這種存儲器的主要優(yōu)點是：①存儲單元陣列和主要外圍邏輯電路制作在同一個硅芯片上，輸出和輸入電平可以做到同片外的電路兼容和匹配。這可使計算機的運算和控制與存儲兩大部分之間的接口大為簡化；②數(shù)據(jù)的存入和讀取速度比磁性存儲器約快三個數(shù)量級,可大大提高計算機運算速度;③利用大容量半導體存儲器使存儲體的體積和成本大大縮小和下降。因此，在計算機高速存儲方面，半導體存儲器已全部替代了過去的磁性存儲器。用作大規(guī)模集成電路的半導體存儲器,是1970年前后開始生產的1千位動態(tài)隨機存儲器。隨著工藝技術的改進，到1984年這類產品已達到每片1兆位的存儲容量。