例如，與TK090N65Z相比，其導(dǎo)通開關(guān)損耗降低了約68%，關(guān)斷切換損耗降低了約56%。

2. 適用場(chǎng)景：新型MOSFET適用于數(shù)據(jù)中心、光伏功率調(diào)節(jié)器以及不間斷電源系統(tǒng)等工業(yè)設(shè)備的電源，能夠滿足大電流設(shè)備對(duì)高效率、高可靠性和高性能的需求。

四、產(chǎn)品陣容與規(guī)格

1. 產(chǎn)品陣容：TOLL封裝與最新DTMOSVI工藝技術(shù)的結(jié)合擴(kuò)展了產(chǎn)品陣容，覆蓋了低至65mΩ（最大值）的低導(dǎo)通電阻，為用戶提供了更多的選擇。

2. 主要規(guī)格：各型號(hào)產(chǎn)品的具體規(guī)格可能有所不同，包括最大漏源電壓、最大漏極電流、導(dǎo)通電阻等參數(shù)。用戶可根據(jù)實(shí)際需求選擇合適的產(chǎn)品型號(hào)。

五、應(yīng)用前景與意義

1. 應(yīng)用前景：隨著電子設(shè)備的不斷發(fā)展和智能化趨勢(shì)的加速，對(duì)高效率、高可靠性和高性能的功率半導(dǎo)體器件的需求日益增長(zhǎng)。東芝推出的650V超級(jí)結(jié)功率MOSFET將廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心、光伏產(chǎn)業(yè)、不間斷電源系統(tǒng)等領(lǐng)域，為設(shè)備的能效提升和性能優(yōu)化提供有力支持。

2. 行業(yè)意義：東芝作為半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)之一，其新產(chǎn)品的研發(fā)和推出不僅推動(dòng)了功率半導(dǎo)體器件的技術(shù)進(jìn)步和創(chuàng)新發(fā)展，也為整個(gè)行業(yè)樹立了新的標(biāo)桿和典范。

綜上所述，東芝發(fā)布的采用TOLL封裝的650V超級(jí)結(jié)功率MOSFET具有顯著的性能優(yōu)勢(shì)和廣泛的應(yīng)用前景，將有助于提高大電流設(shè)備的效率并推動(dòng)相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。