內存時序（英語：Memory timings或RAM timings）是描述同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM）性能的四個參數(shù)：CL、TRCD、TRP和TRAS，單位為時鐘周期。它們通常被寫為四個用破折號分隔開的數(shù)字，例如7-8-8-24。第四個參數(shù)（RAS）經(jīng)常被省略，而有時還會加入第五個參數(shù)：Command rate（命令速率），通常為2T或1T，也寫作2N、1N。這些參數(shù)指定了影響隨機存取存儲器速度的潛伏時間（延遲時間）。較低的數(shù)字通常意味著更快的性能。決定系統(tǒng)性能的最終元素是實際的延遲時間，通常以納秒為單位。