鐵電存儲器的最高位地址是低電平還是高電平，這取決于具體的鐵電存儲器型號及其尋址方式。以下是對鐵電存儲器最高位地址電平的一般性分析：

一、鐵電存儲器簡介

鐵電存儲器（FRAM）是一種利用鐵電效應進行數(shù)據(jù)存儲的非易失性存儲器。它結(jié)合了RAM的高速讀寫能力和ROM的非易失性特性，具有低功耗、高速讀寫、長壽命等優(yōu)點。

二、尋址方式差異

不同的鐵電存儲器型號可能采用不同的尋址方式。這些尋址方式可能涉及不同的地址線配置和電平狀態(tài)。

1. 某些型號：可能將最高位地址線配置為高電平或低電平來表示特定的存儲區(qū)域或地址范圍。

2. 其他型號：可能采用更復雜的尋址機制，其中最高位地址線的電平狀態(tài)可能不是決定性因素。

三、具體型號分析

以FM24V05和BL24CM1A為例：

1. FM24V05：

• 這是一個512Kbit的鐵電存儲器。

• 其尋址方式可能涉及特定的地址線配置，但具體最高位地址是低電平還是高電平，需要查閱該型號的具體數(shù)據(jù)手冊來確定。

2. BL24CM1A：

• 這是一個1024Kbit（128Kbytes）的EEPROM，雖然它不是典型的鐵電存儲器（FRAM），但作為參考，其尋址方式也可能涉及地址線的電平狀態(tài)。

• 在BL24CM1A中，尋址方式可能包括高位和低位地址的區(qū)分，但這與鐵電存儲器的最高位地址電平無直接關聯(lián)。

四、結(jié)論

由于鐵電存儲器的最高位地址電平狀態(tài)取決于具體的型號和尋址方式，因此無法一概而論。為了確定特定鐵電存儲器的最高位地址是低電平還是高電平，需要查閱該型號的具體數(shù)據(jù)手冊或相關技術文檔。

綜上所述，鐵電存儲器的最高位地址電平狀態(tài)因型號和尋址方式而異，無法給出統(tǒng)一答案。如需確定具體型號的鐵電存儲器最高位地址電平狀態(tài)，請查閱相關數(shù)據(jù)手冊或技術文檔。