原標題：應(yīng)用材料公司在芯片布線領(lǐng)域取得重大突破，驅(qū)動邏輯微縮進入3 納米及以下技術(shù)節(jié)點

應(yīng)用材料公司在芯片布線領(lǐng)域確實取得了重大突破，成功驅(qū)動邏輯微縮進入3納米及以下技術(shù)節(jié)點。以下是關(guān)于這一突破的具體介紹：

一、技術(shù)背景與挑戰(zhàn)

隨著芯片制造技術(shù)的不斷發(fā)展，晶體管尺寸的不斷縮小帶來了性能的提升，但同時也對互連布線提出了更高的挑戰(zhàn)?；ミB布線越細，電阻越大，導致性能降低和功耗增加。因此，如何在保持晶體管性能提升的同時，解決互連布線帶來的問題，成為了芯片制造領(lǐng)域的一大難題。

二、技術(shù)突破

應(yīng)用材料公司針對這一難題，開發(fā)了一種全新的先進邏輯芯片布線工藝技術(shù)——Endura? Copper Barrier Seed IMS?（以下簡稱Endura IMS）。這一技術(shù)在高真空條件下，將七種不同的工藝技術(shù)集成到了一個系統(tǒng)中，包括ALD、PVD、CVD、銅回流、表面處理、界面工程和計量等。通過這一整合，Endura IMS實現(xiàn)了以下突破：

1. 電阻降低：Endura IMS采用了選擇性ALD沉積技術(shù)，取代了原先的共形沉積，從而消除了通過接口的高電阻性障礙。同時，銅回流技術(shù)實現(xiàn)了在窄間隙中的無空洞間隙填充，進一步降低了電阻。據(jù)應(yīng)用材料公司介紹，通過這一技術(shù)，通孔接觸界面的電阻降低了高達50%。

2. 性能與功耗改善：電阻的降低直接帶來了芯片性能和功耗的改善。在3納米及以下技術(shù)節(jié)點，Endura IMS使得邏輯微縮得以繼續(xù)，同時保持了芯片的高性能和低功耗。

三、市場應(yīng)用與前景

Endura IMS技術(shù)已經(jīng)被全球領(lǐng)先的邏輯節(jié)點代工廠客戶采用，并應(yīng)用于實際生產(chǎn)中。這一技術(shù)的成功應(yīng)用，不僅推動了芯片制造技術(shù)的發(fā)展，也為智能手機、數(shù)據(jù)中心等高性能計算領(lǐng)域帶來了更加先進的芯片解決方案。

此外，隨著AI時代的到來，對芯片能效的要求越來越高。應(yīng)用材料公司的這一技術(shù)突破，為AI運算的永續(xù)增長提供了有力的支持。未來，隨著背面供電網(wǎng)絡(luò)技術(shù)（BSPDN）等新技術(shù)的發(fā)展，應(yīng)用材料公司在芯片布線領(lǐng)域的商機將進一步擴大。

綜上所述，應(yīng)用材料公司在芯片布線領(lǐng)域取得的重大突破，不僅解決了互連布線帶來的挑戰(zhàn)，也推動了芯片制造技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用。這一技術(shù)突破對于提高芯片性能、降低功耗以及推動AI運算的永續(xù)增長具有重要意義。