由于存儲器制程比較簡單，存儲單元均可快速被復(fù)制，可以幫助先進制程工藝快速提升良率。所以，在過去很長的一段時間內(nèi)，存儲器都扮演著肯為先進制程工藝成為“吃螃蟹的人”。但是，伴隨著先進制程工藝進入到65nm以后，相當一部分先進制程工藝的廠商已經(jīng)積累了足夠的經(jīng)驗，可以跳躍過存儲器的驗證，直接將先進制程用于邏輯產(chǎn)品。 與此同時，伴隨著AI、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的興起，使得大數(shù)據(jù)的應(yīng)用越來越廣泛，這些新興領(lǐng)域在不斷催促著存儲器追趕先進制程的腳步。目前，各大存儲器大廠都在升級20nm制程，其中，DRAM、閃存和 SRAM 等傳統(tǒng)內(nèi)存仍然是市場上的主力技術(shù)。 ———————————————— 版權(quán)聲明：本文為CSDN博主「Chrysalid」的原創(chuàng)文章，遵循CC 4.0 BY-SA版權(quán)協(xié)議，轉(zhuǎn)載請附上原文出處鏈接及本聲明。 原文鏈接：https://blog.csdn.net/weixin_29046611/article/details/112530433