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導(dǎo)通電阻
導(dǎo)通電阻
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晶體管和二極管的導(dǎo)通電阻大小是多少
晶體管和二極管的導(dǎo)通電阻大小是多少
晶體管和二極管的導(dǎo)通電阻大小會(huì)受到多種因素的影響，因此具體的數(shù)值會(huì)有所不同。對(duì)于晶體管來說，當(dāng)其處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，導(dǎo)通電阻通常很小，一般在幾個(gè)歐姆以下。然而，需要注意的是，晶體管的工作狀態(tài)和控制信號(hào)電壓大小都會(huì)影響其導(dǎo)通電阻的大小。當(dāng)晶體管處于飽和區(qū)時(shí)，導(dǎo)通電阻較?。划?dāng)晶體管處于截止區(qū)時(shí)，導(dǎo)通電阻較大。同時(shí)，控制信號(hào)電壓越大，導(dǎo)通電阻也會(huì)越......
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2024-05-15
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二極管的導(dǎo)通電阻小還是晶閘管呢？
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一般來說，二極管的導(dǎo)通電阻相對(duì)較小。二極管導(dǎo)通電阻是指二極管正向偏壓下電流通過的總電阻，一般為幾百歐姆。了解二極管導(dǎo)通電阻的大小有助于更好地了解二極管的工作原理。晶閘管在導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻，即導(dǎo)通內(nèi)阻，通常取決于其電流和功率特性。在觸發(fā)電流和容許電流范圍內(nèi)，晶閘管的導(dǎo)通內(nèi)阻較小，正向阻值一般在1至10歐姆之間。然而，當(dāng)超過容許電流或溫度范圍......
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芯佰微電子的CMOS 2.5Ω導(dǎo)通電阻、2:1模擬多路復(fù)用器CBMG719是一款功能強(qiáng)大的單芯片CMOS單刀雙擲(SPDT)開關(guān)，它在多個(gè)方面都具有顯著的優(yōu)勢(shì)。以下是關(guān)于CBMG719的詳細(xì)介紹：基本信息型號(hào)：CBMG719類型：CMOS 2:1模擬多路復(fù)用器/單刀雙擲開關(guān)導(dǎo)通電阻：2.5Ω（典型值），導(dǎo)通電阻平坦度0.75Ω（典型值）電......
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2021-12-02
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英飛凌推出的采用高性能AIN（氮化鋁）陶瓷的新EasyDUAL CoolSiC MOSFET功率模塊，在提升功率密度和實(shí)現(xiàn)更緊湊的設(shè)計(jì)方面發(fā)揮了重要作用。以下是對(duì)該產(chǎn)品的詳細(xì)分析：一、產(chǎn)品背景與特點(diǎn)升級(jí)材料：英飛凌將EasyDUAL CoolSiC MOSFET模塊升級(jí)為新型氮化鋁（AIN）陶瓷，這種材料具有出色的熱導(dǎo)性能，有助于提升模塊......
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ROHM（羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)）確實(shí)開發(fā)出了實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通電阻的新一代雙極MOSFET。以下是對(duì)這一產(chǎn)品的詳細(xì)介紹：一、產(chǎn)品概述ROHM開發(fā)出的新一代雙極MOSFET產(chǎn)品，內(nèi)置有2枚耐壓±40V和±60V的MOSFET，且支持24V輸入。這些產(chǎn)品非常適用于FA等工業(yè)設(shè)備和基站（如冷卻風(fēng)扇）的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。ROHM通過采用新工藝，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超低的導(dǎo)通電......
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SiC-MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是碳化硅功率器件中的一種，以下是對(duì)其的詳細(xì)介紹：一、概述SiC-MOSFET是基于碳化硅（SiC）材料制作的MOSFET器件。碳化硅是一種由硅（Si）和碳（C）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料，具有比硅更高的絕緣擊穿場強(qiáng)和帶隙，因此在器件制作時(shí)可以在較寬范圍內(nèi)控制必要的p型、n型，被認(rèn)為是一......
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東芝發(fā)布的采用TOLL封裝的650V超級(jí)結(jié)功率MOSFET，確實(shí)有助于提高大電流設(shè)備的效率。以下是對(duì)該產(chǎn)品的詳細(xì)介紹：一、產(chǎn)品系列與命名東芝在其TOLL（TO-無引線）封裝的DTMOSVI系列中推出了多款650V超級(jí)結(jié)功率MOSFET，包括TK065U65Z、TK090U65Z、TK110U65Z、TK155U65Z和TK190U65Z等......
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