鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）最大的缺點(diǎn)可以從多個(gè)維度來(lái)考量，以下是對(duì)其幾個(gè)顯著缺點(diǎn)的分析：

一、微縮能力差

鐵電存儲(chǔ)器的最大物理限制之一是難以微縮到納米級(jí)工藝。這意味著隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，其他類型的存儲(chǔ)器（如DRAM和Flash）能夠不斷縮小尺寸并增加存儲(chǔ)密度，而鐵電存儲(chǔ)器在尺寸減小方面卻面臨較大的困難。這限制了鐵電存儲(chǔ)器在需要高密度存儲(chǔ)的應(yīng)用中的使用。

二、材料限制

目前主流的鐵電材料，如PZT（鋯鈦酸鉛）和SBT（鉭酸鍶鉍），都存在一些缺點(diǎn)。PZT雖然原材料便宜、晶化溫度較低且工藝集成較容易，但存在疲勞退化問題，且鉛元素對(duì)環(huán)境造成污染。SBT雖然環(huán)保且無(wú)疲勞退化問題，但其制作工藝溫度較高，工藝集成難度很大。這些材料限制影響了鐵電存儲(chǔ)器的性能和可靠性。

三、壽命相對(duì)較短

鐵電存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元會(huì)受到極性翻轉(zhuǎn)的影響，隨著時(shí)間的推移逐漸衰減。這導(dǎo)致其平均故障時(shí)間（MTBF）可能不如其他類型的存儲(chǔ)器。此外，鐵電材料的極化方向也可能在使用中發(fā)生變化，導(dǎo)致數(shù)據(jù)的不穩(wěn)定性和完整性問題。這限制了鐵電存儲(chǔ)器在需要長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行的應(yīng)用中的可靠性。

四、制造成本高

鐵電存儲(chǔ)器的制造技術(shù)相對(duì)復(fù)雜，包括鐵電薄膜的制備和器件加工等多個(gè)環(huán)節(jié)。這些工藝需要高精度的設(shè)備和材料，導(dǎo)致生產(chǎn)成本相對(duì)較高。這限制了鐵電存儲(chǔ)器在市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)力和普及程度。

綜上所述，鐵電存儲(chǔ)器最大的缺點(diǎn)包括微縮能力差、材料限制、壽命相對(duì)較短以及制造成本高。這些因素共同影響了鐵電存儲(chǔ)器在市場(chǎng)上的應(yīng)用和發(fā)展。然而，隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和研發(fā)工作的深入，未來(lái)有望克服這些缺點(diǎn)并推動(dòng)鐵電存儲(chǔ)器的進(jìn)一步發(fā)展。