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相變存儲(chǔ)器
相變存儲(chǔ)器
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相變存儲(chǔ)器，簡(jiǎn)稱PCM，相變存儲(chǔ)器就是利用特殊材料在晶態(tài)和非晶態(tài)之間相互轉(zhuǎn)化時(shí)所表現(xiàn)出來(lái)的導(dǎo)電性差異來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。相變存儲(chǔ)器通常是利用硫族化合物在晶態(tài)和非晶態(tài)巨大的導(dǎo)電性差異來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的一種信息存儲(chǔ)裝置。

鐵電存儲(chǔ)器和相變存儲(chǔ)器的區(qū)別？
鐵電存儲(chǔ)器和相變存儲(chǔ)器的區(qū)別？
鐵電存儲(chǔ)器和相變存儲(chǔ)器是兩種不同的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，它們?cè)诙鄠€(gè)方面存在顯著差異。以下是對(duì)兩者區(qū)別的詳細(xì)分析：一、工作原理鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）利用鐵電晶體的極化特性來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。當(dāng)電場(chǎng)作用于鐵電晶體時(shí)，晶體中的中心原子會(huì)沿著電場(chǎng)方向移動(dòng)并達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)，形成極化。這種極化狀態(tài)可以代表二進(jìn)制數(shù)據(jù)“0”和“1”。寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)，通過(guò)施加電場(chǎng)改變鐵電......
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2025-02-07
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低功耗應(yīng)用，代工廠關(guān)注新興存儲(chǔ)器
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低功耗應(yīng)用與代工廠對(duì)新興存儲(chǔ)器的關(guān)注是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中兩個(gè)重要的趨勢(shì)，以下是對(duì)這兩個(gè)主題的詳細(xì)分析：一、低功耗應(yīng)用低功耗應(yīng)用是指那些在設(shè)計(jì)、制造和使用過(guò)程中，能夠盡可能減少能源消耗的技術(shù)和產(chǎn)品。這種應(yīng)用有助于延長(zhǎng)電池壽命，減少能源消耗，降低環(huán)境影響，提高能源效率。低功耗技術(shù)在現(xiàn)代電子行業(yè)中得到廣泛應(yīng)用，特別是在智能家居設(shè)備和無(wú)線手機(jī)等消費(fèi)設(shè)備......
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2022-12-20
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只讀存儲(chǔ)器有哪些類別?你了解相變存儲(chǔ)器嗎?
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只讀存儲(chǔ)器（ROM）是一種存儲(chǔ)固定信息的存儲(chǔ)器，在正常工作狀態(tài)下只能讀取數(shù)據(jù)，不能即時(shí)修改或重新寫(xiě)入數(shù)據(jù)。ROM的類別主要包括以下幾種：掩膜ROM（Mask ROM）又稱固定ROM。在生產(chǎn)過(guò)程中，生產(chǎn)商利用掩模技術(shù)把信息寫(xiě)入存儲(chǔ)器中，用戶無(wú)法更改。這種ROM芯片存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，集成度高，但掩膜工藝成本高，只適合于大批量生產(chǎn)?？删幊讨蛔x存儲(chǔ)器......
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2020-12-10
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