高頻率內(nèi)存
高頻率內(nèi)存
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內(nèi)存頻率是指內(nèi)存主頻,是指內(nèi)存所能達(dá)到的最高工作頻率,有兩種表示方法,分別是工作頻率和等效頻率,工作頻率是內(nèi)存顆粒實(shí)際的工作頻率,等效頻率不同,DDR內(nèi)存等效頻率是工作頻率的兩倍,DDR2等效頻率是工作頻率的四倍,因?yàn)镈DR 內(nèi)存在脈沖的上升和下降都傳輸數(shù)據(jù),而DDR2 內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以四倍于工作頻率的速度運(yùn)行。頻率也可以看作傳輸標(biāo)準(zhǔn),傳輸標(biāo)準(zhǔn)也是內(nèi)存速度的參數(shù),傳輸標(biāo)準(zhǔn)是內(nèi)存的規(guī)范,如果內(nèi)存采用了此傳輸標(biāo)準(zhǔn)就說(shuō)明完全符合該規(guī)范,所以傳輸標(biāo)準(zhǔn)也代表著該內(nèi)存的速度 [1] 。例如DDR 200/266/333/400的工作頻率分別是100/133/166/200MHz,而等效頻率分別是200/266/333/400MHz;DDR2 400/533/667/800的工作頻率分別是100/133/166/200MHz,而等效頻率分別是400/533/667/800MHz。
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