您現(xiàn)在的位置： 首頁(yè) > 標(biāo)簽 > 增強(qiáng)型氮化鎵
增強(qiáng)型氮化鎵
增強(qiáng)型氮化鎵
相關(guān)文章 : 1篇 瀏覽 : 19次

??與傳統(tǒng)的Si MOSFET相同，增強(qiáng)型GaN器件也具有柵極、源極和漏極三個(gè)電極，屬于電壓型控制器件。通過在柵極-源極之間施加正電壓，使增強(qiáng)型GaN器件的漏極與源極之間感生出高濃度和高電子遷移率的二維電子氣溝道，從而實(shí)現(xiàn)器件導(dǎo)通。圖1給出GaN System公司的增強(qiáng)型GaN器件GS61004B的轉(zhuǎn)移特性與輸出特性曲線，均來自官網(wǎng)的數(shù)據(jù)手冊(cè)。

EPC推出超高功率密度1226 W/in、1kW的48 V/12 VLLC轉(zhuǎn)換器
EPC推出超高功率密度1226 W/in、1kW的48 V/12 VLLC轉(zhuǎn)換器...
關(guān)于鴻海將入股DNeX，間接參與馬來西亞8吋晶圓廠的相關(guān)傳聞與事實(shí)，可以歸納如下：一、傳聞背景據(jù)彭博社報(bào)道，知情人士透露，鴻海集團(tuán)正與馬來西亞科技公司Dagang Nexchange（DNeX）進(jìn)行協(xié)商，希望入股后者。這一傳聞引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注，因?yàn)轼櫤Ｗ鳛殡娮又圃旆?wù)領(lǐng)域的巨頭，其動(dòng)向往往具有行業(yè)風(fēng)向標(biāo)的意義。二、入股進(jìn)展初步協(xié)商：鴻......
VLLC... 散熱器 增強(qiáng)型氮...
2021-05-31
19