原標(biāo)題：ROHM開發(fā)出內(nèi)置SiC二極管的IGBT（Hybrid IGBT）“RGWxx65C系列”

ROHM（羅姆）開發(fā)出的內(nèi)置SiC二極管的IGBT（Hybrid IGBT）“RGWxx65C系列”是一款具有顯著技術(shù)突破和性能提升的產(chǎn)品。以下是對該產(chǎn)品的詳細(xì)介紹：

一、產(chǎn)品概述

ROHM推出的“RGWxx65C系列”Hybrid IGBT產(chǎn)品，包括RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR等型號，均符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101。這些產(chǎn)品專為處理大功率的汽車電子設(shè)備和工業(yè)設(shè)備設(shè)計(jì)，如電動汽車（xEV）中的車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器，以及太陽能發(fā)電用的功率調(diào)節(jié)器等。

二、技術(shù)特點(diǎn)

1. 內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管：

• “RGWxx65C系列”在IGBT的反饋單元（續(xù)流二極管）中采用了ROHM的低損耗SiC肖特基勢壘二極管（SiC SBD）。

• 與傳統(tǒng)的Si快速恢復(fù)二極管（Si-FRD）相比，SiC SBD具有更低的開通損耗和更高的效率。

2. 顯著降低損耗：

• 在車載充電器中采用“RGWxx65C系列”產(chǎn)品時(shí)，與以往的IGBT產(chǎn)品相比，損耗可降低67%。

• 與通常損耗小于IGBT的超級結(jié)MOSFET（SJ-MOSFET）相比，損耗也可降低24%。

3. 高效率：

• 新產(chǎn)品可以在更寬的工作頻率范圍內(nèi)確保97%以上的高效率。

• 在100kHz的工作頻率下，效率可比IGBT高3%。

4. 符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)：

• 新系列產(chǎn)品符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101，確保在車載和工業(yè)設(shè)備等嚴(yán)苛環(huán)境下也能安心使用。.

三、應(yīng)用領(lǐng)域

“RGWxx65C系列”Hybrid IGBT產(chǎn)品適用于多種應(yīng)用場景，包括但不限于：

1. 車載充電器：用于電動汽車等車輛的充電系統(tǒng)，提高充電效率和降低功耗。

2. 車載DC/DC轉(zhuǎn)換器：用于將車輛的高壓電池電能轉(zhuǎn)換為低壓電能，為車載設(shè)備供電。

3. 太陽能逆變器（功率調(diào)節(jié)器）：用于太陽能發(fā)電系統(tǒng)中，將太陽能板產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流電，并調(diào)節(jié)輸出功率。

4. 不間斷電源裝置（UPS）：用于為關(guān)鍵設(shè)備提供穩(wěn)定的電力供應(yīng)，確保在電力故障時(shí)設(shè)備能夠正常運(yùn)行。

四、市場前景與ROHM的承諾

隨著全球?qū)p少環(huán)境負(fù)荷和實(shí)現(xiàn)碳中和目標(biāo)的不斷努力，電動汽車等新能源汽車得到日益普及。ROHM通過推出“RGWxx65C系列”Hybrid IGBT產(chǎn)品，為新能源汽車和工業(yè)設(shè)備提供了更高性價(jià)比的功率半導(dǎo)體解決方案。ROHM將繼續(xù)致力于開發(fā)滿足各種需求的低損耗功率元器件，并提供設(shè)計(jì)工具和各種解決方案，以助力應(yīng)用系統(tǒng)的節(jié)能和小型化，為減輕環(huán)境負(fù)荷做出貢獻(xiàn)。

綜上所述，ROHM開發(fā)出的內(nèi)置SiC二極管的IGBT（Hybrid IGBT）“RGWxx65C系列”產(chǎn)品具有顯著的技術(shù)特點(diǎn)和性能優(yōu)勢，適用于多種應(yīng)用場景，并有望在未來市場中發(fā)揮重要作用。