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3GAE
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集微網(wǎng)消息，三星在最近的IEEE國際固態(tài)電路會議上，分享了自家在3nm GAE MBCEFET芯片制造方面的一些細節(jié)。 根據(jù)DigiTimes發(fā)布的最新把報告，臺積電的3nm工藝將在今年下半年開始試產(chǎn)。近年來，三星和臺積電在先進工藝制程方面的競爭愈發(fā)激烈。雖然三星一直處于落后于臺積電的位置，但也在不停追趕。

三星演示 3nm MBCFET 芯片：采用納米片結(jié)構(gòu)制造晶體管
三星演示 3nm MBCFET 芯片：采用納米片結(jié)構(gòu)制造晶體管
三星展示的3nm MBCFET芯片是一項重大的技術(shù)創(chuàng)新，以下是關(guān)于該芯片的詳細介紹：一、MBCFET技術(shù)概述MBCFET（多橋通道場效應(yīng)晶體管）是三星推出的一種全新的晶體管技術(shù)，該技術(shù)使用納米片（nanosheet）結(jié)構(gòu)來制造晶體管。與傳統(tǒng)的GAAFET（閘極全環(huán)場效晶體管）工藝相比，MBCFET工藝在晶體管結(jié)構(gòu)上有所創(chuàng)新，它采用更厚更寬......
晶體管 固態(tài)電路 3GAE
2021-03-16
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