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PANJIT 第1.5代SiC肖特基勢(shì)壘二極管的介紹、特性、及應(yīng)用

來源:
2023-06-05
類別:基礎(chǔ)知識(shí)
eye 20
文章創(chuàng)建人 拍明芯城

  PANJIT的第1.5代碳化硅(SiC)肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)是為電氣工程師設(shè)計(jì)具有更低散熱的高性能系統(tǒng)而開發(fā)的??焖倩謴?fù)二極管(FRD)在關(guān)斷操作時(shí)有一些反向恢復(fù)電流,在主開關(guān)打開時(shí)產(chǎn)生額外的開關(guān)損失。相比之下,肖特基勢(shì)壘二極管沒有反向恢復(fù)電流,因此它可以在更高的開關(guān)頻率下使用,但它的缺點(diǎn)是由于更高的漏電而導(dǎo)致較低的擊穿電壓。SiC器件比硅器件具有更高的帶隙能量,這意味著泄漏電流非常低。SiC器件具有更高的電子速度,比硅器件具有更好的開關(guān)性能。

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  PANJIT的SiC SBD Gen.1.5經(jīng)過優(yōu)化,對(duì)正向電壓(V(F))具有較低的溫度依賴性,因此可以在較高溫度下抑制傳導(dǎo)損失。通過在金屬接觸區(qū)添加P+層,形成結(jié)勢(shì)壘肖特基(JBS)結(jié)構(gòu)。因此,可以顯著提高浪涌電流容量,這有助于確保冷啟動(dòng)系統(tǒng)運(yùn)行的系統(tǒng)級(jí)可靠性。PANJIT的SiC SBD Gen.1.5系列具有650 V和1200 V擊穿電壓,額定電流為4 A至40 A,以及各種分立封裝,如to - 220AC, to - 252aa和to - 247ad - 3ld。

  特性

  零反向恢復(fù)

  不依賴于溫度的開關(guān)

  增強(qiáng)的浪涌電流能力

  電動(dòng)汽車充電樁

  聯(lián)合包裹

  工業(yè)汽車

  家用電器

  數(shù)字電視


責(zé)任編輯:David

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